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公开(公告)号：CN103173730A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110439653.6
申请日：2011-12-23
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射设备及其工艺方法，磁控溅射设备包括装卸腔室、反应腔室以及传输腔室，所述装卸腔室用于装卸被加工工件，在所述反应腔室内设有用以支撑被加工工件的静电卡盘，在所述传输腔室内设有用以在所述装卸腔室和所述反应腔室之间传输所述被加工工件的机械手，其中，用于遮挡所述静电卡盘表面的遮挡盘放置在所述反应腔室外，当需要遮挡所述静电卡盘表面时，所述遮挡盘通过所述机械手被传输至所述静电卡盘的上方，当不需要遮挡所述静电卡盘表面时，再通过所述机械手将所述遮挡盘从所述静电卡盘的上方传输至所述反应腔室外。这不仅可以减小反应腔室的体积，简化磁控溅射设备的结构，而且还可以降低磁控溅射设备的制造成本。
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公开(公告)号：CN104746025A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310738144.2
申请日：2013-12-27
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种溅射装置，包括工艺腔、磁控管和承载基片的基座，所述磁控管和所述基座均设置在所述工艺腔中，且所述磁控管位于所述基座的上方，其中，所述溅射装置还包括磁性组件，所述磁性组件设置在所述工艺腔内的预定位置，以增加该预定位置的磁场强度；所述预定位置根据磁控管和基座之间的靶材的材料来确定。当利用本发明所提供的溅射装置在基片表面沉积膜层时，靶材原子或分子偏向于所述预定位置运动，增加所述预定位置处的膜层的电阻率，从而从总体上改善沉积膜层的电阻率均匀性，进而改善膜层的膜厚均匀性和方块电阻均匀性。
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公开(公告)号：CN104299870B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201310302887.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种线圈支撑装置及等离子体加工设备，其用于支撑位于反应腔室的顶部上方的线圈，其包括屏蔽罩、线圈支架和升降驱动机构，其中，屏蔽罩固定在反应腔室的顶部，线圈及用于固定线圈的线圈支架位于屏蔽罩的内部；升降驱动机构固定在屏蔽罩的顶部上方，用以驱动线圈支架及与之固定连接的线圈相对于反应腔室作升降运动。本发明提供的线圈支撑装置，能够驱动线圈作升降运动而调节线圈相对于反应腔室的高度，从而不仅可以消除线圈可能存在的安装误差和加工误差，而且还可以灵活而准确地调节射频磁场在反应腔室内的分布，进而可以提高工艺的均匀性。
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公开(公告)号：CN104752262A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310750296.4
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 陈春伟
CPC classification number: H01L21/67011 , G01B11/00 , H01L21/67242
Abstract: 本发明涉及遮挡盘检测装置、检测方法、反应腔室及半导体加工设备，其包括第一检测组件、第二检测组件和控制单元；第一检测组件包括多个第一检测装置，第一检测装置检测遮挡盘的与第一检测线路相交的位置和透明窗之间的距离；第二检测组件包括第二检测装置，第二检测装置检测支撑臂的与第二检测线路相交的位置和透明窗之间的距离；控制单元将第一检测装置的检测数据与该第一检测装置对应的预设第一标准数据进行比较，以及将第二检测装置的检测数据与第二检测装置对应的预设第二标准数据进行比较；并确定遮挡盘是否偏离安全位置，且相对于遮挡盘传输装置处于标准位置。在其偏离安全位置和相对于遮挡盘传输装置的标准位置时，可以及时对其进行校正。
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公开(公告)号：CN103173730B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110439653.6
申请日：2011-12-23
