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    半导体装置及其制造方法
    2.
    发明授权
    半导体装置及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN105814481B

    公开(公告)日：2018-09-18

    申请号：CN201480066869.4

    申请日：2014-08-28

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 内田诚一

    IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

    Abstract: 半导体装置(101)包括排列成具有行方向和列方向的矩阵状的多个像素区域(Pix)，多个像素区域(Pix)各自包括：薄膜晶体管(10)，其具有栅极电极(2)、覆盖栅极电极的栅极绝缘层(5)、在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(7A)、以及与氧化物半导体层电连接的源极电极(9s)和漏极电极(9d)；与氧化物半导体层由同一氧化物膜形成的金属氧化物层(7B)；覆盖薄膜晶体管和金属氧化物层的层间绝缘层(13)；和设置在层间绝缘层上，并且与漏极电极电连接的像素电极(15)，金属氧化物层(7B)包括导电体区域(70c)，像素电极(15)隔着层间绝缘层(13)与导电体区域(70c)的至少一部分重叠。

    液晶显示装置
    4.
    发明公开
    液晶显示装置 失效

    公开(公告)号：CN104204927A

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN201380018502.0

    申请日：2013-03-15

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 内田诚一 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  高丸泰 ,  田中耕平 ,  村田充弘 ,  柴崎明 ,  久保木剑

    IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1337

    CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/134309

    Abstract: 液晶显示装置(100)的TFT基板(10)具有：设置在各像素的TFT(11)；与TFT的漏极电极(11d)电连接的上层电极(12)；设置在上层电极的下方的下层电极(13)；和设置在上层电极与下层电极之间的电介质层(14)，相对基板(20)具有与上层电极相对的相对电极(21)。上层电极具有：具有相互不同的电极结构的第一区域(R1)和第二区域(R2)；和用于将第一区域和第二区域电连接到漏极电极的第三区域(R3)。上层电极的第三区域包括对称连接部(12c)，该对称连接部(12c)是具有相对于将各像素分割为沿行方向相邻的两个区域的假想的直线(L1)实质上对称的形状的导电膜图案。

    显示装置和扫描信号线的驱动方法
    5.
    发明公开
    显示装置和扫描信号线的驱动方法 无效

    公开(公告)号：CN103843055A

    公开(公告)日：2014-06-04

    申请号：CN201280048614.6

    申请日：2012-07-25

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 山本薰 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

    IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

    CPC classification number: G09G3/3674 ,  G09G3/3648 ,  G09G2310/0286

    Abstract: 提供一种显示装置，其抑制显示质量的降低和扫描信号线驱动电路内的开关元件的可靠性降低，并且减少了功耗。移位寄存器（410）包括多个双稳态电路。对第奇数级的双稳态电路中的薄膜晶体管（M1）的漏极端子和薄膜晶体管（M2）的栅极端子分别提供第1栅极时钟信号（GCK1）和第2栅极时钟信号（GCK2）。对第偶数级的双稳态电路中的薄膜晶体管（M1）的漏极端子和薄膜晶体管（M2）的栅极端子分别提供第2栅极时钟信号（GCK2）和第1栅极时钟信号（GCK1）。这些第1栅极时钟信号（GCK1）和第2栅极时钟信号（GCK2）的中止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。

    半导体装置和半导体装置的制造方法
    6.
    发明授权
    半导体装置和半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108292685B

    公开(公告)日：2020-10-30

    申请号：CN201680068499.7

    申请日：2016-11-14

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 内田诚一 ,  冈田训明

    IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

    Abstract: 半导体装置(1001)具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(16)，氧化物半导体层(16)包含沟道区域和分别配置在沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；绝缘层，其配置为覆盖氧化物半导体层(16)，具有将漏极接触区域露出的接触孔(CH)；以及透明电极(24)，其在接触孔(CH)内与漏极接触区域接触，当从基板的法线方向观看时，漏极接触区域的至少一部分(R)与栅极电极(12)重叠，在沿沟道宽度方向横切漏极接触区域的至少一部分(R)的任意的截面中，氧化物半导体层(16)的宽度比栅极电极(12)的宽度大，并且栅极电极(12)隔着栅极绝缘层由氧化物半导体层(16)覆盖。

    液晶显示装置
    7.
    发明公开
    液晶显示装置 无效

    公开(公告)号：CN109901332A

    公开(公告)日：2019-06-18

    申请号：CN201811480127.2

    申请日：2018-12-05

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 内田诚一 ,  冈田训明

    IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1339

    Abstract: 一种液晶显示装置，提高具备氧化物半导体TFT的液晶显示装置的开口率。液晶显示装置的第1基板具有：多个栅极配线；多个源极配线；TFT和像素电极，其设置于各像素；第1绝缘层，其覆盖源极配线；以及第1取向膜。第2基板具有遮光层、多个柱状间隔物、以及第2取向膜。TFT的漏极电极是与像素电极由同一透明导电膜形成的透明漏极电极。各柱状间隔物配置于多个栅极配线中的任意一个栅极配线与多个源极配线中的任意一个源极配线交叉的交叉区域。第1绝缘层具有形成于与至少一部分柱状间隔物各自对应的交叉区域的第1开口部。第1基板的液晶层侧的表面具有由第1开口部规定的凹部。至少一部分柱状间隔物各自的前端部位于凹部内。

    液晶显示装置
    8.
    发明公开
    液晶显示装置 有权

    公开(公告)号：CN109581754A

    公开(公告)日：2019-04-05

    申请号：CN201811134318.3

    申请日：2018-09-27

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 冈田训明 ,  内田诚一

    IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1335 ,  G02B27/01

    Abstract: 本发明的课题在于使具有氧化物半导体TFT的液晶显示装置的开口率提高，且抑制纱窗效应。液晶显示装置具有第一基板、第二基板、液晶层、及多个柱状间隔物。像素排列是包含红色、绿色及蓝色像素列的条纹排列。第一基板具有设于各像素中、具有氧化物半导体层的TFT。第二基板具有彩色滤光片层及遮光层。遮光层具有沿列方向延伸的多个第一遮光部和沿行方向延伸的多个第二遮光部。各柱状间隔物以与多个第二遮光部的任一个重叠的方式配置。红色、绿色及蓝色像素列中的至少一个沿列方向交替具有存在多个第二遮光部的任一个的第一像素边界和不存在多个第二遮光部的任一个的第二像素边界，多个第二遮光部配置成锯齿状。

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