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公开(公告)号：CN119890183A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510022215.1
申请日：2025-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种传输线结构、制备方法及其应用，该传输线结构包括衬底、绝缘介质层及导电布线层，其中，衬底中设有多个贯穿衬底的通孔，且通孔的内壁倾斜设置，绝缘介质层覆盖衬底的第一表面、第二表面及通孔的内壁，导电布线层位于绝缘介质层表面，导电布线层包括中心导线，中心导线作为信号线。本发明通过在通孔内壁上直接形成中心导线(即孔内传输线)，实现了与第一表面和第二表面上的中心导线(平面传输线)结构设计的一致性，从而保证了阻抗匹配，避免了信号在孔内传输线与平面传输线之间传递时因阻抗不匹配而导致的信号损耗，从而显著提升信号传输的完整性和效率，有助于实现更高频信号的稳定传输。
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公开(公告)号：CN112946761B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110145543.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01V3/08
Abstract: 本发明提供一种低温系统及超导量子干涉系统，所述低温系统包括：无磁杜瓦，包括：杜瓦瓶底及与所述杜瓦瓶底连接并向上延伸的杜瓦瓶身，所述杜瓦瓶底与所述杜瓦瓶身共同围成一瓶内空间；超导量子干涉器件，置于所述瓶内空间中，并安装于所述杜瓦瓶底；低温引线，置于所述瓶内空间中，其一端与所述超导量子干涉器件的引线端子连接，并沿所述杜瓦瓶身的内壁向上延伸以使其另一端与引线接口连接，其中所述引线接口安装于所述杜瓦瓶身的顶端面上；低温插入件，插设安装于所述杜瓦瓶身的顶端面。通过本发明提供的低温系统及超导量子干涉系统，解决了现有低温系统中超导量子干涉器件因悬臂结构极易受到外界振动干扰，从而产生额外的磁场噪声响应的问题。
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公开(公告)号：CN109712777B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910142222.X
申请日：2019-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明提供一种滤波器、测试系统及滤波器的制备方法，滤波器包括：螺旋线圈，包括若干条双绞线，半数双绞线的绕线方向为顺时针方向，其余双绞线的绕线方向为逆时针方向；屏蔽盒，屏蔽盒包括盒体及盖体；盒体内形成有容纳槽，盒体的侧壁上形成有与容纳槽相连通的通孔；螺旋线圈位于容纳槽内；盖体封盖于盒体上；转接头，包括第一转接头及第二转接头；第一转接头位于盒体外侧，且经由通孔与螺旋线圈的一端电连接；第二转接头位于盒体外侧，且经由通孔与螺旋线圈的另一端电连接；屏蔽粉，屏蔽粉覆盖螺旋线圈并填满容纳槽。本发明滤波器可以过滤去除测试系统中的高频信号；屏蔽盒可以屏蔽外界磁信号对螺旋线圈的磁干扰，从而避免对测试信号造成影响。
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公开(公告)号：CN115835767A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211493020.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法，通过制备具有不同厚度的第一超导层及第二超导层，在进行约瑟夫森结的预定义后，可对第二超导层进行第一次过刻形成第一超导条带线，并直接进行绝缘保护层的生长和剥离，而后制备第三超导层，并进行第二超导条带线的刻蚀，同时对第二超导层即第一超导条带线进行第二次过刻，以通过双过刻工艺，提供一种亚微米乃至深亚微米尺度的约瑟夫森结的制备方法，可以解决现有工艺设备的精度限制，从而降低工艺设备成本，适用于高性能实用化超导量子干涉器件和其他基于约瑟夫森结的超导电子器件的可靠制备。
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公开(公告)号：CN112050935B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010958801.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，涉及一种超导纳米线单光子探测器及其制备方法。所述超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；反射层，位于所述衬底表面；探测层，位于所述反射层表面，用于探测光子，所述探测层包括若干超导纳米线单元；匹配层，至少位于所述超导纳米线单元表面且包覆所述超导纳米线单元，至少用于降低所述超导纳米线单元的偏振消光比；通过在超导纳米线单光子探测器中设置包覆超导纳米线单元的匹配层，能够利用匹配层降低超导纳米线单光子探测器的偏振消光比，从而降低超导纳米线单光子探测器的偏振敏感性，扩大超导纳米线单光子探测器的应用领域，提高其探测的准确性和可重复性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113267741B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110540178.5
