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公开(公告)号:CN119725114A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411326524.X
申请日:2024-09-23
Applicant: 安世有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L21/78 , H01L23/495
Abstract: 提供一种制造半导体管芯封装的方法。所述方法包括提供具有子结构和至少一个系杆的引线框,所述子结构包括与所述至少一个系杆电连通的端子形成部分。所述方法包括将管芯结合到所述子结构。所述方法包括将所述子结构和所述管芯包封在包封层内。所述方法包括执行穿过所述端子形成部分和所述包封层的第一切割,以形成侧端子,同时保持所有系杆基本完整。所述方法包括对所述侧端子进行电镀。所述方法包括执行穿过所述系杆和所述包封层的第二切割,以从所述引线框单体化出半导体管芯封装。
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公开(公告)号:CN108010896A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201710931465.2
申请日:2017-10-09
Applicant: 安世有限公司
Inventor: 杨顺迪 , 波姆皮奥·V·乌马里 , 林根伟 , 哈里·马蒂纳斯·马里亚·霍尔斯蒂克 , 斯文·瓦尔兹克 , 梁志豪 , 蒂埃里·简斯
IPC: H01L23/488 , H01L23/49
Abstract: 本申请公开了一种半导体芯片和一种半导体器件,半导体芯片具有形成在多于两个内部层上的内部电路,以及布置在芯片顶表面上的芯片接合焊盘。接合焊盘连接到内部电路,以向内部电路提供输入和输出信号。一条或多条连接线电连接一对或多对芯片接合焊盘,从而限定接合焊盘布局。芯片接合焊盘被布置并且与连接线连接,使得接合焊盘布局是可翻转的,这允许芯片以不同的封装类型(例如,TSSOP或DFN)使用,又维持标准的引脚布置而不需要长的或交叉的接合导线。
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公开(公告)号:CN107492535A
公开(公告)日:2017-12-19
申请号:CN201710439584.6
申请日:2017-06-12
Applicant: 安世有限公司
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/373 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L24/00 , H05K1/0204 , H05K1/0207 , H05K1/0209 , H05K7/10 , H05K7/209 , H01L23/49551 , H01L23/4952
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和用于半导体器件的引线框,所述半导体器件包括:半导体晶片,其具有第一侧面和相对的第二侧面,第一侧面上具有第一端子,第二侧面上具有至少两个第二端子。引线框具有第一部分和第二部分。引线框的第二部分与第一部分电力地和机械地间隔开。半导体晶片的第二侧面附接到引线框,以使得引线框的第一部分和第二部分分别连接到所述至少两个第二端子。引线框的第一部分和第二部分包括相应的第一延伸部和第二延伸部,所述第一延伸部和所述第二延伸部均突出超过半导体晶片的一侧,并且提供与半导体晶片的第一侧面上的第一端子共面的第一端子表面和第二端子表面。该器件利用了半导体晶片的两侧面上的端子。器件的第二侧面出于热性能而暴露。
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公开(公告)号:CN117612946A
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202310781646.7
申请日:2023-06-29
Applicant: 安世有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及在引线框架上制造多个半导体封装组件的制造技术以及使用该方法制造的半导体封装组件。该方法旨在将引线框架上的切单后的半导体封装之间的距离或中间间距减小到等于切割工具的宽度,该宽度显著小于任何已知的模塑包封技术中所需的距离。因此,根据本发明的方法允许在一个工艺步骤上将更多的半导体封装定位在引线框架上。因此,随着每个引线框架表面的半导体封装的数量增加,更多的半导体封装可以在一个工艺步骤中制造和切单,减少了成本和处理时间。
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公开(公告)号:CN118737839A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410349014.8
申请日:2024-03-26
Applicant: 安世有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明提出了一种有引线/无引线功率/MCD封装件或功率模块的制造方法,该制造方法具有简单明确并且耗时较少的处理步骤,并且其中,所实施的连接元件具有减小的RDS(on)特性的简单设计。该方法包括在子步骤i1)中提供引线框架,以及在步骤i2)中在引线框架上提供至少一个半导体管芯结构。在至少一个半导体管芯结构和引线框架的至少两个端子之间形成一个或多个连接元件的步骤i‑3)包括至少一个形成序列,其中子步骤i3‑1)提供金属粉末层,使得金属粉末与至少一个半导体管芯结构和引线框架的至少两个端子中的一个接触;以及子步骤i3‑2),利用激光辐射来选择性熔化金属粉末层以形成金属层。在最后的步骤ii)中,利用模制树脂包封至少一个半导体管芯结构、一个或多个连接元件和多个端子,使至少两个端子的至少一部分露出,从而形成至少一个包封半导体封装件组件。
