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公开(公告)号：CN108919472B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201811055454.3
申请日：2018-09-11
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明提供一种多分光镜式高灵敏度同轴光学镜筒，包括第一多分光镜立方（1）、反射式物镜（2）、第二多分光镜立方（3）、离轴反射镜模块（4）、带照明功能成像模块；第一多分光镜立方（1）用于反射激光和透射光谱；第二多分光镜立方（3）连接带照明功能成像模块用于观察和激光对焦，连接离轴反射镜模块（4）用于采集光谱信号。本发明通过反射式光谱收集光路，镜片切换，分次实现UV‑VIS‑NIR全光谱分析，光谱信号损失小，具有较高的空间分辨率，且几乎完全屏蔽环境光及杂散光。本发明解决了现有技术，难以兼顾UV‑VIS‑NIR全光谱分析与高空间分辨率及光谱分析灵敏度、系统光路对焦困难、易受环境光干扰的技术问题。
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公开(公告)号：CN114624319A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210349512.3
申请日：2022-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明属于材料中氢同位素测量技术领域，尤其涉及一种基于热解析‑四极质谱测量原理定量获取材料中ppm级氢同位素含量的方法。本发明提供的测量方法：得到待测样品释放出的氢同位素或氦同位素的质谱信号随时间变化的信号‑时间关系曲线后，根据氢同位素或氦同位素的质谱信号和漏率的线性关系曲线获得待测样品中氢同位素或氦同位素的含量。本发明提供的测量方法通过构建的气体质谱信号和漏率的线性关系曲线，将热脱附谱即真空加热提取和质谱测量相结合，能够实现不同材料中的ppm量级氢同位素或氦同位素的准确测量。
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公开(公告)号：CN113345615A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110597998.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种石蜡/碳化硼中子防护复合材料及制备方法，属于核防护材料技术领域，解决现有技术中采用熔铸法制备时存在的组织不致密、碳化硼沉降团聚等问题。本发明的石蜡/碳化硼中子防护复合材料的制备方法，所述中子防护复合材料中石蜡含量为1‑60wt％，其余为碳化硼，采用冷等静压法制备。本发明创造性地采用石蜡、碳化硼为原料，采用冷等静压法制备得到中子防护复合材料。本发明的石蜡/碳化硼中子防护复合材料碳化硼分布均匀、组织致密、性能优异，可兼具快中子、慢中子和热中子慢化吸收双功能，达到乏燃料后处理特定场合的中子防护要求。
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公开(公告)号：CN109266981A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811183460.7
申请日：2018-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种铸造合金或金属基复合材料的中温、高压、快速致密化方法，属于材料热处理领域，目的在于解决在铸造高温合金中，出现的气孔类缺陷较为突出，严重影响合金的使用可靠性和铸件的成品率，以及金属基复合材料中陶瓷与金属界面处容易产生孔洞等缺陷，极大的降低了复合材料的力学性能的问题。本申请以铸造合金或金属基复合材料为原料，采用热等静压技术，在合金或基体材料的0.5Tm~0.8Tm温度范围内进行中温、高压、快速热等静压处理，以实现材料的快速致密化，抑制其晶粒长大，从而获得晶粒细小、致密度高、力学性能优异的材料。该致密化方法不受材料的形状限制，可用于较大尺寸、复杂形状的材料的致密化处理。
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公开(公告)号：CN107036769B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201710251898.3
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于校准不同示漏气体真空漏孔漏率的系统，包括氦质谱检漏仪、标准容器、氩气气源、待校准真空漏孔、示漏气源、定容室、涡旋分子泵和涡轮机械泵；所述涡旋分子泵和涡轮机械泵依次与定容室、标准容器管道连接；所述待校准真空漏孔一端与示漏气源管道连接，另一端连接到标准容器与定容室之间、且在该连接管道上还分别连接有氦质谱检漏仪和氩气气源。并且，该系统可通过定容法所测漏孔漏率的大小，结合氦质谱检漏仪测定不同示漏气体介质真空漏孔漏率，得到用氦质谱检漏仪快速测量不同示漏气体介质时漏率之间的换算关系。该系统设计合理，结构简单，操作方便，可校准不同示漏气体的真空漏孔漏率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106521203B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610998986.5
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
