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公开(公告)号：CN119330302A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437454.5
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法、MEMS压力传感器及其制备方法，涉及先进制造技术领域。本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法，包括以下步骤：在原始SiC晶圆的表面依次外延n型缓冲层、p型外延层和n型外延层，形成表面层叠有n型缓冲层、p型外延层和n型外延层的SiC晶圆；将Si晶圆与所述n型外延层进行临时键合后对原始SiC晶圆的另一面进行研磨减薄、抛光，得到加工后的SiC晶圆。本发明通过将原始SiC晶圆和Si晶圆键合后进行研磨减薄，避免了对SiC晶圆深刻蚀加工，显著降低SiC晶圆的生产成本和难度；通过抛光提高了SiC晶圆表面的形貌均匀度。
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公开(公告)号：CN119330296A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411440725.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的法布里‑珀罗腔，包括静电驱动器和FP腔，静电驱动器包括基底层、埋氧层以及器件层，器件层包括外框架、固定梳齿、内框架和可动梳齿，固定梳齿以及可动梳齿均具有电极且能够与外部控制电路连接，以在固定梳齿以及可动梳齿之间形成梳齿电容；FP腔包括平行设置的第一面板和第二面板。静电驱动器采用梳齿方式驱动，可以实现对FP腔相对位置的精准驱动与控制，通过对FP腔施加电压，改变FP腔平行的两面板之间的距离，并通过对梳齿电容的检测，实现位置检测，进而实现对FP腔平行的两面板的距离控制。通过先进封装技术，实现电极的引出与各种气氛或真空环境的封装，提高FP腔的实用性。
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公开(公告)号：CN117963832A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410042150.2
申请日：2024-01-11
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于SOI与SiC的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明包括SiC、金属引线、金属电极、氧化硅绝缘层、SOI的器件层、SOI的埋氧层、SOI的基底层和空腔。SOI晶圆由三层结构组成，最上层为器件层，中间层为埋氧层，最下层为基底层。将生长有氧化硅绝缘层的SiC晶圆与SOI晶圆进行键合，SOI晶圆的器件层和SiC晶圆的氧化硅绝缘层通过阳极键合进行永久性结合。抛光、图形化处理后的SiC形成SiC块，将SiC块作为压敏结构。光刻图形化形成金属电极和金属引线。本发明通过采用预定掺杂参数的碳化硅，将碳化硅和载片进行键合，避免对碳化硅的外延和掺杂等二次加工，显著降低碳化硅器件的生产成本和难度。
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公开(公告)号：CN116247401A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310244621.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器及其实现方法，包括波导组件和MEMS位移执行器，波导组件构成一个N阶太赫兹滤波器，MEMS位移执行器至少形成N个位移量可调的MEMS可调谐平面，MEMS可调谐平面通过调节位移量来同步等值改变所述N阶太赫兹滤波器的N个矩形谐振腔的宽度，以实现太赫兹滤波器的中心频率可重构。本发明具有大范围连续调节太赫兹波工作频率的功能，解决了当前太赫兹射频前端系统中工作频率调节困难且频率调节不连续的问题；利用这种MEMS微型可动结构调节太赫兹滤波器的工作频率，解决了当前太赫兹可重构滤波器性能差且体积大的问题；通过同步对称改变太赫兹波导滤波器谐振宽度的方法，实现太赫兹滤波器的工作频率连续可调而工作带宽保持不变。
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公开(公告)号：CN116247401B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310244621.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器及其实现方法，包括波导组件和MEMS位移执行器，波导组件构成一个N阶太赫兹滤波器，MEMS位移执行器至少形成N个位移量可调的MEMS可调谐平面，MEMS可调谐平面通过调节位移量来同步等值改变所述N阶太赫兹滤波器的N个矩形谐振腔的宽度，以实现太赫兹滤波器的中心频率可重构。本发明具有大范围连续调节太赫兹波工作频率的功能，解决了当前太赫兹射频前端系统中工作频率调节困难且频率调节不连续的问题；利用这种MEMS微型可动结构调节太赫兹滤波器的工作频率，解决了当前太赫兹可重构滤波器性能差且体积大的问题；通过同步对称改变太赫兹波导滤波器谐振宽度的方法，实现太赫兹滤波器的工作频率连续可调而工作带宽保持不变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117963831A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410042018.