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公开(公告)号：CN106547167B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201610824947.3
申请日：2016-09-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯、制备方法和光掩模。光掩模坯，其包括透明衬底(1)、蚀刻阻止膜(2)、遮光膜(3)和蚀刻掩模膜(4)，在衬底侧上具有相对于曝光光的最多35％的反射率。所述蚀刻阻止膜(2)由邻近所述衬底设置并充当减反射层的第一层(21)和充当耐氟系干蚀刻层的第二层(22)组成，所述第一和第二层的一层为具有压缩应力的层且另一层为具有拉伸应力的层。
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公开(公告)号：CN103424983B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201310182144.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。
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公开(公告)号：CN106324978A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610509880.4
申请日：2016-07-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及无机材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法。能够确保与以往的铬系材料膜同等的特性并且能够提高干蚀刻速度。如果是以0.1原子％以上且11.5原子％以下的浓度范围含有锡的无机材料膜，则可以避免锡局部存在而形成粒子、该粒子成为光学膜中的缺陷的问题。本发明的无机材料膜为通过溅射成膜的包含铬系材料的光掩模坯料用的无机材料膜，该无机材料膜包含具有导电性的遮光层，该遮光层含有0.1原子％以上且11.5原子％以下的锡和15原子％以下的氧。另外，氧浓度的下限例如为3原子％。另外，无机材料膜具有导电性，但利用电阻率进行评价时，优选为5000Ω/cm2以下。
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公开(公告)号：CN104698738A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738666.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
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公开(公告)号：CN102929096B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210412083.6
申请日：2009-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30%，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103424983A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182144.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。
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公开(公告)号：CN103424980A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182376.4
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。设置在透明衬底(1)上的遮光膜(2)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，该遮光膜(2)的光学浓度为2以上且4以下并且具有防反射功能。构成遮光膜(2)的由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。
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公开(公告)号：CN103424984B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201310182559.6
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/62
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中，在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时，功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成，在形成该功能性膜的工序中，使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射：Co‑Sputtering)。另外，除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外，还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。
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公开(公告)号：CN106406022A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610597860.7
申请日：2016-07-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中，能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。
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