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公开(公告)号：CN112071989A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010959059.9
申请日：2020-09-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。所述X射线探测器由钙钛矿单晶以及位于钙钛矿单晶两侧的Au和Ga电极组成。本发明通过改进的缓慢升温方法生长得到FAPbBr3钙钛矿单晶，其是在钙钛矿单晶生长液中先制备籽晶晶粒，之后挑选形状规则的籽晶转移至新配置的溶液中进行继续生长，直至合适大小，完成单晶制备。接着通过蒸镀和黏结的方式制作Au和Ga电极，完成钙钛矿单晶X射线探测器的制备。本发明可以制备出结晶性好、形貌规整FAPbBr3钙钛矿单晶，具有更高的载流子迁移率、更长的载流子寿命和更好的稳定性等优势，因而得到的X射线探测器可以实现电荷传输性能优异、响应速度快、较低的暗电流和噪声，以及极好的稳定性。
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公开(公告)号：CN111740018A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010645536.4
申请日：2020-07-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种宽带、低噪声、超快响应的级联结构有机光电探测器及其制备方法，属于有机光电器件技术领域。由ITO导电玻璃阴极、ZnO阴极缓冲层、PTB7-Th:ITIC底部有源层、MoO3/Ag/PEIE内部复合区、PTB7-Th:FOIC顶部有源层、MoO3阳极缓冲层和Ag阳极组成。全色光照射条件下，内部复合区形成一个复合中心，保证级联结构光电探测的正常工作；单色光照射时，器件内仅有底部或顶部子单元表现出p-i-n结的特性，另一个子单元则等效于导体进行载流子传输，减少器件内界面捕获效应，使器件响应速度提高；暗态条件下MoO3和PEIE分别阻挡来自顶层的电子和来自底层的空穴，有效提高电子和空穴的注入势垒/势阱，使暗电流降低。
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公开(公告)号：CN105487174B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610074010.9
申请日：2016-02-02
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B6/26
Abstract: 一种聚合物柔性的可变光衰减器及其制备方法，属于聚合物光波导柔性器件制备技术领域。本发明首先采用湿法腐蚀制备电极，制备波导与电极间隔层，而后利用突起高度不同的透明紫外纳米压印模板对版，制备凹槽，而后旋涂、固化芯层、包层材料，最后抛光(或采用准分子切割)器件，剥离得到柔性的聚合物可变光衰减器。与现有技术相比具备如下优势：首先制备电极，不会对耐热性不好的波导材料和抛光过程产生影响；采用透明紫外纳米压印过程对版，制备工艺简单、成本低；引入不同高度的模板结构，实现光波导与电极间距的精确控制；与现有抛光技术兼容，且可采用准分子激光器切割器件，无需抛光，快捷简便。
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公开(公告)号：CN111740018B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010645536.4
申请日：2020-07-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种宽带、低噪声、超快响应的级联结构有机光电探测器及其制备方法，属于有机光电器件技术领域。由ITO导电玻璃阴极、ZnO阴极缓冲层、PTB7‑Th:ITIC底部有源层、MoO3/Ag/PEIE内部复合区、PTB7‑Th:FOIC顶部有源层、MoO3阳极缓冲层和Ag阳极组成。全色光照射条件下，内部复合区形成一个复合中心，保证级联结构光电探测的正常工作；单色光照射时，器件内仅有底部或顶部子单元表现出p‑i‑n结的特性，另一个子单元则等效于导体进行载流子传输，减少器件内界面捕获效应，使器件响应速度提高；暗态条件下MoO3和PEIE分别阻挡来自顶层的电子和来自底层的空穴，有效提高电子和空穴的注入势垒/势阱，使暗电流降低。
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公开(公告)号：CN112071989B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010959059.9
申请日：2020-09-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于钙钛矿单晶的X射线探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。所述X射线探测器由钙钛矿单晶以及位于钙钛矿单晶两侧的Au和Ga电极组成。本发明通过改进的缓慢升温方法生长得到FAPbBr3钙钛矿单晶，其是在钙钛矿单晶生长液中先制备籽晶晶粒，之后挑选形状规则的籽晶转移至新配置的溶液中进行继续生长，直至合适大小，完成单晶制备。接着通过蒸镀和黏结的方式制作Au和Ga电极，完成钙钛矿单晶X射线探测器的制备。本发明可以制备出结晶性好、形貌规整FAPbBr3钙钛矿单晶，具有更高的载流子迁移率、更长的载流子寿命和更好的稳定性等优势，因而得到的X射线探测器可以实现电荷传输性能优异、响应速度快、较低的暗电流和噪声，以及极好的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110970564B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911334276.