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公开(公告)号:CN113707817B
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202110985169.7
申请日:2021-08-26
Applicant: 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池的无机空穴传输层的制备方法,包括步骤:清洗透明导电玻璃,然后将透明导电玻璃在真空干燥烘箱中烘干备用;在透明导电玻璃上采用喷涂法、热蒸镀法或原子层沉积法制备电子传输层;在电子传输层上制备钙钛矿吸收层;钙钛矿吸收层为ABX3型钙钛矿光伏材料;在钙钛矿吸收层上利用磁控溅射制备p‑CuAlO2空穴传输层。本发明的有益效果是:本发明采用p‑CuAlO2作为空穴传输材料,p‑CuAlO2具有良好的光学透明度、化学稳定性和热稳定性,可由廉价、易得和无毒的元素制得,p‑CuAlO2的导电率也高达1S/cm。因此,作为代替Spiro‑OMeTAD的无机空穴传输层材料,p‑CuAlO2具有很大的可开发潜力。
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公开(公告)号:CN117729820A
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202311846735.1
申请日:2023-12-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种2D钙钛矿层的制备方法、钙钛矿太阳能电池及钙钛矿晶硅叠层电池,其中2D钙钛矿层的制备方法具体包括如下步骤:S1、采用热蒸镀方法制备基底层;S2、在步骤S1制得的基底层上旋涂有机阳离子溶液,经过退火结晶处理后得到2D钙钛矿层,本发明通过碘化铅辅助成膜法制备2D钙钛矿层,并应用到叠层器件当中,与现有技术相比,本发明具有如下优点:适用于叠层器件当中,能够在绒面上制备的3D钙钛矿表面制备高质量2D层,解决现有工艺存在的问题。
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公开(公告)号:CN111710746B
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202010558387.8
申请日:2020-06-18
Applicant: 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0747 , H01L51/42
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构,包括:底电池和钙钛矿顶电池;所述底电池为晶硅类‑PERC底电池或晶硅类‑PERT底电池;所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿电池载流子传输层A、钙钛矿吸收层、钙钛矿电池载流子传输层B、透明导电膜和顶电极栅线;所述顶电极栅线位于透明导电膜顶部。本发明的有益效果是:这种钙钛矿/晶硅类‑PREC或钙钛矿/晶硅类‑PERT可以利用目前晶硅PREC或PERT太阳电池的生产线,只需做少量的改进,即可制备出良好的底电池,提高太阳电池效率,降低钙钛矿/晶硅叠层电池的生产成本;本结构可以形成可靠的全表面隧穿结接触,无整流效应;制备工艺完全兼容现有硅电池生产方法,可全表面均匀制备,工艺简单,可靠性强。
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公开(公告)号:CN111994899A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN202010708947.3
申请日:2020-07-22
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开一种垂直结构石墨烯的大面积快速制备方法,包括以下步骤:1)将衬底置于喷射式等离子体的反应腔室内的样品台上;2)将反应腔室抽至真空后通入Ar气,调节反应腔室压力到200-1500Pa后,激发等离子体炬,随后通入H2和含碳反应气体;3)将样品通过样品台在等离子体炬下旋转和/或平移实现垂直结构石墨烯的大面积沉积;本发明通过样品在高能量密度的喷射等离子体下的旋转或平移实现垂直结构石墨烯的大面积制备,大大提高了垂直结构石墨烯的生长速度,减少了时间成本。
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公开(公告)号:CN111710746A
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN202010558387.8
申请日:2020-06-18
Applicant: 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0747 , H01L51/42
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构,包括:底电池和钙钛矿顶电池;所述底电池为晶硅类-PERC底电池或晶硅类-PERT底电池;所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿电池载流子传输层A、钙钛矿吸收层、钙钛矿电池载流子传输层B、透明导电膜和顶电极栅线;所述顶电极栅线位于透明导电膜顶部。本发明的有益效果是:这种钙钛矿/晶硅类-PREC或钙钛矿/晶硅类-PERT可以利用目前晶硅PREC或PERT太阳电池的生产线,只需做少量的改进,即可制备出良好的底电池,提高太阳电池效率,降低钙钛矿/晶硅叠层电池的生产成本;本结构可以形成可靠的全表面隧穿结接触,无整流效应;制备工艺完全兼容现有硅电池生产方法,可全表面均匀制备,工艺简单,可靠性强。
