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公开(公告)号：CN112281116B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011018680.1
申请日：2020-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器。薄膜电极制造方法包括：在工艺开始后的第一时长，通入惰性气体轰击预设金属靶材，以在基板表面形成预设金属单质膜层；在第一时长后的第二时长，通入反应气体和惰性气体的混合气体，其中，在通入混合气体的过程中，逐渐减小惰性气体的流量，同时逐渐增大反应气体的流量，以在预设金属单质膜层上形成预设金属单质和预设金属与反应气体的化合物的混合过渡膜层；在第二时长后的第三时长，继续通入反应气体，同时停止输入惰性气体，以在混合过渡膜层上形成预设金属和反应气体的化合物膜层。实现改善金属单质膜层与化合物膜层之间的接触特性，提高电极性能。
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公开(公告)号：CN111058090B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010005973.X
申请日：2020-01-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供的应力可调的金属氮化物硬掩膜的制备方法，通过使用合金靶材进行溅射工艺，可以使沉积在晶圆上的所述金属氮化物硬掩膜达到预设厚度，且使得所述金属氮化物硬掩膜的晶体的生长晶向为预设方向。与现有技术使用单一金属材料靶材溅射相比，上述制备方法在金属氮化物硬掩膜中引入了新的金属原子替代部分原有的金属原子，以在沉积金属氮化物硬掩膜时，引发晶格畸变，从而使金属氮化物硬掩膜的晶体在预设方向上生长，提高薄膜性能，尤其适用于14nn以下制程。
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公开(公告)号：CN110544646A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201811020733.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 一种加热基座、工艺腔室及退火方法，加热基座包括基座主体，基座主体的上表面设有多个凸台，基座主体的上表面设有匀流槽，基座主体内设有气体通道，气体通道的一端与匀流槽连通。保护气体可沿环形的匀流槽扩散到基座主体的整个上表面，从而在基座主体的上表面形成气体保护层，防止有机物进入基片与基座主体之间的缝隙，避免基座主体表面污染。
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公开(公告)号：CN105441876B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201410443115.8
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积设备，其包括传输腔室，以及围绕在传输腔室周围的多套功能腔室，且各套功能腔室均与传输腔室对接；并且，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室和多功能腔室，该多功能腔室既用于将被加工工件在传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺；或者，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室、气锁腔室以及用于对被加工工件进行退火工艺的退火腔室。本发明提供的薄膜沉积设备，其无需在设备之外另设单设退火炉，就可以完成退火工艺，从而不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，进而可以降低设备的生产成本。
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公开(公告)号：CN106555159B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201510628018.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/02
Abstract: 本发明提供了一种基片的加热设备及加热方法，涉及半导体技术领域，能够缩短基片的平均加热去气时长。其中基片的加热设备包括：加热腔室及位于加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置；第一承载装置承载未加热的基片，第一加热装置对未加热的基片进行预加热，第二承载装置承载预加热后的基片，第二加热装置对预加热后的基片进行再加热；或者第二承载装置承载未加热的基片，第二加热装置对未加热的基片进行预加热，第一承载装置承载预加热后的基片，第一加热装置对预加热后的基片进行再加热；当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行，当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108728791A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710277996.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备。该进气机构环绕设置在腔室内的基台周围，基台周围沿基台径向由内向外依次环绕设置有压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构，基台、压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构在腔室内围成工艺区域，进气机构包括调节结构，调节结构位于上屏蔽结构和下屏蔽结构之间，且能沿基台的轴向上下移动，以分别在工艺区域内形成不同路径的进气通道，分别满足不同的工艺要求。该进气机构通过不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域的反应气体的流量不同，从而能够使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求。
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公开(公告)号：CN110544646B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201811020733.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 一种加热基座、工艺腔室及退火方法，加热基座包括基座主体，基座主体的上表面设有多个凸台，基座主体的上表面设有匀流槽，基座主体内设有气体通道，气体通道的一端与匀流槽连通。保护气体可沿环形的匀流槽扩散到基座主体的整个上表面，从而在基座主体的上表面形成气体保护层，防止有机物进入基片与基座主体之间的缝隙，避免基座主体表面污染。
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公开(公告)号：CN112017934A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910470037.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种压力控制方法及系统，用于对传输平台中的腔室进行压力控制，该方法包括以下步骤：S1：对所述腔室进行本底抽气，直至所述腔室的压力达到预设本底压力值；S2：向所述腔室充气，在第一设定时间后停止充气；S3：以预定抽气速度对所述腔室进行抽气，直至所述腔室中的压力达到目标压力值为止。通过本发明，降低了传输平台的压力控制成本。
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公开(公告)号：CN110468377A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810450381.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种腔室及半导体加工设备，在腔室内设置有工艺组件及用于在腔室空闲时烘烤工艺组件的加热装置，还包括温度监控装置，用于监测工艺组件的温度；根据工艺组件的温度，来调节加热装置的输出功率，以将工艺组件的温度维持在目标温度。本发明提供的腔室，其可以避免因工艺组件的温度波动大而造成的颗粒增加，从而可以延长工艺组件清洗周期，提高机台利用率。
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公开(公告)号：CN107513692B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710735705.1
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种制膜方法。该制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求。该制膜方法通过向靶材施加脉冲直流溅射方式，并调节所述脉冲直流功率的占空比和/或功率值，来控制薄膜的沉积速率，实现在高功率下，增加溅射能量但并不增加薄膜的沉积速率，平衡沉积速率和溅射能量的关系，达到增加薄膜的致密性，并适当降低薄膜的沉积速率，延长薄膜工艺时间，增加生产稳定性，获得应力更大的薄膜。
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