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种以TBA‑Azo材料为界面疏水层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，所述电池由ITO/PTAA/MAPbI3/TBA‑Azo：PCBM/C60/BCP/Cu组成。本发明使用的TBA‑Azo疏水材料将有效的填充三维钙钛矿材料的界面与表面，从而有效阻止三维钙钛矿中有效成分的挥发；另一方面其具有的独特的疏水结构，将使得空气中的水分被阻挡，大大增加了钙钛矿太阳能电池的抗水性。在此基础上，TBA‑Azo作为界面钝化层材料，与PCBM材料共混，将与钙钛矿材料界面与表面中剩余未匹配的Pb离子结合，进而有效消除钙钛矿本身存在的深能级缺陷，从而增加钙钛矿太阳能电池器件的效率。
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公开(公告)号：CN105572795B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510974164.9
申请日：2015-12-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种聚合物矩形光波导与微流控三维集成芯片及其制备方法，属于聚合物光波导三维混合集成芯片制备技术领域。本发明采用压印或二氧化碳激光写入的方法在甲基丙烯酸甲酯基底上制备微流控凹槽和注液孔，在与微流控层同种材料的另一衬底上采用玻璃态转化温度高于甲基丙烯酸甲酯的另一光敏聚合物材料通过湿法刻蚀制备突起的矩形光波导，通过一次热压印把光波导芯层压入甲基丙烯酸甲酯基底内部，使其表层裸露，通过二次热压印把上层微流控通道和下层光波导对准、封装，通过激光对样片端面切割，抛光后完成矩形光波导微流控的三维集成。通过一次压印的方法把湿法腐蚀的光波导压入聚合物衬底内部，且保证表层裸露，实现了湿法腐蚀矩形结构波导在三维集成中的应用，降低了波导的弯曲损耗和散射损耗。
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公开(公告)号：CN108242506B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810013882.3
申请日：2018-01-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有银/金纳米粒子和光子晶体的半透明聚合物太阳能电池及其制备方法，属于有机光电器件技术领域。是由ITO导电玻璃阴极、PFN阴极缓冲层、PTB7‑Th:PC71BM有源层、MoO3/Ag/Au纳米粒子/MoO3复合阳极缓冲层、Ag阳极、[WO3/LiF]2光子晶体组成。MoO3/Ag/Au纳米粒子/MoO3复合阳极缓冲层中，Ag和Au纳米粒子(NPs)选择性地通过局域表面等离子体共振(LSPR)触发近场增强效应，使有源层对太阳光的利用率提高，降低接触电阻，提高MoO3层的空穴传输能力，从而提高器件的能量转换效率；[WO3/LiF]2光子晶体作为光谱调节层，使透射光谱增强和分层，同时使透射光谱平坦，进而提高器件的显色指数。在MoO3层内掺入Ag/Au纳米粒子，可以有效地提高MoO3层的电导率。
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公开(公告)号：CN110970564A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911334276.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种以TBA-Azo材料为界面疏水层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，所述电池由ITO/PTAA/MAPbI3/TBA-Azo：PCBM/C60/BCP/Cu组成。本发明使用的TBA-Azo疏水材料将有效的填充三维钙钛矿材料的界面与表面，从而有效阻止三维钙钛矿中有效成分的挥发；另一方面其具有的独特的疏水结构，将使得空气中的水分被阻挡，大大增加了钙钛矿太阳能电池的抗水性。在此基础上，TBA-Azo作为界面钝化层材料，与PCBM材料共混，将与钙钛矿材料界面与表面中剩余未匹配的Pb离子结合，进而有效消除钙钛矿本身存在的深能级缺陷，从而增加钙钛矿太阳能电池器件的效率。
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公开(公告)号：CN105589129B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510974193.5
申请日：2015-12-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于聚合物光波导与微流控通道集成芯片制备技术领域，涉及微流控通道、掩膜版、光波导的制备和端面处理方法，具体包括采用纳米压印(热压印或紫外压印)的方法在聚合物基底上制备微流控凹槽，二氧化碳激光器切割贯穿注液孔，在芯片上蒸发铝掩膜，旋涂光刻胶，然后整体曝光、显影得到波导掩膜版图形，在与微流控层同种材料的另一衬底上利用光敏性聚合物制备光波导芯层薄膜，将两层芯片通过热压印封装，封装后采用上层微流控芯片作为光掩膜版，在光敏性聚合物芯层薄膜上光写入条形波导，该波导在微流控通道的正下方，避免了集成过程中上层芯片和传感窗口的对版误差，而后通过激光对样片端面切割，抛光后完成光波导微流控免对版集成芯片。
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