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公开(公告)号:CN115360930B
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202210532193.X
申请日:2022-05-10
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H02M7/5395 , H02M7/483 , H02M1/088 , H02M1/38 , H02M1/12
Abstract: 本发明公开一种混合器件三电平分裂输出逆变器误差电压消除调制方法。主电路中的Si IGBT工作于低开关频率,SiC MOSFET工作于100kHz高开关频率,SiC SBD Da2和Da3用于电流续流,隔离电感将SiC MOSFET隔离分开。在误差电压消除调制方法中,上、下层叠载波与三相调制波输入到脉冲生成模块进行比较,脉冲生成模块输出初始驱动信号,误差电压消除模块输出驱动信号。低通滤波器将输出电流中的高频电流谐波滤除,获得输出电流基波。据调制波和基波电流的极性分为4个区间进行调制。本发明提出的混合器件三电平分裂输出逆变器误差电压消除调制方法,能够消除传统调制方法采用开通延迟带来的误差电压,提升直流电压利用率、降低输出电流谐波。
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公开(公告)号:CN119448806B
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202510038636.3
申请日:2025-01-10
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种混合器件共用桥臂三电平分裂输出逆变器调制方法及系统,方法步骤为:根据三相原始调制波生成的参考电压矢量得到映射相位角、调制度及区域号;根据调制度的大小、映射相位角、调制度、开关周期得到两种矢量作用时间;根据区域号和两种矢量作用时间生成两种调制波;根据区域号、第一调制波、正反向载波生成第一脉冲驱动信号;根据区域号、正反向载波生成最终载波,根据第二调制波、正向载波、上一周期正向载波、最终载波生成第二脉冲驱动信号;根据区域号上述两个脉冲驱动信号中选择驱动信号。本发明能够实现调制度最大化,在不同调制度范围下分别生成驱动脉冲,输出电流质量高,总谐波畸变率低。
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公开(公告)号:CN118174580A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410376106.5
申请日:2024-03-29
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H02M7/5387 , H02M7/5388 , H02M1/38 , H02M1/088
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种SiC器件隔离输出逆变器单载波调制方法及系统,一方面,根据由受控电压源Us和直流母线电容C1串联连接形成的串联电路的电压、直流母线电容C2的电压、原始载波得到跟随电容电压变化的两个层叠载波;根据由受控电压源Us和直流母线电容C1串联连接形成的串联电路的电压和两个层叠载波得到单载波;根据开关周期和死区时间得到平移距离,根据平移距离和单载波生成两个载波。另一方面,根据原始调制波生成单调制波,单调制波经过分裂后得到两个调制波,根据两个调制波经分段补偿得到两个比较信号。最后,根据两个载波和比较信号生成驱动信号。本发明能够使调制策略在母线电压波动条件下依旧满足冲量等效原理,从而输出高质量的电流波形;通过双载波生成死区,死区添加方法简单,无需额外通过数字控制器死区模块添加,降低了对控制器的要求;通过恒定的载波幅值应对母线电压波动的情况,在数字控制器中容易实现,有效降低了在数字控制器中的实现难度。
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公开(公告)号:CN113938041B
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202111191682.5
申请日:2021-10-13
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明公开一种用于高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法,高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器主电路的输出电流通过二阶巴特沃斯低通滤波器,滤除高频电流谐波,得到滤波后的电流;滤波后的电流和调制波输入域划分模块,获得区间号。同时,上、中、下载波和调制波输入原始驱动脉冲产生模块,获得六路原始驱动信号,并输入到冗余脉冲剔除模块,获得六路剔除冗余脉冲的驱动信号。本发明的高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法,不需要加入死区,可以完全避免死区效应,降低了输出电流谐波、减小了驱动电路的损耗。
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公开(公告)号:CN119628446B
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202510168581.8
申请日:2025-02-17
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种SiC器件五电平分裂逆变器脉冲剔除调制方法及系统,根据设定基准信号生成两组反向层叠载波,根据两组反向层叠载波和设定调制波的大小生成两个不同的载波信号,根据悬浮电容实际电压与期望下限阈值和期望上限阈值生成两个辅助调制波,根据设定调制波的大小生成低频驱动信号,根据每相输出电流的大小、辅助调制波和载波信号生成每相高频驱动信号。仅在半个基波周期为高频驱动信号,另半个周期为低频驱动信号,有效降低驱动电路损耗,各高频驱动信号之间无需加入死区时间,从源头上避免死区效应,减小电流输出谐波,降低电流畸变,提升输出电流质量;通过辅助调制波的调节作用保持悬浮电容电压平衡。