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射设备及其工艺方法，磁控溅射设备包括装卸腔室、反应腔室以及传输腔室，所述装卸腔室用于装卸被加工工件，在所述反应腔室内设有用以支撑被加工工件的静电卡盘，在所述传输腔室内设有用以在所述装卸腔室和所述反应腔室之间传输所述被加工工件的机械手，其中，用于遮挡所述静电卡盘表面的遮挡盘放置在所述反应腔室外，当需要遮挡所述静电卡盘表面时，所述遮挡盘通过所述机械手被传输至所述静电卡盘的上方，当不需要遮挡所述静电卡盘表面时，再通过所述机械手将所述遮挡盘从所述静电卡盘的上方传输至所述反应腔室外。这不仅可以减小反应腔室的体积，简化磁控溅射设备的结构，而且还可以降低磁控溅射设备的制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103368908A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210088257.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种网关协议、网关设备及电气设备控制系统。该网关协议用于设备网与串口设备之间的通信，其包括：若判断出接收到的网络数据为设备网输出报文，根据指令代码映射表将设备网输出报文转换为串口设备输出数据，设备网采用整型数进行数据传输；若判断出接收到的网络数据为串口设备输入数据，根据指令代码映射表将串口设备输入数据转换为设备网输入报文。本发明提高了设备网通信效率以及提高了设备网的实时性和可靠性。
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公开(公告)号：CN103422065B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210152625.0
申请日：2012-05-16
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射设备及磁控管控制方法，磁控溅射设备包括反应腔室、靶材、磁控管、驱动机构、磁控管定位单元以及控制装置，驱动机构与控制装置连接，并根据控制装置的控制信号控制磁控管的自转速度和公转速度，磁控管定位单元用于确定磁控管的初始位置，控制装置用于根据初始位置确定磁控管的运转周期，并根据运转周期控制控制驱动机构的自转速度和公转速度，从而在磁控管通过靶材各个位置次数不变的前提下，控制磁控管在靶材单位面积上停留的时间，以提高靶材的刻蚀均匀性。该磁控溅射设备可以提高靶材的利用率，从而降低磁控溅射设备的运行成本；而且可以减少更换靶材的时间，从而提高磁控溅射设备的使用率。
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公开(公告)号：CN105200387A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410286251.0
申请日：2014-06-24
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/54
Abstract: 本发明公开了一种加热控制装置及物理气相沉积设备。该装置包括转动部、驱动装置、固定部、加热件连接部和加热件；加热件连接部包括固定端和加热端，固定端与固定部连接，加热端与加热件连接；转动部在驱动装置的驱动下能够带动加热件在预设圆形范围内移动，且所述移动在所述预设圆形的径向方向上存在位移。其提高去气腔室中基片加热的均匀性，同时也可根据加工需要对基片某一位置进行集中加热，加热控制灵活。
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公开(公告)号：CN105097609A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410240737.0
申请日：2014-05-30
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 陈春伟
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及一种顶针机构、反应腔室及半导体加工设备，上述顶针机构用于在机械手和承载装置之间传输托盘，其包括多个顶针，多个顶针可相对于承载装置在竖直方向上作升降运动，托盘底面上设有环形凹槽，环形凹槽与多个顶针相对应；每个顶针的侧面设有检测装置，检测装置的顶端低于顶针的顶端，且检测装置的顶端和顶针的顶端在竖直方向上的高度差小于托盘底面上环形凹槽的深度。上述顶针机构可以确定托盘相对于顶针机构是否偏离，从而在托盘相对顶针机构偏离的情况下，可以对托盘的位置及时进行校正，防止托盘在传输过程中未被置于承载装置上的指定位置，影响工艺效果。
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公开(公告)号：CN106571284A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510648991.9
申请日：2015-10-09
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 陈春伟
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32477
Abstract: 本发明提供了一种遮挡盘系统、反应腔室及半导体加工设备。该遮挡盘系统用于遮挡承载装置，包括遮挡盘、传送臂和固定件，固定件用于将所述遮挡盘固定在所述传送臂的下方，且所述遮挡盘与所述传送臂之间具有预设垂直间距，在向所述遮挡盘施加向上作用力时所述遮挡盘在所述预设垂直间距内相对所述传送臂上升。本发明提供的遮挡盘系统，可以避免顶针损坏，从而可以降低成本、提高反应腔室和半导体加工设备的可靠性遮挡盘系统。
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