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于SiC膜片的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明包括由Si晶圆制作的基底、P型SiC、N型SiC、刻蚀掩膜层、压敏电阻、体型引线、绝缘层、引线和空腔。采用P型SiC作为传感器压敏芯片的膜片材料。N型SiC位于上层。使用低压热壁化学气相沉积系统在SiC晶圆的Si面外延生长N型外延层。在外延面旋涂光刻胶，图形化刻蚀掩膜层。本发明提供三种制作方法用于制作基于SiC膜片的耐高温MEMS器件。三种方法均Si晶圆作为传感器压敏芯片的基底材料，SiC和硅晶圆进行键合，实现准SiC的压力传感器制作。本发明通过引入硅晶圆能够避免刻蚀SiC，进而降低工艺加工难度，提高MEMS器件的良率，降低成本，发挥SiC的耐高温性能。
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公开(公告)号：CN117848202A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410040998.1
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明提供了一种MEMS微镜的角度和方向检测系统及方法，包括：MEMS微镜，其镜面在信号驱动下进行转动；电极板，设置于MEMS微镜镜面近处，并与MEMS微镜镜面形成电容，在MEMS微镜镜面转动时产生电信号；信号采集电路，用于采集由镜面转动产生的电信号，并进行预处理后送至处理器；以及处理器，用于为提供控制信号以驱动微镜进行转动，以及接收信号采集电路发送的信号，并解析出微镜偏转角度和方向信息。本发明可以稳定提取出高精度的反映微镜偏转角度和偏转方向的位置反馈信号；在不影响微镜转动的情况下实时反馈微镜偏转角度的同时获取微镜当前运动方向，降低了微镜设计和制造工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN117420673A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311345999.9
申请日：2023-10-18
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的基于MEMS微镜的高精度结构光条纹产生系统及方法，属于3D成像技术领域。本发明通过实时检测微镜当前运动的最大偏转角和相位差延时，实时修改微镜的驱动频率，实现MEMS微镜投影视场的稳定，避免温度、湿度等环境的干扰。通过构建MEMS微镜等间隔扫描模型，固定MEMS微镜投影视场，使得仅依靠FPGA即能够实现高精度、高实时性的微镜控制。通过实时对MEMS的变速运动导致相机采集时每一个投影像素的曝光时间不同进行激光电流补偿，使得投影出的结构光条纹精度高、灰度分布均匀。通过对激光驱动电路中激光驱动芯片和激光器的输入输出的非线性进行补偿，使得结构光条纹产生系统能够产生任意光强的激光束，实现高精度的结构光条纹投影。
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公开(公告)号：CN116878657A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310852196.6
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于时间分光的计算式光谱仪及工作方法，属于光谱分析技术领域。本发明包括超透镜、光电探测器、信号处理系统、光收集元件。超透镜能够对入射光聚焦。超透镜光轴上最近焦点与最远焦点之间任意一点的光强由光谱仪工作波段内所有波长信号按预定权重产生。超透镜光轴上最近焦点与最远焦点之间的任意一点上，在该处聚焦的波长信号产生最大权重。光收集元件放置于超透镜中心光轴上，具有固定光通量。光收集元件的入射端口与超透镜之间的距离可调，入射端口位置处于超透镜工作波段内最近焦点与最远焦点之间。通过光电探测器上的单一像元在不同时间依次采集响应信号，计算出原始光谱，解决空间分光方式固有的光谱精度与空间分辨率矛盾。
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公开(公告)号：CN116088165A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211456584.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种二维静电扫描微镜及其制作方法，属于微光机电技术领域。本发明公开的一种二维静电扫描微镜，包括器件层、绝缘层、衬底层。器件层上包括聚合物填充电隔离沟道和开放电隔离沟道。二维静电扫描微镜基于聚合物填充沟道，实现高深宽比沟道的填充，采用与具有电绝缘和机械连接性的聚合物填充沟道，实现对沟道两侧电极的电绝缘和固化机械稳定连接，进而实现二维静电扫描微镜驱动电极间的高电压驱动；此外，采用聚合物一次填充方式实现沟道的无缝隙填充，提高沟道填充效率和成品率，降低二维静电扫描微镜制作成本。利用聚合物具有超低杨氏模量的特性，有效消除沟道内填充物与沟道结构之间的应力失配，提高二维静电扫描微镜工作稳定性。
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