公开(公告)号：CN109036474A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810521202.9

申请日：2018-05-28

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 日向慎太朗 ,  齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/64

Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。

公开(公告)号：CN104347088B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410379802.8

申请日：2014-08-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 井上健 ,  清水谦治 ,  黑川刚平 ,  大桥荣久

IPC: G11B5/851 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B5/851 ,  C23C14/08 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/8404

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。

公开(公告)号：CN112930483A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980071668.6

申请日：2019-09-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三 ,  筱龙德 ,  大桥荣久

IPC: G01R33/02 ,  H01L43/00

Abstract: 磁传感器1具备：非磁性的基板10；感应元件31，其层叠于基板10上，由软磁体构成，具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；和一对薄膜磁铁20a、20b，其层叠于基板10上，夹着感应元件31而在长边方向上相对地配置，在感应元件31的长边方向上施加磁场。

公开(公告)号：CN104347088A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410379802.8

申请日：2014-08-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 井上健 ,  清水谦治 ,  黑川刚平 ,  大桥荣久

IPC: G11B5/851 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B5/851 ,  C23C14/08 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/8404

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。

公开(公告)号：CN103943116A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410028681.2

申请日：2014-01-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 井上健 ,  黑川刚平 ,  大桥荣久

IPC: G11B5/851 ,  G11B5/66

CPC classification number: G11B5/851 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/165 ,  C23C14/54 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/738 ,  G11B5/8404

Abstract: 本发明提供磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及磁记录再现装置，该制造方法至少具备如下工序：形成取向控制层（3）的工序，在非磁性基板（1）上形成控制正上方的层的取向性的取向控制层（3）；和形成垂直磁性层（4）的工序，形成易磁化轴相对于非磁性基板（1）主要垂直地取向的垂直磁性层（4），其中，形成取向控制层（3）的工序包括利用溅射法形成具有粒状结构的粒状层的子工序，所述粒状层包含Ru或以Ru为主要成分的材料和熔点为450℃以上且1000℃以下的氧化物，形成垂直磁性层（4）的工序是以与构成取向控制层（3）的晶体颗粒一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使晶体颗粒进行晶体生长的工序。

公开(公告)号：CN109036474B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201810521202.9

申请日：2018-05-28

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 日向慎太朗 ,  齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/64

Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。

公开(公告)号：CN108399925B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201810048861.5

申请日：2018-01-18

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/66

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及磁性层，所述磁性层含有合金，所述合金具有L10型结晶结构且面方位为(001)。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以Al、Ag、Cu、W或Mo为主成分的材料及所述主成分的元素的氧化物、并且所述主成分的元素的氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。

公开(公告)号：CN108399925A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810048861.5

申请日：2018-01-18

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/66

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及磁性层，所述磁性层含有合金，所述合金具有L10型结晶结构且面方位为(001)。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以Al、Ag、Cu、W或Mo为主成分的材料及所述主成分的元素的氧化物、并且所述主成分的元素的氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。

公开(公告)号：CN108231092A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711376704.9

申请日：2017-12-19

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 长谷川浩太 ,  大桥荣久

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/706 ,  G11B5/72 ,  G11B5/84

Abstract: 一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含碳化物的粒状结构的磁性层。所述碳化物是所述磁性颗粒中所含的元素的碳化物。

公开(公告)号：CN108346437B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201810039987.6

申请日：2018-01-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/66

Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。