公开(公告)号：CN116324022A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070005.X

申请日：2021-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨传曦 ,  H·俞 ,  Y·杨 ,  C·Y·王 ,  A·邱 ,  韩新海 ,  S·G·卡马斯 ,  D·帕德希

IPC: C23C16/34

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15MHz以上的频率下形成。方法还可以包括将氮化硅材料沉积在基板上。

公开(公告)号：CN113924386A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080040111.9

申请日：2020-04-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·本杰明拉吉 ,  G·E·奇可卡诺夫 ,  S·斯里瓦斯塔瓦 ,  S·S·阿迪帕利 ,  N·S·乔拉普尔 ,  A·凯什里 ,  A·邱

IPC: C23C16/455

Abstract: 在一个实例中，一种工艺腔室包括：盖组件、第一气体供应、第二气体供应、腔室主体、以及基板支撑件。所述盖组件包括气体箱、穿过所述气体箱的气体导管、挡板、以及喷头。所述气体箱包括气体分配气室和分配板，所述分配板包括多个孔洞，所述多个孔洞与所述气体分配气室对齐。所述挡板耦接所述气体箱而形成第一气室。所述喷头耦接所述挡板而形成第二气室。所述第一气体供应耦接所述气体分配气室，且所述第二气体供应系统耦接气体导管。所述腔室主体耦接所述喷头，并且所述基板支撑组件设置在所述腔室主体的内部空间内，并且经配置在处理期间支撑基板。

公开(公告)号：CN117321242A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035695.X

申请日：2022-04-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵泽琼 ,  A·邱 ,  S-J·金 ,  A·辛格豪尔 ,  蒋志钧 ,  D·帕德希 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: C23C16/24

Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和惰性气体输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和惰性气体一起提供含氢前驱物。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硅材料。在沉积方法期间可以保持处理区域没有氦输送。

公开(公告)号：CN116711050A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180079746.4

申请日：2021-10-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·辛格豪尔 ,  A·邱 ,  S-J·金 ,  Z·赵 ,  蒋志钧 ,  D·帕德希 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性半导体结构和处理方法可包括形成第一半导体层的第一部分，其特征在于用于蚀刻处理的第一蚀刻速率；形成第一半导体层的第二部分，其特征在于比用于蚀刻处理的第一蚀刻速率更小的第二蚀刻速率；以及形成第一半导体层的第三部分，其特征在于比第二蚀刻速率更大的第三蚀刻速率。所述处理方法可进一步包括穿过第一半导体层蚀刻开口，其中所述开口具有高度和宽度，并且其中所述开口的特征在于所述开口的高度的中点与所述开口的端点之间的宽度变化小于或约为5埃。

公开(公告)号：CN116547795A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180078826.8

申请日：2021-10-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·辛格豪尔 ,  A·邱 ,  Z·赵 ,  S-J·金 ,  蒋志钧 ,  D·帕德希 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: H01L21/687

Abstract: 描述了半导体处理系统和方法，其可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，其中基板处理区域包括静电夹盘。方法可进一步包括由沉积前驱物在静电夹盘上沉积陈化层以形成陈化的静电夹盘。陈化层可以由大于或约3.5的介电常数表征。方法可又进一步包括向陈化的静电夹盘施加大于或约500V的电压。陈化的静电夹盘可以由当施加电压时小于或约25mA的漏电流表征。