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公开(公告)号：CN116377476A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310269165.8
申请日：2023-03-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25B11/052 , C25B11/031 , C25B11/061 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B9/50
Abstract: 本公开实施例公开了一种催化电极及其制备方法、电解水方法。其中，催化电极包括：金属催化电极本体；位于所述金属催化电极本体表面的表面活性相，所述表面活性相中金属原子的eg轨道的电子数接近1。催化电极的制备方法包括：将金属催化电极本体置于电解水的碱性电解液中；对所述金属催化电极本体施加特定功率的光照；对所述金属催化电极本体施加预设电压后运行，运行过程中，在光照和预设电压的作用下，所述金属催化电极本体表面生成表面活性相。该催化电极能够提高现有电解水用催化电极的活性。
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公开(公告)号：CN115884611B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310153537.0
申请日：2023-02-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本公开实施例提供了一种CsPbI3钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该制备方法包括：在导电衬底上制备电子传输层；在电子传输层表面制备异丁基碘化胺及其衍生物钝化的CsPbI3钙钛矿薄膜；在钝化的CsPbI3钙钛矿薄膜表面制备空穴传输层；在空穴传输层表面制备电极，得到CsPbI3钙钛矿太阳能电池。该CsPbI3钙钛矿太阳能电池的制备方法引入异丁基碘化胺及其衍生物来钝化CsPbI3钙钛矿吸光层表面缺陷，能够抑制载流子复合，提高CsPbI3钙钛矿太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN115835659A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310148866.6
申请日：2023-02-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本公开实施例公开了一种杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该制备方法包括；在导电衬底上沉积电子传输层；在电子传输层表面蒸镀掺有类卤化盐的杂化钙钛矿薄膜；在杂化钙钛矿薄膜表面制备空穴传输层；在空穴传输层表面制备电极，得到杂化钙钛矿太阳能电池。该钙钛矿太阳能电池的制备方法采用蒸镀法制备掺有类卤化盐的杂化钙钛矿薄膜，能够在避免使用有毒有机溶剂的同时提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN107287615B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710431454.8
申请日：2017-06-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明主要属于光电化学解水制氢领域，具体涉及一种钒掺杂氧化锌纳米棒阵列光阳极及其制备方法和在光电化学解水制氢的应用。所述方法为：分别制备获得ZnO籽晶液、钒掺杂溶液、生长溶液；在导电玻璃上旋涂所述ZnO籽晶液，经过匀胶、退火后获得表面覆有ZnO籽晶层的导电玻璃；将所述表面覆有ZnO籽晶层的导电玻璃放入所述钒掺杂溶液和所述生长溶液的混合溶液中进行水热反应，反应结束后用去离子水洗涤，并在马弗炉中退火，得到所述钒掺杂ZnO纳米棒阵列。本发明所提供的钒掺杂氧化锌纳米棒阵列光阳极延长了载流子寿命，降低了电子空穴的复合，提高了光电化学解水性能。
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公开(公告)号：CN109371376A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811474163.8
申请日：2018-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明供了一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法，涉及半导体光电子材料制备技术领域，能够实现对NiO薄膜晶体取向的控制，制备出单一晶体取向的NiO薄膜；该方法采用磁控溅射的方法制备NiO薄膜，其特征在于，在溅射过程中调节溅射气氛、溅射功率、气氛压强、气体流量、基底温度和/或退火温度来实现单一晶体取向的NiO薄膜的制备。本发明供的技术方案适用于单一晶体取向的NiO薄膜的制备过程中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118668235A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410755438.4
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25B11/077 , C25B11/061 , C25B11/054 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种镍基非晶态高熵硼磷化物电极及其制备方法。其中，制备方法包括：对基底泡沫镍进行刻蚀处理，获得具有若干凹坑的泡沫镍，该泡沫镍的外表面包括凹坑外表面和普通外表面；根据氯化铵‑氨水溶液、高熵金属盐制备高熵前驱体溶液；根据第一还原剂、第二还原剂、碱性溶液获得还原溶液；将泡沫镍加到高熵前驱体溶液中，处理获得包含固体的混合溶液，将还原溶液加到该混合溶液中，处理后在室温中静置，获得包含附着于泡沫镍外表面的非晶态高熵硼磷化物的镍基非晶态高熵硼磷化物电极；非晶态高熵硼磷化物在凹坑外表面的附着力大于在普通外表面的附着力。该方法制备的电极，为自支撑式原位一体生长，稳定性强、耐久性好，成本低、操作简单。
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公开(公告)号：CN116169275B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310455695.1
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/02
Abstract: 本发明属于锂离子电池领域，涉及一种锗包覆硅氧复合材料及其制备方法和应用。所述锗包覆硅氧复合材料的制备方法包括将氧化亚硅粉末采用聚合物表面活性剂进行改性得到表面改性氧化亚硅分散液，将二氧化锗溶于碱溶液后调整pH值至6～8，之后与表面改性氧化亚硅分散液混合均匀，所得悬浊液与还原剂混合均匀后进行水热还原反应，过滤，所得滤渣用水洗涤至洗出溶液呈中性后干燥，之后在还原型气氛中进行高温烧结，得到锗包覆硅氧复合材料。本发明以锗包覆硅氧复合材料为负极的锂离子电池与固态电池器件具有高倍率性能与高比容量。
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公开(公告)号：CN115992362B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310294463.2
申请日：2023-03-24
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25B11/031 , C25B1/04 , C25B11/042 , C25B9/00
Abstract: 本公开实施例公开了一种镍电极及其制备方法、电化学电池。其中，镍电极包括：镍电极本体，所述镍电极本体表面具有若干晶界；自所述镍电极本体表面的各晶界处向外延伸的片状羟基氧化镍；部分或全部所述片状羟基氧化镍相互连接呈三维网络状结构。镍电极的制备方法包括：对镍电极本体进行清洗；对清洗后的镍电极本体表面的晶界位置处进行刻蚀；在刻蚀后的晶界位置处生长片状羟基氧化镍，得到镍电极。该镍电极能够在电催化解水过程中，提高工作电极的气泡脱附行为，减轻气泡的粘附。
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公开(公告)号：CN116190620A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310455694.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明属于锂离子电池领域，涉及一种硅锗氧复合材料及其制备方法和应用。所述硅锗氧复合材料的制备方法包括将氧化亚硅粉末和二氧化锗粉末依次分散于溶剂中，再将所得氧化亚硅与二氧化锗的混合液经湿法球磨后在惰性气氛或还原性气氛中于温度700～900℃下进行高温烧结。采用本发明提供的方法所得硅锗氧复合材料可以有效提高电池在高倍率充放电下的可逆比容量与循环稳定性，满足目前对于高倍率、高能量密度的锂离子电池负极材料发展需求，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN107275492B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710357723.0
申请日：2017-05-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及光伏材料领域，提供了一种引入非溶质基溴化物添加剂制备混合卤素钙钛矿的方法，在制备过程中引入非溶质基溴化物添加剂；添加剂引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中；混合卤素钙钛矿材料结构式为ABX3，A为有机阳离子，B为金属离子，X为卤素离子；A离子占据角共享的BX6立方八面体骨架空隙。本发明的有益效果为：在传统的混合钙钛矿制备工艺中引入新型非溶质基溴化物添加剂。非溶质基溴化物的引入不仅将Br元素掺杂到钙钛矿薄膜，而且未改变原钙钛矿溶液中溶质阳离子的化学计量比，为制备混合钙钛矿薄膜提供了新的制备途径。该种方法工艺简单，成本低廉，有助于提高钙钛矿薄膜的稳定性，具有良好的应用前景。
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