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公开(公告)号:CN119093506B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202411581214.2
申请日:2024-11-07
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H02J3/46 , H02M7/5387
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,涉及一种多过零点驱动空缺区消除调制的电能质量提升方法及系统,方法步骤为:三相电网电压两相静止坐标变换;计算电网电压的相位角关系;根据相位角关系将三相畸变电流和三相输出电流进行两相旋转坐标变换;根据两相畸变电流和过滤两相畸变电流获得的两相正弦电流得到两相指令电流;根据直流侧参考电压和实际电压、两相指令电流和两相输出电流得到两相指令电压;根据相位角关系反坐标变换两相指令电流和两相指令电压;根据指令电压、载波周期、直流侧实际电压得到初始调制波;根据调整初始调整波得到的最终调制波和正负载波的大小生成驱动信号。本发明有效消除调制中驱动空缺区,减小谐波畸变率,提高电能质量。
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公开(公告)号:CN118381367A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410469392.X
申请日:2024-04-18
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H02M7/5387 , H02M7/5388 , H02M1/38 , H02M1/088 , H02M1/12
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种SiC器件分裂逆变器双调制波调制方法及系统,根据模拟母线变化的两个交流电压源的电压、直流母线电容的电压、原始载波得到跟随电容电压变化的三个层叠载波;根据交流电压源和直流母线电容的电压和三个层叠载波得到单载波;依据参考电流的极性、原始调制波、设定幅值生成辅助调制波;根据模拟母线变化的两个交流电压源的电压、直流母线电容的电压、原始调制波生成第一调制波,根据模拟母线变化的两个交流电压源的电压、直流母线电容的电压、辅助调制波生成第二调制波;根据原始调制波和辅助调制波的大小、第一调制波、第二调制波选择调制波,根据参考电流、单载波、选择的调制波生成驱动信号。本发明一方面使用双调制波消除死区效应,减小电流输出谐波,降低电流畸变,能够使调制策略在母线电压波动条件下输出波形良好的电流波形,提升电能质量;另一方面,仅使用一个固定幅值的三角载波,其幅值无需随母线电压波动而变化,易于在数字控制器中实现。
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公开(公告)号:CN117674558A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311651297.3
申请日:2023-12-04
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种SiC器件四电平分裂输出逆变器半周分时调制方法及系统,在正半周注入调制波过程中,根据上、中、下直流母线电压源获得正半周注入后的调制波;在负半周注入调制波过程中,根据上、中、下直流母线电压源获得负半周注入后的调制波;在正半周驱动信号分时产生过程中和负半周驱动信号分时产生过程中,分别获得正半周分时比较的驱动信号和负半周分时比较的驱动信号;最终通过驱动脉冲信号选择环节,获得开关管的驱动信号。本发明使SiC器件四电平分裂输出逆变器的SiC MOSFET开关管分时工作,降低开关管损耗、提升输出电流质量。
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公开(公告)号:CN119628446A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202510168581.8
申请日:2025-02-17
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种SiC器件五电平分裂逆变器脉冲剔除调制方法及系统,根据设定基准信号生成两组反向层叠载波,根据两组反向层叠载波和设定调制波的大小生成两个不同的载波信号,根据悬浮电容实际电压与期望下限阈值和期望上限阈值生成两个辅助调制波,根据设定调制波的大小生成低频驱动信号,根据每相输出电流的大小、辅助调制波和载波信号生成每相高频驱动信号。仅在半个基波周期为高频驱动信号,另半个周期为低频驱动信号,有效降低驱动电路损耗,各高频驱动信号之间无需加入死区时间,从源头上避免死区效应,减小电流输出谐波,降低电流畸变,提升输出电流质量;通过辅助调制波的调节作用保持悬浮电容电压平衡。
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公开(公告)号:CN119582637A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202510130936.4
申请日:2025-02-06
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种SiC器件四电平分裂逆变器低开关损耗调制方法及系统,根据i相原始正弦调制波和由三相原始正弦调制波生成叠加信号得到i相最终调制波;根据i相最终调制波的大小、i相最终调制波、直流母线电压、直流母线中间电容电压得到i相下调制波、i相上调制波、i相中间调制波;根据设定上层层叠载波、i相上调制波的大小生成i相驱动信号Si1和i相驱动信号Si2,根据设定中层层叠载波、i相中间调制波的大小生成i相驱动信号Si3和i相驱动信号Si4,根据设定下层层叠载波、i相下调制波的大小生成i相驱动信号Si5和i相驱动信号Si6。本发明能够实现直流母线电容均压,减少开关次数,降低开关损耗。
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