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公开(公告)号：CN116387969A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310340905.2
申请日：2023-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种边发射激光器及其制备方法，可以应用于光电子器件领域。边发射激光器，包括：N面金属电极，设置于边发射激光器的底板上；谐振腔，设置于N面金属电极上；P面金属电极，设置于谐振腔上；其中，P面金属电极包括：第一增益光栅，设置于P面金属电极第一端；第二增益光栅，设置于与P面金属电极第一端相对的，P面金属电极第二端；谐振腔包括多个半导体层，多个半导体层包括折射率光栅层，折射率光栅层、第一增益光栅和第二增益光栅的光栅周期相同；折射率光栅层用于对谐振光进行选模，得到模式光；折射率光栅层还用于结合第一增益光栅和第二增益光栅，对模式光进行增益，以便谐振腔生成线宽小于10kHz的激光。
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公开(公告)号：CN115051241A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210665255.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种片上双程增益光放大装置及其制备方法，装置包括：硅基马赫‑曾德尔干涉仪和半导体光放大器；其中，硅基马赫‑曾德尔干涉仪包括：长臂硅波导和短臂硅波导；长臂硅波导与半导体光放大器相连接，用于输入信号光，并耦合信号光到半导体光放大器中；半导体光放大器用于对信号光进行放大，得到放大的信号光，以及耦合放大的信号光到长臂硅波导中；短臂硅波导用于从长臂硅波导中耦合出放大的信号光，并输出放大的信号光；半导体光放大器靠近长臂硅波导的一端镀有增透膜以防止半导体光放大器自身的激射，远离长臂硅波导的一端镀有增反膜以反射放大的信号光。本公开的装置实现了信号光的双程增益，以及片上SOA的单端输入输出。
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公开(公告)号：CN101958512A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910088813.X
申请日：2009-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通过腔面镀膜提高量子点激光器温度稳定性的方法，包括如下步骤：步骤1：取一条解理后的量子点激光器芯片；步骤2：通过在所述量子点激光器芯片的非出光端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料，得到具有高反射率的薄膜系统，其中，λ为膜系的中心波长；步骤3：所述量子点激光器的腔面高反射膜系的中心波长与所述量子点激光器的基态激射波长不重合，基态激射波长在反射带宽内，而激发态的激射波长落在反射带宽之外，使得所述量子点激光器的基态反射率高，而激发态的反射率低。
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公开(公告)号：CN101471534A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304707.1
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法，包括：在外延片P面上淀积介质保护材料，采用标准的光刻工艺进行第一次光刻；去胶清洗，采用标准的光刻工艺进行二次光刻；刻蚀或腐蚀制作脊形模式控制区台面；用介质保护材料作掩膜制作锥形增益区台面；腐蚀剩余介质材料，清洗后重新淀积介质保护材料；采用标准光刻工艺形成掩膜，腐蚀模式控制区和锥形区上的介质保护材料，开出电流注入窗口；在外延片正面溅射或蒸发金属，制作P面电极；减薄、抛光外延片背面的N型GaAs衬底，蒸发N电极；利用激光划片机把制备的芯片划成巴条；对巴条进行腔面镀膜；把镀好腔面膜的巴条切割成单个的管芯；P面向下烧结在热沉上，进行N面电极引线。
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公开(公告)号：CN111355127A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010161864.7
申请日：2020-03-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于倾斜光栅的硅基垂直耦合激光器及其制备方法，其基于倾斜光栅的硅基垂直耦合激光器，自下而上顺次包括：SOI(Silicon on SiO2)芯片、光栅耦合层、多对下布拉格反射镜、III-V族垂直腔激光器谐振腔、III-V族多对上布拉格反射镜和III-V族上欧姆接触层；所述光栅耦合层包括：Si倾斜光栅，SiO2填充层和SiO2间隔层；Si倾斜光栅嵌设于SOI芯片上；SiO2填充层填充Si倾斜光栅所在空隙区域，且SiO2填充层完全覆盖Si倾斜光栅。本公开具有更高的耦合效率和工艺容差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544229A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210036863.5
申请日：2012-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的方法，该方法是在半绝缘GaSb衬底上依次生长P型掺杂的GaSb缓冲层、P型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层、非掺杂的甚长波InAs/GaSb二类超晶格层、N型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层以及N型掺杂的InAs上接触层，得到甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料。利用本发明，由于在界面设计中增加了精心设计的“Sb-soak”和“生长中断”，所以超晶格材料质量进一步得到提高。
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公开(公告)号：CN102534764A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210037639.8
申请日：2012-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法，包括：选择一衬底，作为外延层的承载体；在该衬底上外延生长缓冲层；降温，在该缓冲层上外延生长p型掺杂的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格层；在该p型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层；在该本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层上外延生长n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层；在该n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长n型掺杂的InAs盖层，完成InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长。
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公开(公告)号：CN102569521A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210023049.X
申请日：2012-02-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层，形成外延片；对外延片进行光刻，然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，对外延片进行腐蚀或刻蚀；使用甩胶机在刻蚀后的外延片的表面上涂覆树脂材料；进行曝光；进行中烘，显影，在涂覆树脂材料的外延片上形成上电极和光进入窗口和下电极窗口，制作电极材料；对电极材料进行光刻，形成上电极和下电极；本发明是采用该制作方法钝化的器件具有较低的暗电流，ROA增加；其具有制造工艺不复杂、钝化膜强度大，钝化效果好等特点。
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公开(公告)号：CN102569484A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210027372.4
申请日：2012-02-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 一种InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，包括：一衬底；一缓冲欧姆接触层，制作在衬底上；一第一二类超晶格层，制作在缓冲欧姆接触层上，使缓冲欧姆接触层上面的两侧形成台面；一本征二类超晶格光吸收层，制作在第一二类超晶格层上；一第二二类超晶格层，制作在本征二类超晶格光吸收层上；一欧姆接触层，制作在第二二类超晶格层上；一钝化层，覆盖缓冲欧姆接触层两侧的部分台面、第一二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、第二二类超晶格层和欧姆接触层的侧面，及欧姆接触层上的两侧面，覆盖欧姆接触层的该钝化层的中间有一透光口，覆盖缓冲欧姆接触层的该钝化层两侧的台面上分别有一电极窗口；一上电极，制作在透光口的两侧；一下电极，制作在电极窗口内。
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公开(公告)号：CN101958512B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910088813.X
申请日：2009-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通过腔面镀膜提高量子点激光器温度稳定性的方法，包括如下步骤：步骤1：取一条解理后的量子点激光器芯片；步骤2：通过在所述量子点激光器芯片的非出光端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料，得到具有高反射率的薄膜系统，其中，λ为膜系的中心波长；步骤3：所述量子点激光器的腔面高反射膜系的中心波长与所述量子点激光器的基态激射波长不重合，基态激射波长在反射带宽内，而激发态的激射波长落在反射带宽之外，使得所述量子点激光器的基态反射率高，而激发态的反射率低。
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