IPC: C22C1/04 , C22C5/08 , C22C9/00 , C22C30/02 , C22F1/14 , C22F1/08 , C22F1/00 , B23K35/40 , B23K35/14
Abstract: 本发明公开了一种AgCuTi合金的制备方法、其箔带钎料的制备方法及其产品，目的在于解决现有的AgCuTi合金钎料易偏析，其中的元素Ti易与氧结合，可能导致钎料在封接时活性降低，且在充分合金化过程中，晶粒尺寸易长大，孔洞等微观缺陷较难消除，且Ti元素与Ag、Cu可形成Ag‑Ti、Cu‑Ti脆性相，较难轧制成形高质量箔带的问题。本发明通过对粉坯在低温下真空预烧结，抑制偏析，结合热等静压中温烧结，能有效控制晶粒尺寸和氧含量，获得力学性能优异的高致密合金，最终可通过多道次冷轧直接成形箔带钎料。本发明能满足微波装备系统中异种材料组件封接用高性能银铜钛箔带钎料的需求，具有较好的应用前景，值得大规模推广和应用。
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公开(公告)号：CN104611653B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510062108.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
IPC: C22F1/04
Abstract: 本发明公开了一种乏燃料贮存和运输用Al‑B4C中子吸收材料的热处理方法，目的在于有效提高Al‑B4C中子吸收材料在高放射性场所应用过程中的稳定性，确保其在使用过程中的长期稳定。该方法包括固溶处理、淬火处理、时效处理等。本发明能够对Al‑B4C中子吸收材料进行热处理，有效改善B4C陶瓷颗粒的分布均匀性，使其获得较高的综合性能，可以保证产品长期运行的稳定性以及安全性。经试验验证，经本发明处理后的材料具有良好的显微组织结构，能够有效保证Al‑B4C中子吸收材料在高放射性场所应用过程中的稳定性及安全性，具有重要的进步意义。
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公开(公告)号：CN104926122A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510370304.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高效荧光发射效率的闪烁玻璃，具体为一种掺杂锂硅酸盐闪烁玻璃及其制备方法。本发明的闪烁玻璃其化学分子式为A6MgAlD6O17.5：xCe或A6MgAlD6O17.5：yTb或A6MgAlD6O17.5：xCeyTb，该化学分子式中，A为Li、Na、K中的一种或多种，D为Si、B、P的一种或多种，0＜x≤1.024，0＜y≤0.16。经测定，A6MgAlD6O17.5：xCeyTb在X射线、阴极射线激发下的荧光发射效率分别相当于Bi4Ge3O12晶体的33.6%、460%。本发明可用于核反应堆、粒子物理、辐射安全、宇宙射线检测等领域，还能实现对热中子的探测，具有较好的应用前景。同时，本发明还提供前述闪烁玻璃的制备方法，该方法通过熔融-淬冷法一次浇注完成，能制备出大尺寸、各种形状的玻璃闪烁体，具有操作性强的优点，能够满足工业化大规模生成的需要。
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公开(公告)号：CN116716527A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310696682.3
申请日：2023-06-13
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
IPC: C22C27/04 , C22C1/04 , B22F3/04 , B22F3/15 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B22F1/054 , B22F1/052 , B22F9/04 , G21B1/13
Abstract: 本发明涉及聚变堆中面向等离子体材料技术领域，公开了一种双纳米相掺杂的超细晶钨合金及其制备方法和应用，包括如下原料组分：铬：5.0wt‑10.0wt％，钇：0.5wt‑5.0wt％，钨：余量；其中，基体相粒子为钨，第二相粒子为铬和钇，基体相粒子钨的晶粒尺寸在超细晶范畴，第二相粒子的晶粒尺寸在纳米晶范畴。该双纳米相掺杂的超细晶钨合金采用如下方法制备：(1)原料球磨机械合金化；(2)冷压成型；(3)热等静压烧结。制备出的双纳米相掺杂的超细晶钨合金晶粒尺寸在超细晶范围内且致密度高、热稳定性好，满足核聚变堆中严苛的辐照服役环境；也可用于穿甲弹等武器装备上，提高毁损能力；还能够应用于制备耐高温部件。
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公开(公告)号：CN114624319B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210349512.3
申请日：2022-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明属于材料中氢同位素测量技术领域，尤其涉及一种基于热解析‑四极质谱测量原理定量获取材料中ppm级氢同位素含量的方法。本发明提供的测量方法：得到待测样品释放出的氢同位素或氦同位素的质谱信号随时间变化的信号‑时间关系曲线后，根据氢同位素或氦同位素的质谱信号和漏率的线性关系曲线获得待测样品中氢同位素或氦同位素的含量。本发明提供的测量方法通过构建的气体质谱信号和漏率的线性关系曲线，将热脱附谱即真空加热提取和质谱测量相结合，能够实现不同材料中的ppm量级氢同位素或氦同位素的准确测量。
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