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公开(公告)号：CN118763422A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410964811.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的基于MEMS开关的超表面反射单元，属于射频前端器件技术领域。其由微带天线单元，复合梁MEMS开关，直流偏置线，金属短截线，圆形通孔，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组成而成。通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；利用MEMS开关控制电流路径的智能超表面调制天线具有隔离度高、插入损耗低和功耗低的特征。该天线可以实现在一定带宽范围内(295‑305GHZ)具有180°发射相位差，且MEMS开关工作在300GHZ以下，均可以保证在断开状态隔离度高于15dB；导通状态下插入损耗低于1dB。微带天线单元和开关结构简单、制造方便，可以通过硅基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN118117328A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410319791.8
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种毫米波超宽带圆极化磁电偶极子天线，属于射频前端器件技术领域，其包括天线辐射体和馈电模块；所述天线辐射体包括上辐射层、下辐射层以及金属过孔；所述上辐射层和下辐射层均设置有两个矩形贴片，且在同一辐射层上的四个矩形贴片正投影分别位于方形的四个顶点；同一辐射层的两个辐射贴片位于方形的对角线上；其中一辐射层上的两个辐射贴片相邻端平面连接；金属过孔与矩形贴片一一对应；所述金属过孔的顶端与对应的矩形贴片短接，底端与金属地连接；本发明在30Ghz附近频段内达到超过40％阻抗带宽的性能，以及圆极化轴比带宽也高于20％，在保持上述性能优势下，还具备在工作频段内的高增益性能。
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公开(公告)号：CN119674517A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411627417.0
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的倾斜波束平面波导缝隙天线，属于射频前端器件领域。其由自下向上层叠设置的第一金属层、介质层、第二金属层，以及联通两层金属并贯通介质层的金属通孔组成。其中第一金属层为整体矩形金属地；介质层为整体矩形介质层；第二金属层为天线主辐射层，包括矩形CPW信号地、球棒形CPW信号线、矩形引向贴片；CPW信号线的上边缘与CPW信号地构成输入端口，下边缘距离CPW信号地约二分之一个工作波长，构成缝隙以辐射电磁波。当激励信号接入输入端口，主辐射结构将产生最大辐射方向在俯仰面50°方向的倾斜波束。本倾斜波束平面波导缝隙天线具有工作频段高、前后比高、结构简单、易于集成的特征。
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公开(公告)号：CN119651088A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411630826.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的并联式MEMS开关，属于射频前端器件领域。其由自下至上层叠设置的第一层金属贴片，中间层介质板，第二层金属贴片与高阻偏置线，介电薄膜与金属桥墩，第三层金属贴片组成。其中第一层金属贴片为整体金属地；中间层介质板为整体介质层；第二层金属贴片包括共面波导信号地、共面波导信号线、直流偏置电极、开关驱动电极；第三层金属贴片包括开关金属梁和CPW封闭桥梁。开关的下驱动电极上覆有面积稍大的介电薄膜，而CPW信号地的中段设置了一段抬起桥梁，直流偏置线通过该桥梁走线并将开关下电极连接到直流偏置电极上。
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公开(公告)号：CN119627380A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411626703.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明属于一种太赫兹频段低损耗高隔离度MEMS开关，属于射频前端器件领域。该开关桥墩结构，金属梁，上电极通孔组，梯形连接，触点，氮化硅电容绝缘层，下电极，氮化硅电极绝缘层，共面波导微波传输线结构，直流偏置高阻线，金丝，金PAD焊盘贴片，介质基板，背板金属地，接地金属圆柱，金属架桥组成。当通过共面波导进行馈电时，分析开关导通和关断状态下射频特性。开关关断时，隔离度可达‑24.94dB，在高频具备低插损高隔离度的特性，可广泛应用于太赫兹通信领域，应用在微波电路、天线等射频器件中。开关采用单层金属梁设计，结构简单、制造方便，可快速刻蚀制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118278280A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410411364.2
申请日：2024-04-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: G06F30/27 , H01Q21/00 , G06F18/23213 , G06N3/126 , G06F111/08 , G06F113/16 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏先验和聚类的相控阵子阵划分方法，属于相控阵列天线综合领域。本发明的技术方案分为两部分：基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法，以及基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法。首先，使用基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法获得相控阵的阵元稀疏权重矩阵。然后，使用基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法获得子阵划分方案。本发明设计的相控阵天线增益高、副瓣低、可以节省大部分阵元驱动网络，不仅适用于规则和非规则的子阵划分方式，而且算法简单有效，划分结果较为稳定。
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公开(公告)号：CN118099683A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410319064.1
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段串并联综合MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁MEMS开关，金属梁MEMS开关，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成，金属梁MEMS开关并排于复合梁MEMS开关；可以通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；本发明设计的串并联综合MEMS开关工作在500GHz以下，均可以保证断开状态隔离度高于20dB；导通状态插入损耗低于2dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单，制造方便，可以通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN117293498A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311176175.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹MEMS四位分布式移相器，属于射频前端器件技术领域。其由16个移相器单元级联而成，每个移相器单元包括底层金属地结构，中间介质层，顶层金属地，直流端口，高阻偏置线，金属电极，金属电极上的绝缘层，与顶层金属地结合的金属桥，钳状金属梁和宽度渐变的金属线；金属地结构位于最下方，其上为中间介质层，其他结构均位于器件顶层。通过直流电压控制钳状金属梁的抬起和下拉两种状态来控制分布式移相器单元的相位，移相器单元两种状态的相位差为22.5°。本发明具有结构简单，设计方便，在太赫兹波段移相精度高，线性度好，插入损耗低，可应用到太赫兹系统等特点。
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公开(公告)号：CN119786915A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411653916.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由支流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，金属梁MEMS开关，金属梁的金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和金属地组成。金属梁的金属锚点连接到共面波导金属地，右上侧的直流端口通过直流偏置线连接到共面波导金属地，左上侧的直流端口通过直流偏置线连接到金属电极，可以通过在左侧的直流端口输入不同直流电压来控制金属梁的抬起与吸附到电极的状态，分别对应开关的导通与断开状态；本发明设计的并联MEMS开关工作与103.33G‑170G之间，保证断开状态隔离度高于33.67dB；导通状态插入损耗低于0.8dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单。
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公开(公告)号：CN119674507A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411626091.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波极化和方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。其由对称的矩形辐射贴片，位于辐射贴片上的半圆缺陷、四分之一圆缺陷、矩形枝节加载，正交双向馈电网络，T型功分馈电网络，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变匹配结构，介质基板，金属地背板组成。当T型功分馈电网络上的单侧MEMS开关导通时，能量流向该侧的辐射单元，可实现向左或向右的波束倾斜效果。当两侧的MEMS均导通时，辐射方向图指向Z正轴，无波束偏转，据此可实现左中右三个方向的方向图可重构功能。当正交双向馈电网络上的开关闭合时，长线的尺寸可实现90°的相位延迟，两个正交的简并模合成圆极化波，覆盖完整半功率波束宽度。
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