公开(公告)号：CN111290213B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202010110602.8

申请日：2015-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  金子英雄 ,  稻月判臣 ,  深谷创一

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/26

Abstract: 提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。

公开(公告)号：CN113867097A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110723451.8

申请日：2021-06-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  金子英雄

IPC: G03F1/68 ,  G03F1/60 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及其制造方法。在包括透明基板和含有过渡金属及硅中的一者或两者的第一无机膜，以及含有过渡金属及硅中的一者或两者的任选第二无机膜的光掩模坯料中，当通过使用Bi的一次离子源和Cs的溅射离子源的TOF‑SIMS在透明基板和无机膜的厚度方向上测定二次离子强度时，在透明基板和无机膜的界面或无机膜的界面处检测的含碳二次离子强度高于分别在远离界面侧检测的含碳二次离子强度两者。

公开(公告)号：CN111308851A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911264530.6

申请日：2019-12-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  笹本纮平 ,  松桥直树

IPC: G03F1/26

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造光掩模的方法。该光掩模坯料用于在通过具有波长为至多250nm的曝光光的图案转印中使用的光掩模的材料，包括透明衬底、在衬底上直接形成的或者以在透明衬底和含铬膜之间插入光学膜的方式形成的含铬膜。含铬膜包括区域(A)，所述区域(A)由含有铬、氧和碳的铬化合物组成，其中在铬化合物中含有的每种元素的含量在区域(A)的厚度方向上连续变化，并且朝向衬底，铬含量提高并且碳含量降低。

公开(公告)号：CN108415218A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810125208.4

申请日：2018-02-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  笹本纮平 ,  由利勉

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/56 ,  G03F1/68

CPC classification number: G03F1/32 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0823 ,  C01B33/06 ,  C22C27/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  G03F1/54 ,  G03F1/84 ,  G03F1/26 ,  G03F1/56 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶。具体涉及一种用于制备包含透明衬底和与其邻接的含铬膜的光掩模坯料的方法，包括通过溅射具有至多1ppm的Ag含量的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当从光掩模坯料制备的光掩模在图案化曝光中被重复用于ArF准分子激光照射时，在光掩模上形成的缺陷数量被最小化。

公开(公告)号：CN105319835A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510458035.4

申请日：2015-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  金子英雄 ,  稻月判臣 ,  深谷创一

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/26

CPC classification number: G03F1/50 ,  G03F1/38 ,  G03F1/84

Abstract: 提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。

公开(公告)号：CN103424981A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310182377.9

申请日：2013-05-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 深谷创一 ,  中川秀夫 ,  笹本纮平

IPC: G03F1/32

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/29 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮光膜(3)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，半色调相移膜(2)由氮氧化硅钼构成。由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。

公开(公告)号：CN114924460A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210025135.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/32

Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。

公开(公告)号：CN106406022B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201610597860.7

申请日：2016-07-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  深谷创一 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/20 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中，能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。

公开(公告)号：CN104698738B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201410738666.7

申请日：2014-12-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  稻月判臣 ,  深谷创一 ,  中川秀夫 ,  金子英雄

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。

公开(公告)号：CN107870507A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710900085.2

申请日：2017-09-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  高坂卓郎 ,  笹本纮平 ,  金子英雄

IPC: G03F1/32

CPC classification number: G03F1/32

Abstract: 本发明为半色调相移掩模坯和半色调相移掩模。提供包括透明基板和在其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯。所述半色调相移膜包括至少一个由硅系材料组成并且具有≤1013Ω/□的薄层电阻的层，所述硅系材料具有≤3at％的过渡金属含量，≥90at％的Si+N+O含量，30-70at％的Si含量，30-60at％的N+O含量，以及≤30at％的O含量。半色调相移膜在曝光于200nm以下的辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化，并且具有耐化学品性和改进的加工性。