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公开(公告)号：CN108346437B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810039987.6
申请日：2018-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108305645B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201711430804.5
申请日：2017-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7006 , C22C19/07 , C22C27/06 , C22C2202/02 , G11B5/653 , G11B5/7325
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108305645A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711430804.5
申请日：2017-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7006 , C22C19/07 , C22C27/06 , C22C2202/02 , G11B5/653 , G11B5/7325 , G11B5/731 , G11B5/70605 , G11B5/725 , G11B5/851
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108242244A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711336207.6
申请日：2017-12-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B5/851 , G11B11/10589 , G11B5/70605 , G11B5/70626 , G11B5/725 , G11B5/73 , G11B5/8404
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以W为主成分的材料和氮化物并且所述氮化物的含量在1mol％～80mol％的范围内的结晶质层。所述氮化物包括从Al、B、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo及W组成的组中选择的1种以上的元素的氮化物。
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公开(公告)号：CN107527633A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710439941.9
申请日：2017-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/82
CPC classification number: G11B5/1875 , G11B5/398 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/706 , G11B5/70615 , G11B5/716 , G11B5/73 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质，包括：衬底；基底层，其形成在所述衬底上；以及(001)取向的L10磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括第一磁性层和第二磁性层，其中，所述第一磁性层形成在所述基底层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含C，并且所述第二磁性层形成在所述第一磁性层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含氧化物或氮化物，所述第二磁性层还包含选自由Mg、Ni、Zn、Ge、Pd、Sn、Ag、Re、Au及Pb构成的组的一种以上的元素作为添加物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104575530A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410558092.5
申请日：2014-10-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B11/10584 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其包括基板；磁性层，其以具有L10型晶体结构的合金为主成分；以及多个衬底层，其布置在所述基板与所述磁性层之间。所述多个衬底层包括至少一个结晶衬底层，所述结晶衬底层具有(100)取向，并且包括W来作为主成分、以及选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的一种或多种元素。
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公开(公告)号：CN101218632A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680025096.0
申请日：2006-07-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法，以及包含这种磁记录介质的磁记录和再现装置。通过赋予理想的摇摆曲线的半值宽度(Δθ50)来对晶体取向进行很好的控制，能够提高生长在软磁性衬层的表面上的磁性层的膜层质量，以及能够获得可以抑制TA的产生并能实现高密度记录的SNR。所述磁记录介质包括在非磁性基底上形成的软磁性衬层、取向控制层、垂直磁记录层、以及保护层；其中，所述软磁性衬层的磁性各向异性比(Hmr/Hmc)为1或更小，所述Δθ50为1到6度。所述软磁性衬层形成在所述非磁性基底的主表面上，其中，所述主表面使用抛光带和含有胶态氧化硅研磨颗粒的浆体，通过片式纹理处理设备，一次一块基底地进行了抛光。
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公开(公告)号：CN109979492B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811365060.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
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公开(公告)号：CN109036474A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
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公开(公告)号：CN108461094A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810145330.8
申请日：2018-02-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。
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