公开(公告)号：CN115360930B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202210532193.X

申请日：2022-05-10

Applicant: 中国石油大学(华东)

Inventor： 严庆增 ,  赵天润 ,  陈皓明 ,  张龙龙 ,  徐海亮 ,  邢成建 ,  李圣泽

IPC: H02M7/5395 ,  H02M7/483 ,  H02M1/088 ,  H02M1/38 ,  H02M1/12

Abstract: 本发明公开一种混合器件三电平分裂输出逆变器误差电压消除调制方法。主电路中的Si IGBT工作于低开关频率，SiC MOSFET工作于100kHz高开关频率，SiC SBD Da2和Da3用于电流续流，隔离电感将SiC MOSFET隔离分开。在误差电压消除调制方法中，上、下层叠载波与三相调制波输入到脉冲生成模块进行比较，脉冲生成模块输出初始驱动信号，误差电压消除模块输出驱动信号。低通滤波器将输出电流中的高频电流谐波滤除，获得输出电流基波。据调制波和基波电流的极性分为4个区间进行调制。本发明提出的混合器件三电平分裂输出逆变器误差电压消除调制方法，能够消除传统调制方法采用开通延迟带来的误差电压，提升直流电压利用率、降低输出电流谐波。

公开(公告)号：CN115360930A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210532193.X

申请日：2022-05-10

Applicant: 中国石油大学(华东)

Inventor： 严庆增 ,  赵天润 ,  陈皓明 ,  张龙龙 ,  徐海亮 ,  邢成建 ,  李圣泽

IPC: H02M7/5395 ,  H02M7/483 ,  H02M1/088 ,  H02M1/38 ,  H02M1/12

Abstract: 本发明公开一种混合器件三电平分裂输出逆变器误差电压消除调制方法。主电路中的Si IGBT工作于低开关频率，SiC MOSFET工作于100kHz高开关频率，SiC SBD Da2和Da3用于电流续流，隔离电感将SiC MOSFET隔离分开。在误差电压消除调制方法中，上、下层叠载波与三相调制波输入到脉冲生成模块进行比较，脉冲生成模块输出初始驱动信号，误差电压消除模块输出驱动信号。低通滤波器将输出电流中的高频电流谐波滤除，获得输出电流基波。据调制波和基波电流的极性分为4个区间进行调制。本发明提出的混合器件三电平分裂输出逆变器误差电压消除调制方法，能够消除传统调制方法采用开通延迟带来的误差电压，提升直流电压利用率、降低输出电流谐波。