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公开(公告)号：CN107808848B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201711223776.X
申请日：2017-11-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本公开提供了一种静电卡盘和半导体设备，支撑组件包括基座和功能部，卡盘本体，通过紧固件固定于基座，卡盘板体包括主体部，主体部背离基座的表面设有凸部，凸部的上表面用于支撑待加工工件；主体部朝向基座的表面设有凹部，凹部和基座构成的空间用于容置功能部和与功能部连接的管线。本公开提高了卡盘本体的结构强度，避免出现烧结不透彻，陶瓷颗粒大小不均匀，影响卡盘本体的强度和力学性能的情况，可有效防止微细裂纹的扩散，增大了卡盘本体的断裂强度，使卡盘本体的强度达到可以抵抗剪切力的程度。
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公开(公告)号：CN118737788A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310314833.4
申请日：2023-03-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种下电极组件、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种下电极结构，包括接口件、承载件、射频馈入件和屏蔽件，承载件用于承载晶圆，接口件包括接口盘，接口盘设于承载件的下方，屏蔽件的一端连接至接口盘，另一端朝向承载件径向外侧弯折，射频馈入件穿设于屏蔽件内，且射频馈入件穿过接口盘后与承载件连接，用于向承载件馈入射频功率，接口盘靠近屏蔽件弯折方向的一侧区域设有多个第一凹槽。本申请解决几何结构不对称影响刻蚀均匀性的问题。
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公开(公告)号：CN115020182A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210724592.6
申请日：2022-06-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种阻抗匹配方法及匹配器，包括：判断等离子体启辉是否成功；若否，则采用预设的启辉算法计算获得阻抗可变元件的调整方向和调整量，并根据调整方向及调整量，调节阻抗可变元件的数值；若是，则根据检测到的阻抗匹配网络的输出端的电压信号、电流信号和角度差信号，计算获得当前的负载阻抗，并根据负载阻抗，获得阻抗可变元件的目标值；根据阻抗可变元件的当前值和目标值，按多个设定步长和与每个设定步长对应的设定速度，分步调节阻抗可变元件的数值，以将负载阻抗从当前的实部值和虚部值同时调节至匹配点对应的实部值和虚部值。本发明提供的阻抗匹配方法，可以实现匹配器的稳定启辉和稳定匹配。
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公开(公告)号：CN107513692B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710735705.1
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种制膜方法。该制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求。该制膜方法通过向靶材施加脉冲直流溅射方式，并调节所述脉冲直流功率的占空比和/或功率值，来控制薄膜的沉积速率，实现在高功率下，增加溅射能量但并不增加薄膜的沉积速率，平衡沉积速率和溅射能量的关系，达到增加薄膜的致密性，并适当降低薄膜的沉积速率，延长薄膜工艺时间，增加生产稳定性，获得应力更大的薄膜。
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公开(公告)号：CN108239761A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611220102.X
申请日：2016-12-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室。本发明公开的磁性靶材组件包括：背板，背板的厚度均匀；磁性靶材，磁性靶材固定于背板，且在磁性靶材的溅射面上设置有凸起的溅射损耗部，用于防止磁性靶材被溅射穿透，从而提高磁性靶材的利用率。本发明公开的溅射腔室包含本发明的磁性靶材组件。本发明还公开了一种制备上述磁性靶材组件的制备方法。本发明公开的磁性靶材组件设置了凸起的溅射损耗部，能够防止磁性靶材被溅射穿透，从而提高磁性靶材的利用率和使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114245560B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202111535794.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种匹配器测试系统及其射频阻抗变换装置。该射频阻抗变换装置包括：输入端、输出端、主线路、主路电容组件、支线路、支路电容组件、支路电感及控制器；主线路连接输入端和输出端，主路电容组件设置于主线路上；支线路的一端连接主线路，另一端接地；支路电容组件和支路电感设置于支线路上；主路电容组件和支路电容组件至少一者包括并联设置的多个固定支路及多个可调支路；控制器与可调支路连接，用于选择性地控制各可调支路的断开或闭合，来切换射频阻抗变换装置提供的不同阻抗值。本申请实施例实现了对匹配器的可变阻抗响应速度进行测试，进而实现了对多个匹配器的一致性进行测试。
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公开(公告)号：CN113838736B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110591137.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种线圈结构，包括至少一组线圈组；线圈组包括第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈缠绕形成环形区域，第一线圈的第一端和第二线圈的第一端均逐渐靠近环形区域的内环，第一线圈的第二端和第二线圈的第二端均逐渐靠近环形区域的外环；第一线圈的第一端与第二线圈的第一端电连接；第一线圈在垂直于线圈结构的轴向的平面形成第一投影，第二线圈在垂直于线圈结构的轴向的平面形成第二投影，且第一投影与第二投影镜像对称。该线圈结构能够产生左右对称分布的电磁场，进而实现形成分布均匀的等离子体，有效提高半导体的刻蚀质量和刻蚀效率。
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公开(公告)号：CN117936346A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211315523.6
申请日：2022-10-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种波形控制器、脉冲电源、离子能量控制装置及半导体工艺设备。波形控制器包括：前向通路和平衡通路；前向通路和平衡通路互相并联连接，以消除所接收到的脉冲信号中的振荡信号。本申请通过波形控制器，可消除脉冲信号上影响离子能量的单峰分布效果的振荡信号，从而提升离子能量的单峰分布效果。
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公开(公告)号：CN115604899A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110776478.3
申请日：2021-07-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司(CN)
Abstract: 本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，该线圈结构包括至少一个线圈组，线圈组包括第一子线圈组和第二子线圈组，第一子线圈组包括位于垂直于线圈组的轴线的第一平面内的至少一个第一平面线圈，第二子线圈组包括位于平行于第一平面的第二平面内的至少一个第二平面线圈，第一平面线圈与第二平面线圈串联，第二平面线圈在第一平面上的正投影与第一平面线圈呈镜像对称或者镜像非对称。本发明提供的用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，可以补偿线圈在径向上的电流分布差异，提高在线圈在其下方产生的耦合能量在径向上的分布均匀性，从而提高等离子体中的自由基及离子密度在径向上的分布均匀性。
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公开(公告)号：CN114420625A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111572096.5
申请日：2021-12-21
Applicant: 西安北方华创微电子装备有限公司 , 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例提供了一种升降针机构、控制方法和半导体工艺设备，所述升降针机构包括：用于支撑晶圆的顶针、用于控制所述顶针升降的升降结构，以及设于所述升降结构内用于检测所述顶针受到的压力的压力传感器；所述方法包括通过获取所述顶针的升起过程中所述压力传感器检测的实际压力值；根据所述实际压力值和预设压力参考信息，控制所述升降结构将所述顶针升起或停止升起。本发明实施例解决了目前升降针机构无法判断晶圆在解吸附流程后是否发生了粘片现象的问题，实现了在解吸附流程后，在线判断晶圆是否发生了粘片，防止了在晶圆发生粘片的情况下，顶针盲目升起而导致晶圆偏移甚至腔室破片的现象。
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