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公开(公告)号：CN115833669A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211431962.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种飞机无刷直流发电机电压调节方法、装置和存储介质，所述飞机无刷直流发电机电压调节方法将突加卸大功率或非线性负载所引起的电流突变作为外部干扰，并针对三级式发电机参数不确定性引入H∞控制理论，通过合理选取灵敏度加权函数设计H∞鲁棒控制器。通过仿真验证，本方法在考虑系统模型不确定性影响下，能够有效抑制外部干扰引起的电压波动，提高系统的稳态及动态性能，具备较强的鲁棒性。本发明解决了现有发电机电压调节采用PI控制存在鲁棒性及抗干扰能力差的技术问题。
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公开(公告)号：CN105958852B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610392537.6
申请日：2016-06-03
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了基于电压分区的电流型PWM整流器多级叠流时间控制方法，该控制方法基于电流型PWM整流器，首先设定三个设定值并实时采集网侧线电压；通过把所述网侧线电压值与所述设定值相比，将网侧线电压分为四个电压区域；最后，针对各所述电压区域设定相应的叠流时间；该方法与现有的叠流时间控制方法相比，该叠流时间控制方法能够减小网侧电流的畸变，加速换流速度，减小换流损耗。
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公开(公告)号：CN106100296A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610459751.9
申请日：2016-06-22
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H02M1/088
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M1/088 , H02M2001/0048
Abstract: 本发明公开一种驱动电平组合优化的桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法，电路包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管的栅极间的第一栅极电压图腾柱结构电路、连接在上桥臂的第二供电电源与上管的源极间的第一源极电压图腾柱结构电路、与第一栅极电压图腾柱结构电路连接的第一低阻抗桥臂串扰抑制回路、连接在下桥臂的第三供电电源与下管的栅极间的第二栅极电压图腾柱结构电路、连接在下桥臂的第四供电电源与下管的源极间的第二源极电压图腾柱结构电路，以及与第二栅极电压图腾柱结构电路连接的第二低阻抗桥臂串扰抑制回路。此种驱动电路可充分发挥SiC MOSFET高速开关的性能优势，在实现桥臂串扰抑制功能的同时提高开通及关断瞬间的驱动电压，实现高速开关。
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公开(公告)号：CN109981088B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201811622066.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H03K17/041 , H03K17/12
Abstract: 本发明公开了一种自适应调节SiC MOSFET开关速度的驱动电路，电路包括主驱动电路、栅极电压斜率检测电路、驱动电流调节电路，主驱动电路部分由电压图腾柱结构电路以及驱动电阻构成；栅极电压斜率检测电路部分由一个微分单元和四个比较器单元构成；驱动电流调节电路部分由数字控制芯片以及两个可控电流源构成。本发明提出了一种在传统驱动电路的基础上，通过栅极电压斜率检测结果来动态调节SiC MOSFET开关速度的驱动电路。通过对微分单元和比较器单元的设计，控制SiC MOSFET开关速度处于合理范围内。此种驱动电路在充分发挥SiC MOSFET高速开关性能优势的基础上，提高了器件工作可靠性和效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1845431A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610039695.X
申请日：2006-04-20
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种对峰值电流控制DC－DC变换器进行恒值限流的控制电路，它包括一个输入端与峰值电流控制DC－DC变换器中电压误差放大器的输出端连接的单向开关，单向开关输出端连接两个相串联的分压电阻的中点，其中一个分压电阻的另一端接地，另一个分压电阻的另一端连接一个PNP三极管的发射极，三极管的发射极还通过一个电阻接电源，集电极接地，基极通过一电阻引入斜坡信号。该电路可以有效抵消斜坡补偿电压在不同占空比下对限流的影响，从而实现恒值限流，可在整个占空比范围内消除斜坡补偿带来限流值随占空比变化而变化的现象，使得限流值恒定，降低了变换器开关管电流定额的选取，降低了电路成本，提高了电路工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN112556868B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202011303413.9
申请日：2020-11-19
Abstract: 本发明提供了一种基于组合热敏电参数灵敏度增强的SiC MOSFET结温检测方法，包括以下步骤：采用控制变量法对SiC MOSFET进行温升测试；根据测试数据标定热敏电参数与其相关变量的关系曲线；根据热敏电参数与其相关变量的关系曲线得到拟合方程；对热敏电参数与其相关变量的相关性进行分析，当存在两个热敏电参数与其多个相关变量具有线性关系，并且这两个热敏电参数具有除结温外的同一相关变量，所述同一相关变量与结温对各自热敏电参数相关性的一致性相反时；消去这两个热敏电参数除结温外的同一相关变量。本发明能够在不增加检测变量的同时提高结温检测的灵敏度，有效缓解了单一热敏电参数存在除结温外影响因素多和灵敏度低的问题，提高了SiC MOSFET结温检测精度。
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公开(公告)号：CN109450233A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811451477.6
申请日：2018-11-30
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明提供一种谐振型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法，该电路包括连接在上桥臂的第一正向供电电源和第一负向供电电源之间的第一电压图腾柱结构电路、第一驱动电阻电路、连接在上管栅源极之间第一低阻抗回路、连接在下桥臂的第二正向供电电源和第二负向供电电源之间的第二电压图腾柱结构电路、第二驱动电阻电路和连接在下管栅源极之间的第二低阻抗回路；第一驱动电阻电路的输入端连接第一电压图腾柱结构电路的输出端，输出端连接上管的栅极；第二驱动电阻电路的输入端连接第二电压图腾柱结构电路的输出端，输出端连接下管的栅极；上管与下管连接。该电路可充分发挥SiC MOSFET高速开关的性能优势，在实现桥臂串扰抑制功能的同时能够实现高速开关。
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公开(公告)号：CN105958852A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610392537.6
申请日：2016-06-03
Applicant: 南京航空航天大学
CPC classification number: H02M7/219 , H02M1/12 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明公开了基于电压分区的电流型PWM整流器多级叠流时间控制方法，该控制方法基于电流型PWM整流器，首先设定三个设定值并实时采集网侧线电压；通过把所述网侧线电压值与所述设定值相比，将网侧线电压分为四个电压区域；最后，针对各所述电压区域设定相应的叠流时间；该方法与现有的叠流时间控制方法相比，该叠流时间控制方法能够减小网侧电流的畸变，加速换流速度，减小换流损耗。
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公开(公告)号：CN105958803A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610342325.7
申请日：2016-05-23
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H02M1/088
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M1/088 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明涉及常通型/常断型SiC JFET组合型桥臂功率电路及其控制方法，桥臂功率电路由常通型SiC JFET、常断型SiC JFET、图腾柱结构驱动电路及电流源驱动电路组成；其特点是：能够充分发挥常通型SiC JFET开关速度快及导通损耗小的优势，并利用常断型SiC JFET防止控制电路上电，驱动电路失电故障未提供栅极电压时的桥臂直通现象。常通型/常断型SiC JFET组合型桥臂功率电路可广泛应用于全桥电路及三相桥式电路等典型桥臂电路中。该组合型桥臂功率电路的优点主要体现在低导通损耗、低驱动损耗、快速开关能力及防止桥臂直通现象。
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