公开(公告)号：CN118016517A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410151354.X

申请日：2024-02-02

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 王瑞雪 ,  薛爽 ,  闫辉

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开一种用于清除芯片周围氧化物及渗出助焊剂的方法，包括以下步骤：1.采用大气压低温等离子体射流系统对粘接芯片后的金属框架进行氧化清洗；2.采用含有乙醇的有机溶剂对金属框架进行清洗；3.采用等离子体清洗还原系统对清洗后金属框架表面的氧化层进行等离子体还原；本发明使用等离子体处理金属框架表面氧化层及溢出助焊剂，无需使用大量清水或有害化学试剂冲洗，避免了对环境和人体健康的潜在危害；处理速度快，提高了清洗效率，工艺简单；在处理过程中对芯片及键合区域无损伤，有效保护了芯片的完整性和功能性；在去除助焊剂及氧化层后，等离子体同时改变铜合金框架表面活性，提高了粘接性能和键合工艺的可靠性。

公开(公告)号：CN118326362A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410435955.3

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京化工大学 ,  中国人民解放军陆军装甲兵学院

Inventor： 王瑞雪 ,  薛爽 ,  闫辉 ,  谭俊 ,  陈茜 ,  贺建芸

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/06 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明公开一种大气压温和条件下小口径管件内表面铬基薄膜均匀沉积装置及方法，该装置由高压电源、等离子体多孔羽流装置、中空管件、气瓶、供气管路、流量计、固体加热坩埚、管式加热炉、步进电机构成；沉积方法包括：打开气瓶与流量计，将气体供入到工作气体管路中，打开高压射频电源激励产生高密度均匀的等离子体多孔羽流，设定步进电机带动中空管件螺旋运动，实现等离子体多孔羽流对管件内表面均匀刻蚀清洗；将铬基前驱体装入固体加热坩埚中，打开管式加热炉升温到设定温度；打开流量计，将气体供入到载流气体管路中，铬基前驱体与等离子体中高能电子和活性自由基发生反应裂解与重组，结合管件螺旋运动，实现其内表面铬基涂层的均匀沉积。

公开(公告)号：CN117926229A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410102689.2

申请日：2024-01-24

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 王瑞雪 ,  闫辉 ,  薛爽

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种可采用多源前驱体的等离子体铬基涂层制备装置及方法，该装置由气瓶、供气管路、气压节流阀、流量计、固用流量计、固体加热坩埚、水浴加热锅、集气瓶、液用流量计、前驱体气体、气用流量计、射频电源、管式加热炉、等离子体反应腔体、动力加速器、基底、气体加热器构成；本发明有益效果是提供了一种在大气环境中，可采用固体、液体和气体多源前驱体作为原材料，进行铬基涂层制备的装置及方法，通过动力加速器，提高了喷涂效率，增加了涂层与基底之间的结合力。