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公开(公告)号:CN116779571B
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202310767298.8
申请日:2017-10-09
Applicant: 安世有限公司
Inventor: 杨顺迪 , 波姆皮奥·V·乌马里 , 林根伟 , 哈里·马蒂纳斯·马里亚·霍尔斯蒂克 , 斯文·瓦尔兹克 , 梁志豪 , 蒂埃里·简斯
IPC: H01L23/488 , H01L23/49
Abstract: 本申请公开了一种半导体芯片和一种半导体器件,半导体芯片具有形成在多于两个内部层上的内部电路,以及布置在芯片顶表面上的芯片接合焊盘。接合焊盘连接到内部电路,以向内部电路提供输入和输出信号。一条或多条连接线电连接一对或多对芯片接合焊盘,从而限定接合焊盘布局。芯片接合焊盘被布置并且与连接线连接,使得接合焊盘布局是可翻转的,这允许芯片以不同的封装类型(例如,TSSOP或DFN)使用,又维持标准的引脚布置而不需要长的或交叉的接合导线。
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公开(公告)号:CN109979902A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201811510321.0
申请日:2018-12-11
Applicant: 安世有限公司
Inventor: 梁志豪 , 波姆皮奥·V·乌马里 , 杨顺迪
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件结构和制造半导体器件的方法。该半导体器件可包括:半导体晶片,具有顶部主表面、相对的底部主表面和侧表面,所述顶部主表面具有形成在其上的一个或多个电触点;模制材料,其包封半导体晶片的顶部主表面、底部主表面和侧表面,其中模制材料限定具有顶表面和侧表面的封装主体;其中所述多个电触点暴露在所述封装主体的顶表面上,并且金属层布置在所述电触点上并且电连接到所述电触点,并且其中所述金属层延伸到所述封装主体的侧表面并且至少部分地覆盖所述封装主体的侧表面。
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公开(公告)号:CN107808871A
公开(公告)日:2018-03-16
申请号:CN201710806591.5
申请日:2017-09-08
Applicant: 安世有限公司
Inventor: 梁志豪 , 波姆皮奥·V·乌马里 , 杨顺迪 , 林根伟
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/78
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L21/565 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/147 , H01L23/3121 , H01L23/3185 , H01L23/552 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L2224/02371 , H01L2224/03002 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05022 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05582 , H01L2224/05611 , H01L2224/0615 , H01L2224/10145 , H01L2224/26145 , H01L2224/2929 , H01L2224/32225 , H01L2224/838 , H01L2224/8385 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L23/49894 , H01L21/4853
Abstract: 本公开提供了带有可湿润侧翼的晶圆级半导体装置。一种半导体装置包括:半导体晶片,其具有上表面和相对的底面,上表面上形成有一个或多个电触点。模制材料封装所述半导体晶片的所述上表面和至少一部分侧表面。所述模制材料限定具有上表面和侧表面的封装体。开口形成在所述封装体的所述上表面上,并且电触点通过所述开口从所述模制材料部分地暴露出来。金属层形成在所述电触点上方并且通过所述开口电连接到所述电触点。金属层延伸到所述封装体的所述侧表面并且至少部分地覆盖所述封装体的所述侧表面。
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公开(公告)号:CN106876358A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201510919622.9
申请日:2015-12-11
Applicant: 安世有限公司
Inventor: 杨顺迪 , 波姆皮奥·V·乌马里 , 周安乐 , 梁志豪 , 林根伟
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/49572 , H01L21/4825 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/49541 , H01L24/00 , H01L24/96 , H01L2224/73267 , H01L23/495 , H01L21/4846
Abstract: 一种电子元件,包括导电连接层及置于导电连接层上的互相间隔的器件管芯和连接件;器件管芯在与导电连接层接触的一面上具有与导电连接层电性连接的第一连接点,并在其另一面上具有第二连接点;连接件在与导电连接层接触的一面上具有与导电连接层电性连接的第三连接点,并在其另一面上具有第四连接点;第二连接点、第四连接点配置为提供电子元件的对外连接。本发明还提供一种电子元件的制造方法。
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