-
公开(公告)号：CN117071052A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311080548.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明提出了一种用于化合物半导体单晶的低位错生长装置，属于晶体制备技术领域，所述生长装置包括密闭的炉体、炉体的坩埚、籽晶杆、观察窗、多段加热器和覆盖剂移除装置，所述覆盖剂移除装置包括回收器、回收器管脚；本发明在晶体长成之后、退火之前，将液态覆盖剂通过覆盖剂移除装置移除，在后续工艺过程中，不会由于覆盖剂的凝固造成晶体缺陷。本发明提出的装置具备直拉法生长大直径、低成本的优势，同时又具备垂直梯度凝固法晶体的低位错缺陷的优势，具有很强的实用性。
-
公开(公告)号：CN112695376A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110145355.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种晶体生长装置，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的装置。包括炉体，置于炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还包括可升降式加热罩机构，包括加热罩体、加热罩支撑部件、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。采用本装置，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内的应力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的温度梯度，保证晶体生长过程稳定，从而保证晶体成品率。
-
公开(公告)号：CN109402722A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811532441.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种反式注入合成连续VGF晶体生长装置及方法，涉及半导体晶体制备与单晶生长的装置，具体涉及一种使用VGF法，反式注入合成晶体，在原位连续进行晶体生长方法及装置。装置包括炉体、安装在炉体内的坩埚、保温系统、加热系统、温度控制系统及气压调节系统，所述坩埚上部为合成部、下部为晶体生长部和籽晶部，合成部与晶体生长部之间通过毛细孔连通。将红磷和氧化硼投入生长部，铟和氧化硼投入合成部，固体籽晶投入籽晶部，控制温度和压力，完成材料合成和晶体的原位生长。本发明，使用毛细孔，通过温度和压力控制，在材料合成阶段，磷气泡上升到铟熔体，可以使两种物质充分融合，磷气化完成后，铟磷熔体滴入生长部，完成晶体的原位生长。
-
公开(公告)号：CN112695376B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202110145355.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种晶体生长装置，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的装置。包括炉体，置于炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还包括可升降式加热罩机构，包括加热罩体、加热罩支撑部件、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。采用本装置，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内的应力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的温度梯度，保证晶体生长过程稳定，从而保证晶体成品率。
-
公开(公告)号：CN115198368B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210829110.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 史艳磊 , 孙聂枫 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘惠生 , 张晓丹 , 邹学锋 , 王维 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 康永
Abstract: 一种半导体化合物注入合成方法，涉及半导体材料的合成，基于合成系统完成，所述合成系统采用开放式气源装置，所述方法包括：放置材料、下探开放式气源装置、融化金属材料、气化气源材料完成合成。有益效果：本发明的合成方法，开放式气源装置挡板下面部分为反应腔，合成时，气源材料与熔体接触面积至少为传统双管接触面积的22倍。本发明在反应腔内，没有覆盖剂的隔离，两种反应元素始终在液面接触。在具体实施案例中，使用本发明方法合成磷化铟材料，相比传统双管注入法合成，本方法效率提高了12倍。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115198369B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210829113.7
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，首先将铟元素置于坩埚中，将磷元素置于辅助坩埚区域中心，然后加热并施加离心力，在离心力作用下，铟熔体围绕主坩埚区域形成筒状，铟元素与磷元素处于表面接触的分离状态。通过多温区加热，将铟与磷加热至不同的温度，易挥发元素磷升华后与金属元素铟化合。合成完毕后降低坩埚转速，合成熔体处于水平状态，置入氧化硼实现晶体生长。使用本发明提出的装置和方法，磷元素的注入装置没有加热器，简化了合成设备；合成期间，铟溶体与磷气体的接触面积大，合成速度快；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
-
公开(公告)号：CN115198347B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210829211.0
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 王书杰 , 孙聂枫 , 徐森锋 , 邵会民 , 刘峥 , 史艳磊 , 姜剑 , 李晓岚 , 王阳 , 怀俊彦 , 孙作宝 , 张晓丹 , 康永 , 王维 , 刘惠生 , 李亚旗 , 赵红飞
Abstract: 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，装置包括炉体和炉体内的坩埚，坩埚顶部设置密封槽，与密封槽配套有密封盖，坩埚通过坩埚杆连接炉体外部的离心电机。方法包括放置原料、组装装置、密封坩埚、离心合成、晶体生长步骤。使用本发明提出的装置和方法，没有易挥发元素的注入装置，具有简单、经济、节能、高效的特点；金属材料在加热前，在离心力的作用下贴在坩埚侧壁，距主加热器更近，对金属的加热效率更高；合成期间，易挥发元素不会发生逃逸，全部参与合成，杜绝浪费；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
-
公开(公告)号：CN115198370B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210829230.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法，涉及半导体材料的制备。装置包括炉体、坩埚、离心电机、注入系统，方法的关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置；合成完毕后，控制垂直温度梯度，完成单晶生长。在离心力的作用下，密度较重的铟原子会向坩埚边缘方向运动，而密度较轻的磷原子会向坩埚中心运动，合成速率较快，加速整体合成过程，同时减少熔体污染。
-
公开(公告)号：CN115869853A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210938160.5
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 史艳磊 , 孙聂枫 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘惠生 , 张晓丹 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 康永 , 谷伟侠 , 吴中超 , 吴畏 , 高鹏 , 王赫
Abstract: 一种化合物低温连续合成装置及合成方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、旋转飞轮系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛元素注入恒温腔，启动旋转飞轮系统，加热金属滴液系统并将金属液滴注入到恒温腔，实现化合物的合成。本发明的合成温度远低于化合物的熔点温度，降低了化合物与容器的接触沾污，合成纯度高、设备制造难度低，气源损失少，可实现化合物多晶材料的高纯、低成本的合成。
-
公开(公告)号：CN109402722B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811532441.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种反式注入合成连续VGF晶体生长装置及方法，涉及半导体晶体制备与单晶生长的装置，具体涉及一种使用VGF法，反式注入合成晶体，在原位连续进行晶体生长方法及装置。装置包括炉体、安装在炉体内的坩埚、保温系统、加热系统、温度控制系统及气压调节系统，所述坩埚上部为合成部、下部为晶体生长部和籽晶部，合成部与晶体生长部之间通过毛细孔连通。将红磷和氧化硼投入生长部，铟和氧化硼投入合成部，固体籽晶投入籽晶部，控制温度和压力，完成材料合成和晶体的原位生长。本发明，使用毛细孔，通过温度和压力控制，在材料合成阶段，磷气泡上升到铟熔体，可以使两种物质充分融合，磷气化完成后，铟磷熔体滴入生长部，完成晶体的原位生长。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.047 seconds)
