公开(公告)号：CN115039202A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180010372.0

申请日：2021-04-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·H·W·余 ,  佐佐木信之 ,  大东和也

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了用于二硅化钴的形成的方法和设备。本公开内容的一些实施方式提供了原位形成二硅化钴的方法。所得膜比通过类似的异位法形成的膜更光滑，并且具有更低的电阻和电阻率。本公开内容的一些实施方式提供了用于在工艺之间无空气间断地执行所述方法的设备。

公开(公告)号：CN117480587A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280042187.4

申请日：2022-06-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·H·W·余 ,  佐佐木信之

IPC: H01L21/285

Abstract: 本公开内容的实施方式大体涉及用于在基板的硅表面上形成或以其他方式产生金属硅化物的方法。示例性的金属硅化物可为或包括硅化钛、硅化钴、硅化镍、硅化钼、或上述各者的合金。在一或多个实施方式中，提供一种形成金属硅化物的方法，且该方法包括在清洁工艺期间从基板移除原生氧化物以露出基板的硅表面，在沉积工艺期间于硅表面上沉积金属层，以及在硅化工艺期间加热包含在含有氢气的工艺区域内的基板，以在基板上由金属层及硅表面产生金属硅化物层。

公开(公告)号：CN117501823A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280040098.6

申请日：2022-06-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·H·W·余 ,  佐佐木信之 ,  雷建新 ,  候文婷 ,  汪荣军 ,  龚则敬

IPC: H10B12/00

Abstract: 本文描述位线堆叠及形成位线堆叠的方法。位线堆叠包含：多晶硅层；在多晶硅层上的粘着层；在粘着层上的阻挡金属层；在阻挡金属层上的界面层；在界面层上的电阻降低层；及在电阻降低层上的导电层。具有电阻降低层的位线堆叠比不具有电阻降低层的可比较的位线堆叠具有低至少5％的电阻。电阻降低层可包括氧化硅或氮化硅。可使用物理气相沉积(PVD)、射频‑PVD、脉冲式‑PVD、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或溅射处理的一者或多者形成电阻降低层。