半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111755405A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010239514.8

    申请日:2020-03-30

    Inventor: 川岛崇功

    Abstract: 本发明公开的半导体装置具备在表面具有电极的半导体元件、以及经由接合材料与该电极接合的端子。半导体元件的电极上设有朝端子凸出并与接合材料接触的凸出部。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110459516A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910342767.5

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,半导体装置具备半导体模块、汇流条及连接部件。半导体模块具有半导体元件及连接于半导体元件的电力端子。半导体模块的电力端子经由连接部件而连接于汇流条。连接部件的熔断电流比电力端子及汇流条的各熔断电流低。即,在电力端子、连接部件及汇流条中流过了相同的过电流时,连接部件比电力端子及汇流条先熔断。

    半导体装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106062950A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201580012369.7

    申请日:2015-01-15

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,具有:半导体元件;第一板状部,其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接,并具备从侧面突起的第一接头部,且由导电体构成;第二板状部,其具备从侧面突起的第二接头部,且由导电体构成,所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置,且经由导电性的接合材料而被电连接,在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处,设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。

    半导体模块
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103081098A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201080068904.8

    申请日:2010-09-02

    Abstract: 半导体模块(1、2、3、4、5)包括:半导体元件(10);布线部件(20、22),其与半导体元件相连接;冷却板(50、501、502、503、504),其为具有半导体元件侧的第一面、和与该第一面为相反侧的第二面的冷却板(50、501、502、503、504),且在第一方向(Y)上的端部处具有结合部(52、521、522、524a+524b);模压部(60),其通过在半导体元件(10)、布线部件(20、22)及冷却板上模压树脂而形成,冷却板的结合部(52、521、522、524a+524b)从模压部中露出,并且,布线部件的端子以在与第一方向(Y方向)大致垂直的第二方向(X方向)上延伸的方式而从模压部中露出。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN108695177A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201810263524.8

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,良好地进行引线框与半导体芯片的定位。是通过使用夹具将半导体芯片连接于引线框来制造半导体装置的方法。所述半导体芯片在一个面上具有主电极。所述引线框具有接合用凸部和在所述接合用凸部的周围配置的由凸形状或凹形状构成的定位部。所述制造方法包括:以在所述接合用凸部与所述夹具之间空出间隔的状态使所述夹具卡合于所述定位部的工序;使所述夹具卡合于所述半导体芯片的工序;及在使所述定位部和所述半导体芯片卡合于所述夹具的状态下,将所述接合用凸部经由焊料连接于所述半导体芯片的所述主电极的工序。

    半导体装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105917463B

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201480064023.7

    申请日:2014-11-11

    Abstract: 一种半导体装置(1),包括:基板(10)、半导体元件(20)、端子(42)以及焊料流出防止部(12x)。所述半导体元件通过第一焊料层(51)固定在基板的一侧上。所述端子通过第二焊料层(53)固定在基板的所述一侧上。所述焊料流出防止部形成于在基板的所述一侧中的半导体元件和端子之间,并且构造为防止第一焊料层和第二焊料层流出。所述焊料流出防止部与所述半导体元件之间的距离长于第一焊料层的厚度。

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