公开(公告)号：CN118715592A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022045.6

申请日：2023-02-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊莱·钱 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  希瓦·沙兰·班达里 ,  伊恩·约翰·科廷 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  詹森·亚历山大·瓦内尔 ,  科迪·巴奈特 ,  克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨 ,  达斯汀·扎卡里·奥斯丁

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 利用电介质材料填充间隙的方法，其包括在沉积期间使用抑制等离子体。该抑制等离子体提高已沉积膜的成核屏障。该抑制等离子体在特征的顶部附近选择性地产生相互作用，以相比于特征的底部而抑制特征的顶部处的沉积，强化自下而上的填充。处理室可以具有多个压强开关，从而能够在沉积过后利用比沉积期间更高的压强进行处理。

公开(公告)号：CN117677730A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280051167.3

申请日：2022-06-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿维尼什·古普塔 ,  弗兰克·L·帕斯夸里 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  希瓦·沙兰·班达里 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  巴特·简·范施拉芬迪克

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40

Abstract: 各种实施方案包括用于提高例如原子层沉积(ALD)产生的膜在衬底的表面上的沉积速率的方法。在一示例性实施方案中，所述方法包括：将衬底放置在沉积室中；将前体气体引入沉积室中；从沉积室中排出剩余的前体气体分子的至少一部分；对沉积室中的衬底施加射频(RF)转化；执行等离子体物质RF清扫；以及在包括以下操作中的一个或更多个期间将氢气(H2)气体引入沉积室中：将前体气体引入沉积室中；从沉积室中排出剩余的前体气体分子的所述至少一部分；对沉积室中的衬底施加RF转化步骤；以及执行等离子体物质RF清扫。公开了其他方法。

公开(公告)号：CN118786512A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380024050.0

申请日：2023-02-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 张涛 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  希瓦·沙兰·班达里 ,  詹尼弗·利·佩特拉利亚

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 有助于无空隙自下而上的间隙填充的间隙中介电材料的原子层沉积(ALD)会涉及在ALD处理期间使反应抑制剂流动。在一些实施方案中，反应抑制剂在等离子增强ALD(PEALD)处理的等离子操作的至少一部分期间流动。

公开(公告)号：CN115428122A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180026997.6

申请日：2021-03-31

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 ,  伊恩·约翰·科廷 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  塞沙萨耶·瓦拉达拉简 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  杰里米·大卫·菲尔兹 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  希瓦·沙兰·班达里

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  H01L21/762 ,  H01L27/115

Abstract: 用介电材料填充间隙的方法包括在沉积期间使用抑制剂等离子体。抑制剂等离子体增加了沉积膜的成核障碍。当抑制剂等离子体与特征中的材料相互作用时，特征底部的材料接受的等离子体处理比靠近特征顶部的材料或位于场内的材料少。然后，特征顶部的沉积被选择性地抑制，而特征的下部分的沉积则以较少的抑制或不被抑制的方式进行。因此，自下而上的填充得到加强，这可以创建一个倾斜的轮廓，以减轻接缝效应并防止空隙形成。在一些实施方案中，特征顶部的底层材料使用集成衬垫进行保护。在一些实施方案中，在间隙填充过程中使用氢气化学反应，以减少接缝的形成。

公开(公告)号：CN114746577A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080084320.3

申请日：2020-12-03

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿维尼什·古普塔 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  拉维·库马尔 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  希瓦·沙兰·班达里

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  H01L21/033

Abstract: 一种控制器包括：累积确定器，其被配置为确定指示处理室内的表面上的材料累积量的第一累积值；和压强控制器，其被配置为获得所述第一累积值，获得与蚀刻步骤相关的设定点压强和所述蚀刻步骤的持续时间中的至少一者，以及为了在所述蚀刻步骤期间控制所述处理室内的所述压强，基于(i)所述第一累积值和(ii)所述设定点压强和所述蚀刻步骤的所述持续时间中的至少一者来调整控制参数。

公开(公告)号：CN114127890A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201980098159.2

申请日：2019-07-03

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 苏陈妙妙 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  希瓦·沙兰·班达里 ,  普尔凯特·阿加瓦尔 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  巴特·J·范施拉芬迪克

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了在原子层沉积(ALD)的交替循环期间使用长和短转换时间的沉积薄膜的方法和装置。实施方案涉及在多循环ALD处理的一个或多个循环中将ALD循环的转换持续时间交替。一些实施方案涉及在两或多个ALD循环中配料、清扫、压强、等离子体功率或等离子体能量的调整。