公开(公告)号：CN119731767A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380060135.4

申请日：2023-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川兴司

IPC: H01L21/306

Abstract: 基板处理方法包括：准备基板，在所述基板的表面有氮化钛膜和氧化锆膜露出；以及通过对所述基板的所述表面供给含有氟化氢和有机溶剂的蚀刻液，在所述氮化钛膜和所述氧化锆膜中选择性地蚀刻所述氧化锆膜。

公开(公告)号：CN110491789B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201910392935.1

申请日：2019-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川兴司

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够适当地从基片除去硼单质膜的技术。本发明的基片处理方法包括生成步骤和除去步骤。生成步骤使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的硼单质膜从而生成B(OH)3或者B2O3。除去步骤使在生成步骤中生成的B(OH)3或者B2O3溶解于水，由此从基片除去硼单质膜。

公开(公告)号：CN111430266B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202010009300.1

申请日：2020-01-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广城幸吉 ,  樋口伦太郎 ,  香川兴司 ,  关口贤治

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。

公开(公告)号：CN111418043B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201880076270.7

申请日：2018-12-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川兴司 ,  户岛孝之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: [课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；工序(C)，在工序(B)后，将基板在溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进溶剂的蒸发和附着物与去除剂的反应；和，工序(D)，在工序(C)后，向基板供给冲洗液，从基板去除附着物。防气体扩散膜用来防止由工序(C)中的附着物与去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至基板的周围。

公开(公告)号：CN111630639A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201980008546.2

申请日：2019-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广城幸吉 ,  坂崎哲也 ,  香川兴司 ,  关口贤治 ,  水本一刚

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 实施方式的基板处理方法包括保持工序和供给工序。保持工序保持基板。供给工序将蚀刻液供给至保持工序中所保持的基板，所述蚀刻液含有：对在基板上露出的金属系的第1材料和硅系的第2材料进行蚀刻的蚀刻剂、以及第1材料和第2材料中、与第2材料反应而在第2材料的表面形成保护层的保护剂，蚀刻剂为含有氟原子和有机溶剂、且实质上不含水分的液体，保护层保护第2材料免受由蚀刻剂带来的蚀刻。

公开(公告)号：CN111630639B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201980008546.2

申请日：2019-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广城幸吉 ,  坂崎哲也 ,  香川兴司 ,  关口贤治 ,  水本一刚

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 实施方式的基板处理方法包括保持工序和供给工序。保持工序保持基板。供给工序将蚀刻液供给至保持工序中所保持的基板，所述蚀刻液含有：对在基板上露出的金属系的第1材料和硅系的第2材料进行蚀刻的蚀刻剂、以及第1材料和第2材料中、与第2材料反应而在第2材料的表面形成保护层的保护剂，蚀刻剂为含有氟原子和有机溶剂、且实质上不含水分的液体，保护层保护第2材料免受由蚀刻剂带来的蚀刻。

公开(公告)号：CN117642845A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280046683.7

申请日：2022-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八谷洋介 ,  中森光则 ,  香川兴司

IPC: H01L21/304

Abstract: 基板处理系统具备批量处理部、单片处理部以及搬送部。所述批量处理部通过将多张基板浸在贮存于处理槽的臭氧水中，来对多张所述基板一并进行处理。所述单片处理部利用药液对所述基板逐张地进行处理，所述搬送部将所述基板保持湿润的状态从所述批量处理部搬送到所述单片处理部。

公开(公告)号：CN113451125A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110294301.X

申请日：2021-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 康松润 ,  津田俊武 ,  关口贤治 ,  米泽周平 ,  香川兴司

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明的目的在于提供能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜的技术，本发明的一个方式的基片处理方法包括保持工序、供给的工序和蚀刻工序，保持工序保持形成有含硼硅膜的基片，供给工序向所保持的基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液，蚀刻工序利用氧化水溶液蚀刻基片的含硼硅膜。

公开(公告)号：CN112997276A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980072859.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 天井胜 ,  田中志信 ,  须中郁雄 ,  香川兴司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。

公开(公告)号：CN110491789A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910392935.1

申请日：2019-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川兴司

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够适当地从基片除去硼单质膜的技术。本发明的基片处理方法包括生成步骤和除去步骤。生成步骤使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的硼单质膜从而生成B(OH)3或者B2O3。除去步骤使在生成步骤中生成的B(OH)3或者B2O3溶解于水，由此从基片除去硼单质膜。