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公开(公告)号：CN1380187A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构,包括:一个振动板;一个压电膜;该振动板包括由单晶材料、多晶体材料,掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料,或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层,并且包括将前述层夹在中间的氧化层,该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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公开(公告)号：CN1338377A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电元件结构,包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电腊,其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层,每一层具有钙钛矿结构,并且彼此接触形成或通过中间层层压,薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜,为了形成薄膜,以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比,如此形成的压电膜厚度小,而且表现出很大的压电常数,从而能够可靠地执行其有效微处理。
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公开(公告)号：CN1181977C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02121709.2
申请日：2002-02-09
CPC classification number: B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 一压电结构，包括：一个振动板；一个压电膜；该振动板包括由单晶材料、多晶体材料，掺有与构成单晶材料的元素不同的元素的单晶材料，或者掺有与构成多晶体材料的元素不同的元素的多晶材料构成的一层，并且包括将前述层夹在中间的氧化层，该压电膜具有单一取向的晶体或单晶结构。
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公开(公告)号：CN1296210C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电元件结构，包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电膜，其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层，每一层具有钙钛矿结构，并且彼此接触形成或通过中间层层压，薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜，为了形成薄膜，以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比，如此形成的压电膜厚度小，而且表现出很大的压电常数，从而能够可靠地执行其有效微处理。
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公开(公告)号：CN1669154A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03817137.6
申请日：2003-06-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 海野章
IPC: H01L29/786 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L21/312 , H01L21/3127 , H01L21/31612 , H01L51/0003 , H01L51/001 , H01L51/0012 , H01L51/0055 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 本发明提供了一种有机半导体元件，其具有结晶状态受到控制的汽相沉积并五苯层，且低压驱动时具有高迁移率。通过在衬底102的表面上形成栅极101，在其上形成栅绝缘层103，在栅绝缘层103的表面上形成具有分散和低表面能岛形突起的岛形突起层104，在岛形突起层104上形成之间具有一定距离的源极106和漏极107，在其上形成与岛形突起层104和电极106与107接触的有机半导体层105，以及在有机半导体层105上形成保护膜108，形成有机半导体元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1065144A
公开(公告)日：1992-10-07
申请号：CN92101430.9
申请日：1992-01-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/09
CPC classification number: G03G15/0928
Abstract: 一种显现静电潜像用的显影装置包括一个用于把一种成分的显影剂携带到显影区的显影剂载带部件，在该显影区显影剂被加到静电潜像成像部件上；一个用于调节显影剂载带部件上显影区的显影剂厚度的调节部件；其特征是显影剂载带部件包括一层内含树脂材料的涂层，在树脂材料中分散有细的石墨粒子，以及涂层的表面功函数曲线的斜率不小于10(cps/ev)。
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公开(公告)号：CN100413091C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN03817137.6
申请日：2003-06-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 海野章
IPC: H01L29/786 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L21/312 , H01L21/3127 , H01L21/31612 , H01L51/0003 , H01L51/001 , H01L51/0012 , H01L51/0055 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 本发明提供了一种有机半导体元件，其具有结晶状态受到控制的气相沉积并五苯层，且低压驱动时具有高迁移率。通过在衬底(102)的表面上形成栅极(101)，在其上形成栅绝缘层(103)，在栅绝缘层(103)的表面上形成具有分散和低表面能岛形突起的岛形突起层(104)，在岛形突起层(104)上形成之间具有一定距离的源极(106)和漏极(107)，在其上形成与岛形突起层(104)和电极(106)与(107)接触的有机半导体层(105)，以及在有机半导体层(105)上形成保护膜(108)，形成有机半导体元件。
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公开(公告)号：CN1029163C
公开(公告)日：1995-06-28
申请号：CN92101430.9
申请日：1992-01-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/09
CPC classification number: G03G15/0928
Abstract: 一种显现静电潜像用的显影装置包括一个用于把一种成分的显影剂携带到显影区的显影剂载带部件，在该显影区显影剂被加到静电潜像成像部件上；一个用于调节显影剂载带部件上显影区的显影剂厚度的调节部件；其特征是显影剂载带部件包括一层内含树脂材料的涂层，在树脂材料中分散有细的石墨粒子，以及涂层的表面功函数曲线的斜率不小于10(cps/ev)。
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公开(公告)号：CN1027195C
公开(公告)日：1994-12-28
申请号：CN91110652.9
申请日：1991-09-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/09
CPC classification number: G03G15/0928
Abstract: 一种静电潜象的显影装置，包括一可移动显影剂运载构件，它对置于运载静电潜象的潜象附着装置并有效摩擦充电显影剂使之具有用来显影潜象的极性；调整构件，调整将带到显影区的显影剂层的厚度；电压源，提供一显影偏压给显影剂运载构件；显影剂运载构件包括一基体构件；它有一平均表面粗糙度为1.0-3.0微米的喷砂表面，并在其上有一外层，细小石墨粉粒分散在外层的粘合树脂材料中，外层具有0.8-2.5微米的平均表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN1062606A
公开(公告)日：1992-07-08
申请号：CN91110652.9
申请日：1991-09-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/08
CPC classification number: G03G15/0928
Abstract: 一种静电潜象的显影装置，包括一可移动显影剂运载构件，它对置于运载静电潜象的潜象附着装置并有效摩擦充电显影剂使之具有用来显影潜象的极性；调整构件，调整将带到显影区的显影剂层的厚度；电压源，提供一显影偏压给显影剂运载构件；显影剂运载构件包括一基体构件；它有一平均表面粗糙度为1.0—3.0微米的喷砂表面，并在其上有一外层，细小石墨粉粒分散在外层的粘合树脂材料中，外层具有0.8—2.5微米的平均表面粗糙度。
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