公开(公告)号：CN114424325A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080067068.5

申请日：2020-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  H·俞 ,  胡可嵩 ,  K·恩斯洛 ,  尾方正树 ,  王文佼 ,  C·Y·王 ,  杨传曦 ,  J·马赫 ,  P·L·梁 ,  Q·E·中 ,  A·杰恩 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  D·帕德希 ,  S·李

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。