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发明公开
用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备审中-实审

公开(公告)号：CN115604899A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202110776478.3

申请日：2021-07-09

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司(CN)

Inventor： 赵晋荣 , 王松 , 韦刚 , 陈星 , 许金基 , 张郢

IPC: H05H1/46 , H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，该线圈结构包括至少一个线圈组，线圈组包括第一子线圈组和第二子线圈组，第一子线圈组包括位于垂直于线圈组的轴线的第一平面内的至少一个第一平面线圈，第二子线圈组包括位于平行于第一平面的第二平面内的至少一个第二平面线圈，第一平面线圈与第二平面线圈串联，第二平面线圈在第一平面上的正投影与第一平面线圈呈镜像对称或者镜像非对称。本发明提供的用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，可以补偿线圈在径向上的电流分布差异，提高在线圈在其下方产生的耦合能量在径向上的分布均匀性，从而提高等离子体中的自由基及离子密度在径向上的分布均匀性。

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