公开(公告)号：CN105431780B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201480042668.0

申请日：2014-08-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 大西龙慈 ,  水落龙太 ,  西田登喜雄 ,  境田康志 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供能够获得良好抗蚀剂形状的焦点位置具有广范围的抗蚀剂下层膜。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含通过含二环氧基的化合物(A)与含二羧基的化合物(B)的反应而获得的直链状聚合物。该直链状聚合物具有来源于该含二环氧基的化合物(A)或该含二羧基的化合物(B)的由下述(1)、(2)和(3)表示的结构。优选包含通过分别具有式(1)和式(2)的结构的2种含二环氧基的化合物(A)与具有式(3)的结构的含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物、或者包含通过具有式(1)的结构的含二环氧基的化合物(A)与分别具有式(2)和式(3)的结构的2种含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物。

公开(公告)号：CN103460138B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201280014835.1

申请日：2012-03-19

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  境田康志 ,  何邦庆

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供在形成微细图案时不发生图案倒塌的显影液、以及使用该显影液的图案形成方法。作为本发明的解决问题的方法是，一种在光刻工艺中使用的显影液，包含干蚀刻掩模形成用聚合物和有机溶剂。聚合物是与抗蚀剂不同的树脂。是在抗蚀剂的曝光后使用的显影液。显影液是作为乙酸丁酯、或乙酸丁酯与醇的混合溶剂、或2‑戊酮、或2‑戊酮与醇的混合溶剂的显影液。一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：工序(A)，在半导体基板上包覆抗蚀剂而形成抗蚀剂层，并进行曝光；工序(B)，使该抗蚀剂层的表面与显影液接触，在抗蚀剂图案之间形成聚合物层；工序(C)，通过干蚀刻除去抗蚀剂层，形成由该聚合物产生的反转图案。

公开(公告)号：CN102084301B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200980126339.3

申请日：2009-07-23

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 丸山大辅 ,  境田康志 ,  何邦庆 ,  桥本圭祐 ,  藤谷德昌

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02282 ,  C08G77/04 ,  C08G77/60 ,  C08L83/04 ,  G03F7/405 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明的课题在于得到适合于“反式构图”，用于形成覆盖抗蚀图案的膜的理想涂布组合物。为了解决上述课题，使用含有有机聚硅氧烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和季铵盐或季盐的光刻用涂布组合物，或者使用含有聚硅烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和选自交联剂、季铵盐、季盐和磺酸化合物中的至少1种添加剂的光刻用涂布组合物，上述聚硅烷的末端具有硅烷醇基、或该硅烷醇基和氢原子。

公开(公告)号：CN103443711B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201280014532.X

申请日：2012-02-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 境田康志 ,  谷口博昭

IPC: G03F7/40 ,  C08G77/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G77/20 ,  C08K5/09 ,  C09D183/06 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0337 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够用通常在抗蚀剂图案的剥离中使用的有机溶剂进行重新加工的、含有硅原子的图案颠反膜形成用组合物。因而提供了一种含有聚硅氧烷、添加剂和有机溶剂的图案颠反膜形成用组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷具有下述式(1)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元，(式(1)中、R1表示碳原子数1～8的烷基。)(式(2)中、R2表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基，n表示2～4整数。)，并且所述添加剂为具有羧基和/或羟基共至少2个的有机酸，并且提供了使用该组合物而成的图案颠反膜、和颠反图案的形成方法。

公开(公告)号：CN103443711A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280014532.X

申请日：2012-02-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 境田康志 ,  谷口博昭

IPC: G03F7/40 ,  C08G77/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G77/20 ,  C08K5/09 ,  C09D183/06 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0337 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够用通常在抗蚀剂图案的剥离中使用的有机溶剂进行重新加工的、含有硅原子的图案颠反膜形成用组合物。因而提供了一种含有聚硅氧烷、添加剂和有机溶剂的图案颠反膜形成用组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷具有下述式(1)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元，(式(1)中、R1表示碳原子数1～8的烷基。)(式(2)中、R2表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基，n表示2～4整数。)，并且所述添加剂为具有羧基和/或羟基共至少2个的有机酸，并且提供了使用该组合物而成的图案颠反膜、和颠反图案的形成方法。

公开(公告)号：CN101790704B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880104686.1

