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公开(公告)号：CN114371758B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111407133.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电压电路及芯片，其中，基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块，基准电压提供模块生成正温度系数电流，并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加，得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块，温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压，并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿，使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路，电路结构简单且补偿精度高。
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公开(公告)号：CN114065674A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号：CN112311395B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011287801.2
申请日：2020-11-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明实施例提供一种电荷型SAR ADC的校准方法，属于芯片设计领域。所述电荷型SAR ADC包括：分段的DAC阵列、以及比较器，其中所述分段的DAC阵列包括MSB电容阵列和LSB电容阵列，所述MSB电容阵列和所述LSB电容阵列之间通过比例电容连接，所述方法包括：触发所述比较器执行一次信号采样和一次状态转换后，获取所述比较器的输出；以及根据所述比较器的输出来调整校准电容的大小以执行校准，其中所述校准电容与所述比例电容并列、或者所述校准电容并联于所述LSB电容阵列中。其能够实现电荷型SAR ADC的自动校准。
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公开(公告)号：CN113782528A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111330860.8
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN108628791A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810427403.2
申请日：2018-05-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网新疆电力有限公司检修公司
Abstract: 本发明公开了一种基于PCIE接口的高速安全芯片架构和高速的数据处理方法。所述高速安全芯片架构将总线、CPU、安全存储单元、DMA、密码运算单元以及高速PCIE接口单元均集成在一个芯片上。只需要使用一颗芯片就可以完成安全芯片的全部功能。所述基于PCIE接口的高速安全芯片架构具有集成度高、面积小、成本低、功耗低的优点。
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公开(公告)号：CN114325303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN112491405B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011166014.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03K17/04
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于芯片的基于基准源的加速启动电路，包括：启动电路、偏置电流产生电路、基准电压产生电路，还包括加速启动电路；所述加速启动电路设于偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间，用于将偏置电流产生电路的上电过程与基准电压产生电路的上电过程相隔离，在偏置电流产生电路上电完成后开启基准电压产生电路的上电过程，以阻断在上电过程中偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间的相互干扰。本发明一方面减小电路中参与充电的节点数，避免芯片中整体电路参与启动过程而拖慢启动时间；另一方面阻断上电过程中的过冲对基准电压产生电路的影响，极大的加速了芯片中整体电路的启动速度。
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公开(公告)号：CN112583573B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011306960.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种SM4防故障攻击方法及装置，属于信息安全技术领域。所述方法包括：将主密钥在两个主密钥寄存器中各存储一次；对两个主密钥寄存器中存储的主密钥进行相同的密钥编排，得到对应的两个轮密钥；将两个轮密钥一一对应存储到两个轮密钥寄存器中；使用不同轮密钥寄存器中的轮密钥对输入的分组数据进行运算，根据运算结果判定是否受到故障攻击。该方法将主密钥在不同的两个主密钥寄存器中各存储一次，并对两个主密钥寄存器中的主密钥分别进行密钥编排，编排得到的轮密钥存储在不同的两个轮密钥寄存器中，确保如果一个存储位置的主密钥或轮密钥受到攻击改变，另外一个存储位置的主密钥或轮密钥与其不同，可以通过两次运算的方式，检测出故障。
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公开(公告)号：CN113887025A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111088795.2
申请日：2021-09-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/04 , G06F119/06
Abstract: 本发明提供一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统，属于芯片老化分析领域。所述方法包括：获取芯片上各器件的热网表和第一电网表；根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数；根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。基于热网表和第一电网表进行仿真得到各个器件在工作温度下老化后的电学参数，然后再根据老化后的电学参数仿真得到芯片老化后的性能参数，在进行芯片老化仿真时充分考虑不同器件各自的温度，使得老化仿真结果更准确。
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公开(公告)号：CN113791892A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110875046.8
申请日：2021-07-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明属于芯片设计领域，提供一种数据通路仲裁方法、数据通路仲裁装置及芯片。所述数据通路仲裁方法包括：根据申请者的请求时刻对申请者的请求进行第一级仲裁，获得第一级仲裁的结果数据；根据预设规则对第一级仲裁的结果数据进行第二级仲裁。本发明根据申请者的请求时刻进行第一级仲裁，再根据预设规则进行第二级仲裁，可通过预设规则引入针对具体应用场景的其它仲裁因素，能够满足不同应用场景的需求。
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