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种SQUID测试组件串扰的标定、消除方法及系统，包括：模拟与实际被测磁场强度相等或相同量级的正弦磁场；在多通道SQUID测量模块中被串扰通道及串扰通道均正常工作的情况下，测量被串扰通道及串扰通道的输出信号；在被串扰通道正常工作、串扰通道关闭的情况下，测量被串扰通道的输出信号；基于被串扰通道在有无串扰两种情况下的输出信号变化值及串扰通道的输出信号，计算被串扰通道与串扰通道之间的串扰系数；重复上述步骤依次计算多通道SQUID测量模块中各通道之间的串扰系数，并获取多通道SQUID测量模块的通道串扰系数矩阵。本发明不仅能提高串扰标定的精度、简化串扰的测量步骤，而且能整体对SQUID测量系统的串扰进行精确标定和消除。
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公开(公告)号：CN114525581A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210129361.0
申请日：2022-02-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种双层30度扭角石墨烯单晶晶圆的制备方法，其包括提供300‑800nm厚的铜镍单晶衬底，该铜镍单晶衬底中镍原子占原子总数的15‑22％；放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气比为(100‑300sccm):(5‑15sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下退火；然后在氩气、氢气和甲烷比为(100‑300sccm):(5‑15sccm):(0.025‑0.5sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下进行生长得到双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。根据本发明的制备方法，采用铜镍单晶薄膜作为衬底，结合退火阶段和生长阶段可以得到大尺寸晶圆级的双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。
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公开(公告)号：CN113234442A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110509612.3
申请日：2021-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09K11/65 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C07F5/00 , C07D257/02 , C07D265/32 , C01B32/184 , C01B32/194 , G01N21/64 , G01N24/08 , H01F1/00 , H01F41/00
Abstract: 本发明提供一种顺磁性手性石墨烯量子点及其制备方法和用途，所述顺磁性手性石墨烯量子点的原料组分包括手性石墨烯量子点、螯合剂和顺磁性金属离子，所述手性石墨烯量子点与螯合剂通过相互之间官能团反应形成共价键，所述螯合剂与所述顺磁性金属离子通过配位键键合。本申请中顺磁性手性石墨烯量子点稳定性强，能够将荧光特性、手性、顺磁性集合于同一材料上，可用于手性分子之间相互作用过程的监测，并将手性相互作用过程转换为磁信号由核磁共振设备读出，或将手性相互作用过程转换为光信号读出，或同时使用磁信号与光信号进行双模式信号读出。
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公开(公告)号：CN109205599B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201811042914.9
申请日：2018-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/188
Abstract: 本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括：在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜，将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理，通入气态碳源，低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱，进而提高石墨烯的电学性能，降低石墨烯单晶晶圆的生产成本。
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公开(公告)号：CN113030798A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110251821.2
申请日：2021-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/022 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种超导全张量磁梯度探头及超导全张量磁梯度测量系统，所述超导全张量磁梯度探头包括：固定支架，安装于固定支架上的3个平面梯度计及2个轴向梯度计；其中，第1个平面梯度计用于测量Gxy和Gyx中的任一平面梯度分量，第2个平面梯度计用于测量Gxz和Gzx中的任一平面梯度分量，第3个平面梯度计用于测量Gyz和Gzy中的任一平面梯度分量，2个轴向梯度计用于测量Gxx、Gyy和Gzz中的任两个轴向梯度分量。通过本发明提供的超导全张量磁梯度探头及超导全张量磁梯度测量系统，解决了现有超导全张量磁梯度探头只适用于静态测量、低灵敏度动态测量的问题或需要结合旋转结构，导致系统构建比较复杂，实用性不强的问题。
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