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公开(公告)号:CN105932163B
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201610343877.X
申请日:2016-05-20
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了太阳能电池及其制造方法。具体地,本发明的太阳能电池包含自下而上依次叠加的n GaAs层、主副栅结构、有机功能层和金属层,其中,所述主副栅结构的主栅和副栅的下方具有欧姆接触层,并且,所述副栅及其下方的欧姆接触层由绝缘层完全覆盖,其中,所述主栅作为负电极;所述有机功能层叠加在具有所述副栅的区域的表面上方;所述金属层叠加在所述有机功能层上,作为正电极。本发明的太阳能电池具有更好的性能和更低的制造成本。
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公开(公告)号:CN117153904A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202310875521.0
申请日:2023-07-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: 本发明提供一种太阳电池的金属化电极结构及其制备方法,金属化电极结构包括由内到外设置的种子层、阻挡层、导电层和保护层,所述种子层的材料为镍,所述阻挡层的材料为镍,所述导电层的材料为铜,所述保护层的材料为锡,所述种子层由电镀法沉积,所述阻挡层由化学镀法沉积,所述金属化电极结构用于TOPCon电池。本发明在电镀镍种子层表面形成一层化学镀镍阻挡层,基于化学镀法制备的镍阻挡层为非晶态,镀层表面没有任何晶体间隙,可以很好的阻挡铜的扩散,防止铜扩散到硅中,从而提高TOPCon电池的长期可靠性。
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公开(公告)号:CN110504362B
公开(公告)日:2023-06-16
申请号:CN201910644949.8
申请日:2019-07-17
Applicant: 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及SnO2电子选择传输层的改性方法,包括步骤:1)掺杂剂为无机酸、磺酸、氨基酸或含硫铵盐,掺杂浓度为0.1‑10at%;2)前驱液制备:按所述掺杂浓度将所需掺杂剂加入事先制备好的1‑5wt%浓度的SnO2溶胶中,30‑80W超声震荡30‑60min,使之充分混合,均匀分散;3)薄膜制备:ITO玻璃清洗后紫外臭氧处理,然后在ITO玻璃表面旋涂制备好的掺杂SnO2溶胶;4)薄膜退火。本发明的有益效果是:本发明提出的SnO2电子选择传输层的改性方法,提高了SnO2载流子迁移率和电子抽取能力,减小了SnO2与钙钛矿层的能级失配度,提高了SnO2薄膜光学透过率,提高了钙钛矿层结晶质量和稳定性,提高了钙钛矿电池短路电流、开路电压、填充因子、效率。
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公开(公告)号:CN115911148A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211481267.8
申请日:2022-11-24
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C25D7/12 , C25D3/38 , C25D3/12
Abstract: 本发明提供一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法,硅异质结光伏电池包括准异质结电池片、第一镍种子层、第二镍种子层、第一铜栅线层和第二铜栅线层,准异质结电池片的透明导电氧化物层经过化学溶液处理。本发明利用化学试剂对硅异质结电池表面TCO进行预处理以调节其润湿性及功函数,随后连续电镀Ni种子层及Cu层,并化学镀Sn层,最后退火处理完成电池制备,该金属化方法具有成本低,粘附力好,栅线均匀性好,接触电阻率低等优点,并且工艺简单,适用于大规模工业生产。
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公开(公告)号:CN115064600A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202210499880.6
申请日:2022-05-06
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18 , C23C18/32
Abstract: 本发明提供了一种TOPCon电池的电极结构,包括有背电极和前电极,所述背电极置于晶硅衬底背面的第一钝化层上,所述前电极置于所述晶硅衬底正面的第二钝化层上,所述背电极和所述前电极中任一电极包括镍种子层和铝电极层,所述镍种子层叠加设置在所述第一钝化层或者第二钝化层上,所述铝电极层叠加设置在所述镍种子层上。本发明提供一种TOPCon电池的电极结构,其采用镍种子层与铝电极层的复合金属结构取代现有技术中的银电极,镍种子层能与掺杂多晶硅形成良好的欧姆接触。
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