公开(公告)号：CN113053422A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011388537.1

申请日：2020-12-02

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 山口健洋 ,  福岛隆之 ,  张磊 ,  柴田寿人 ,  徐晨 ,  小柳浩 ,  梅本裕二

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/73 ,  G11B5/706

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。

公开(公告)号：CN109979492B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201811365060.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 室伏克己 ,  石桥圭孝 ,  福岛隆之 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  徐晨 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC: G11B5/716 ,  G11B5/851 ,  G11B5/82 ,  C23C14/34

Abstract: 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。

公开(公告)号：CN110517709A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910397007.4

申请日：2019-05-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  徐晨 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC: G11B5/00 ,  G11B5/127 ,  G11B5/706

Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。

公开(公告)号：CN109036474A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810521202.9

申请日：2018-05-28

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 日向慎太朗 ,  齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/64

Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。

公开(公告)号：CN108461094A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810145330.8

申请日：2018-02-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  福岛隆之 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/73

Abstract: 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。

公开(公告)号：CN104240729B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410244285.3

申请日：2014-06-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 神边哲也 ,  丹羽和也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

Abstract: 一种磁记录介质，具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的FePt合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为含TiO2底层。

公开(公告)号：CN104347087A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410363017.3

申请日：2014-07-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 张磊 ,  神边哲也 ,  村上雄二 ,  丹羽和也

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/73

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/65

Abstract: 一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。

公开(公告)号：CN104282318A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410312115.4

申请日：2014-07-02

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 神边哲也 ,  丹羽和也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/73

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/314 ,  G11B5/65 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/82 ,  G11B20/10 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/0024 ,  G11B2020/10898

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储装置。该磁记录介质具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。

公开(公告)号：CN115206349A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210330080.1

申请日：2022-03-31

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 徐晨 ,  黑川刚平 ,  张磊 ,  福岛隆之 ,  茂智雄 ,  齐藤伸

IPC: G11B5/82 ,  G11B5/84 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明的课题在于提供能够具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层的磁记录介质的制造方法。本发明涉及的磁记录介质的制造方法包括下述工序：对于基板的表面，使用包含氧化镁的靶标，通过溅射法，形成氧化镁基底层的工序；以及在上述氧化镁基底层的表面侧形成磁性层的工序，在上述形成氧化镁基底层时，将上述包含氧化镁的靶标加热至600℃以上。

公开(公告)号：CN111916114B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202010376998.0

申请日：2020-05-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 徐晨 ,  张磊 ,  福岛隆之 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  丹羽和也 ,  茂智雄 ,  根本广明 ,  梅本裕二 ,  小柳浩

IPC: G11B5/667

Abstract: 提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述磁性层包含具有L10结构的合金。所述底层包含第1底层和第2底层，所述第1底层包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范围内，所述第2底层包含具有BCC结构的材料。所述第2底层形成在所述第1底层和所述基板之间。所述磁记录再现装置具有所述磁记录介质。