申请日：2008-08-26

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 今村光 ,  境田康志 ,  中岛诚 ,  竹井敏

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  G03F7/0752

Abstract: 本发明的目的在于得到一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其可以进行均匀涂布，并且抑制热固化时升华物的产生。进一步的目的在于，得到一种用于形成相对于上层抗蚀剂、具有较大的干蚀刻选择比的抗蚀剂下层膜的组合物。本发明提供了一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有聚硅烷化合物和有机溶剂，所述聚硅烷化合物具有下述式(1)所示的结构单元，式中，R1和R2分别独立地表示-X-Y所示的基团，或R1和R2中的一者表示所述-X-Y所示的基团，另一者表示芳基、甲基、乙基或碳原子数3～6的环状烷基，其中，X表示氧原子、碳原子数1～18的亚烷基或-OCnH2n-(式中，n表示1～18的整数。)，Y表示内酯环或金刚烷环。

公开(公告)号：CN102084301A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126339.3

申请日：2009-07-23

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 丸山大辅 ,  境田康志 ,  何邦庆 ,  桥本圭祐 ,  藤谷德昌

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02282 ,  C08G77/04 ,  C08G77/60 ,  C08L83/04 ,  G03F7/405 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明的课题在于得到适合于“反式构图”，用于形成覆盖抗蚀图案的膜的理想涂布组合物。为了解决上述课题，使用含有有机聚硅氧烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和季铵盐或季盐的光刻用涂布组合物，或者使用含有聚硅烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和选自交联剂、季铵盐、季盐和磺酸化合物中的至少1种添加剂的光刻用涂布组合物，上述聚硅烷的末端具有硅烷醇基、或该硅烷醇基和氢原子。

公开(公告)号：CN101790704A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200880104686.1

申请日：2008-08-26

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 今村光 ,  境田康志 ,  中岛诚 ,  竹井敏

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  G03F7/0752

Abstract: 本发明的目的在于得到一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其可以进行均匀涂布，并且抑制热固化时升华物的产生。进一步的目的在于，得到一种用于形成相对于上层抗蚀剂、具有较大的干蚀刻选择比的抗蚀剂下层膜的组合物。本发明提供了一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有聚硅烷化合物和有机溶剂，所述聚硅烷化合物具有下述式(1)所示的结构单元，式中，R1和R2分别独立地表示-X-Y所示的基团，或R1和R2中的一者表示所述-X-Y所示的基团，另一者表示芳基、甲基、乙基或碳原子数3～6的环状烷基，其中，X表示氧原子、碳原子数1～18的亚烷基或-OCnH2n-(式中，n表示1～18的整数。)，Y表示内酯环或金刚烷环。

公开(公告)号：CN106233207B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201580021424.9

申请日：2015-04-14

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 境田康志 ,  西田登喜雄 ,  藤谷德昌 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明提供可以形成密合性优异的所期望的抗蚀剂图案、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构的聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基、苯基、吡啶基、卤代基或羟基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、羟基、卤代基或‑C(＝O)O‑X所示的酯基，X表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基，R3表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或卤代基，R4表示直接结合、或碳原子数1～8的二价有机基团，R5表示碳原子数1～8的二价有机基团，A表示芳香族环或芳香族杂环，t表示0或1，u表示1或2。)。

公开(公告)号：CN106716694B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201580047979.0

申请日：2015-09-04

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  境田康志 ,  坂本力丸

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/13 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/139 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1393

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种粘合剂、包含该粘合剂的电极形成材料和使用该电极形成材料的电极的形成方法，在利用该粘合剂将电极活性物质和导电助剂被覆在集电体上时，被覆在集电体上的电极中的活性物质变为高密度，且与集电体的密合性优异。本发明的解决方法是一种电极形成材料，用于被覆在集电体上，该电极形成材料包含电极活性物质和粘合剂，该粘合剂包含：含有羧基的多糖类、含有羧基的多糖类与环氧化合物的反应生成物、或它们的组合，而且，含有该粘合剂3质量％的水性溶液在25℃下的粘度在20～1500mPa·s的范围。含有羧基的多糖类优选为羧甲基纤维素、藻酸、或其盐。作为电极活性物质，可以使用锂钴复合氧化物、或石墨。作为导电助剂，可以使用碳原料。