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公开(公告)号：CN113270314A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110522423.X
申请日：2021-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3063 , H01L21/3065 , H01L21/268 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , B01J27/24 , B01J35/10 , B01J37/34 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种锥形纳米结构的Ⅲ族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：将掺杂的Ⅲ族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，制备具有纵向纳米孔结构的Ⅲ族氮化物；刻蚀所得纵向纳米孔结构的Ⅲ族氮化物至预设深度，制备具有锥形纳米结构的Ⅲ族氮化物。本发明可成功制备具有锥形纳米结构的Ⅲ族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小、腐蚀时间的长短以及刻蚀过程中的预设刻蚀深度，可实现锥形结构底面直径和高度的调控，方法简单，容易操作。
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公开(公告)号：CN111952330A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010841428.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种可见光通信LED阵列及其制备方法，包括衬底；位于所述衬底上的M个间隔的LED结构，M＞2，所述LED结构包括：台面结构以及位于所述台面结构上的n电极和p电极；位于所述衬底和所述台面结构上的互连线，所述互连线连接于所述M个LED结构中其中一个LED结构的p电极和另一个LED结构的n电极之间；位于所述互连线上的绝缘保护层；以及贯穿所述绝缘保护层的焊点窗口，以暴露出部分所述互连线作为焊点，所述焊点与所述LED结构串联。本发明提供的可见光通信LED阵列可以同时提高调制带宽与光功率，从而提高可见光通信中的信号传输质量。
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公开(公告)号：CN106848016B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201710222145.X
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基多孔DBR的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、n型GaN导电层、交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层，该交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层构成多周期的氮化物外延结构；步骤2：在氮化物外延结构的上表面沉积绝缘介质层；步骤3：通过光刻、腐蚀在绝缘介质层的上表面的一侧形成电极窗口，同时在电极窗口以外区域形成凹槽；步骤4：采用干法刻蚀技术向下刻蚀电极窗口形成电极台面，同时向下刻蚀凹槽以暴露氮化物外延结构的侧壁形成腐蚀凹槽；步骤5：对暴露侧壁的氮化物外延结构进行电化学腐蚀，形成周期性的多孔DBR；步骤6：利用湿法腐蚀去除绝缘介质层，完成制备。
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公开(公告)号：CN106848838B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710220057.6
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片，包括：一衬底；制作在衬底上的缓冲层；制作在缓冲层上的底部多孔DBR层；制作在底部多孔DBR层上的n型掺杂GaN层及外围向下刻蚀形成有台面；制作在n型掺杂GaN层上的有源层；制作在所述有源层上的电子阻挡层；制作在电子阻挡层上的p型掺杂GaN层；制作在p型掺杂GaN层上的电流限制层，其中心形成有电流窗口，且电流限制层覆盖有源层、电子阻挡层和n型掺杂GaN层凸起部分的侧壁；制作在p型掺杂GaN层上的透明电极；制作在n型掺杂GaN层台面上的n电极；制作在透明电极上的p电极，中间形成有凹缺；制作在p电极凹缺内透明电极上的介质DBR层。
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公开(公告)号：CN107135570B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710252486.1
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B33/08 , H04B10/116 , H04B10/50
CPC classification number: Y02B20/343
Abstract: 一种调制带宽可调的可见光通信LED光源，包括：一可见光通信用的LED器件、一隔直流电容和一可调电阻；其中隔直流电容与可调电阻串联，隔直流电容和可调电阻与LED器件并联，所述LED器件的正极和隔直流电容的一端为输入端，所述LED器件的负极和可调电阻的一端为输出端。本发明可以适应不同带宽、不同阻抗特性的LED器件，改善可见光通信光源在极端环境下的通信质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107134448B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710252392.4
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L25/16
Abstract: 一种提高可见光通信LED光源调制带宽的可集成化方法，包括如下步骤：步骤1：在绝缘衬底上的中间制作金属薄膜电阻；步骤2：在金属薄膜电阻的两侧分别制作一个平板电容的下电极板；步骤3：在金属薄膜电阻、下电极板以及绝缘衬底的上方沉积一层绝缘介质层，作为平板电容的中间介质层；步骤4：在绝缘介质层上的中间两侧制作LED贴封所需的正电极和负电极，该正电极和负电极不相连接；步骤5：在正电极和负电极的外侧绝缘介质层上制作平板电容的上电极板，两个上电极板分别同正电极和负电极相连，构成并联均衡电路；步骤6：将LED芯片利用焊球贴封在制备好的正电极和负电极上，完成集成器件的制作。
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公开(公告)号：CN107134448A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710252392.4
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/16
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L25/167
Abstract: 一种提高可见光通信LED光源调制带宽的可集成化方法，包括如下步骤：步骤1：在绝缘衬底上的中间制作金属薄膜电阻；步骤2：在金属薄膜电阻的两侧分别制作一个平板电容的下电极板；步骤3：在金属薄膜电阻、下电极板以及绝缘衬底的上方沉积一层绝缘介质层，作为平板电容的中间介质层；步骤4：在绝缘介质层上的中间两侧制作LED贴封所需的正电极和负电极，该正电极和负电极不相连接；步骤5：在正电极和负电极的外侧绝缘介质层上制作平板电容的上电极板，两个上电极板分别同正电极和负电极相连，构成并联均衡电路；步骤6：将LED芯片利用焊球贴封在制备好的正电极和负电极上，完成集成器件的制作。
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公开(公告)号：CN105609602A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201511005814.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n电极；所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离的P、N电极焊盘；所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电极焊盘电连接。本发明有利于获得高品质因子的短腔长倒装RCLED，从而协同改善LED的频率响应和量子效率，满足光通信用高光效、高带宽的光源需求。
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公开(公告)号：CN103325901B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310193970.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在衬底的背面。本发明可以独立于材料生长过程和干法刻蚀过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合。
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公开(公告)号：CN103364032B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310296013.3
申请日：2013-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G01R31/2635 , G01R31/2642
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法，该系统包括电特性发生及测试装置、多个光特性探测及控制装置、光信号处理分析装置、多个热特性探测装置、中央监控及处理计算机、多通道驱动集成控制装置、多个加速多应力控制装置、多个LED器件模组负载装置。利用本发明，实现了在多应力加速老化环境下同时进行加速老化并原位在线监控测试的功能。
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