半导体工艺腔室以及排液方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119943703A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202311458509.6

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室以及排液方法。其中,半导体工艺腔室包括设置于腔室主体外壁上的第一控温主体;第一控温主体中具有用于供热交换液流动的控温通道,且控温通道具有多条第一管段和第二管段,第一管段的两端分别与高于其端部的管段连接,第二管段位于控温通道的最底端且水平延伸;第一控温主体中还具有辅助排液通道,辅助排液通道与多条第一管段和第二管段连通;半导体工艺腔室还包括设置于辅助排液通道中开关组件;开关组件用于在第一状态时阻挡液体在辅助排液通道中流动;开关组件用于在第二状态时使多条第一管段中的液体通过辅助排液通道流入第二管段中,从而避免积液在低温环境下凝固而导致多条第一管段损坏。

    半导体工艺设备、半导体工艺设备的清洗方法及相关装置

    公开(公告)号:CN119406843A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411545558.8

    申请日:2024-10-31

    Abstract: 本说明书实施例提供了一种半导体工艺设备,该设备包括工艺腔室,循环吹扫装置以及腔室通风装置;其中,腔室通风装置包括进气组件和排气组件;充气组件用于向工艺腔室内通入第一吹扫气体;进气组件用于向工艺腔室内通入第二吹扫气体;第一吹扫气体与第二吹扫气体不同;进气组件单位时间内向工艺腔室内通入气体的流量大于充气组件单位时间内向工艺腔室内通入的气体流量,如此,在对工艺腔室清洁过程中,可以利用循环吹扫装置对工艺腔室进行初步清扫后,利用腔室通风装置提供的较大流量的第二吹扫气体对工艺腔室进行快速清扫,以使内部的目标气体浓度迅速降低至安全值以下,在保障作业人员的健康与安全的情况下,提高腔室清洁的效率。

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