公开(公告)号：CN1477677A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03133128.9

申请日：2003-07-24

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/073 ,  G03F1/26 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  Y10T117/1004

Abstract: 本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置，其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1，11，12，13，14，15)，以便基于来自该照明系统(2)的光，在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小，并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布；以及一成像光学系统(3)，将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。

公开(公告)号：CN1492477A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03158410.1

申请日：2003-09-09

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0734 ,  G02B5/02 ,  G02B5/3083 ,  G03F1/28 ,  G03F1/34 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明提供一种结晶装置，具备：照明系统(2)，照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件(1)，该相位转换构件(1)包括以形成直线边界的方式邻接、且以第1相位差透过从照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域，该相位转换构件(1)对照明光进行相位调制，以便光强度具有在与边界相对应的非单晶半导体膜上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布。相位转换构件(1)还具有微小区域，从边界朝第1和第2区域的至少一方扩展，以第2相位差对第1和第2区域的至少一方透过从照明系统(2)来的照明光。

公开(公告)号：CN1467568A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03110416.9

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 辻川晋 ,  谷口幸夫 ,  山口弘高 ,  松村正清

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70075 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70366

Abstract: 本发明提供一种曝光方法及装置，其目的是降低支撑光罩及具有感光材的被曝光物的支撑机构移动的驱动机构所承受的物理性负荷，并将驱动机构制作成简单的结构。本发明的曝光方法，包含：使来自曝光用光源的至少部分光，入射到支撑在支撑机构的光罩的入射步骤；使来自光罩的透过光，从与入射到光罩的光入射方向不同的方向入射到支撑于支撑机构的感光材，并使前述透过光成像在感光材的成像步骤；旋转支撑机构，使来自光源的光得以沿着圆周方向变化其入射在光罩的照射位置的旋转步骤；在支撑机构的旋转中，使照射到光罩及感光材的光的照射位置在旋转面内，朝着与圆周方向不同的方向变化的照射位置变更步骤。

公开(公告)号：CN1476059A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03147124.2

申请日：2003-06-27

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012

Abstract: 一种晶化设备，包括照射移相掩模(1)的发光光学系统(2)，其用具有反转峰型强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)以产生结晶半导体膜，反转峰型强度分布在相应于移相掩模(1)的移相部分的点具有最小的光强。会聚/发散元件(3)设置在发光光学系统(2)和移相掩模(1)之间的光径上。会聚/发散元件(3)把自发光光学系统(2)提供的光束转换为具有向上凹入强度分布的光束以照射移相掩模(1)，其中在移相部分光强最低并且随着远离移相部分光强增加。

公开(公告)号：CN100352005C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN03809603.X

申请日：2003-03-19

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/066 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S117/90 ,  Y10S117/904 ,  Y10S117/905 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一种结晶装置包括照射一块移相掩模版(1)的照明系统(2)和布置在所述移相掩模版和一层半导体膜(4)之间的光学路径中的图像形成光学系统(3)。用具有反向峰值图形部分的光强分布的光束照射所述半导体膜，所述光强分布的光强在对应于移相区的部分中最低以形成结晶半导体膜。该照明系统具有提供给定波长范围的光束的一个光源。所述图像形成光学系统设置成使所述移相掩模版和所述半导体膜光学地共轭，并具有对应于所述给定波长范围的像差，以形成在所述中间部分没有强度隆起的反向峰值图形部分的光强分布。

公开(公告)号：CN100343947C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN03158410.1

申请日：2003-09-09

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0734 ,  G02B5/02 ,  G02B5/3083 ,  G03F1/28 ,  G03F1/34 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明提供一种结晶装置，具备：照明系统(2)，照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件(1)，该相位转换构件(1)包括以形成直线边界的方式邻接、且以第1相位差透过从照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域，该相位转换构件(1)对照明光进行相位调制，以便光强度具有在与边界相对应的非单晶半导体膜上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布。相位转换构件(1)还具有微小区域，从边界朝第1和第2区域的至少一方扩展，以第2相位差对第1和第2区域的至少一方透过从照明系统(2)来的照明光。

公开(公告)号：CN1259596C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN03120289.6

申请日：2003-03-05

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 辻川晋 ,  谷口幸夫 ,  山口弘高 ,  松村正清

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70058 ,  G03F7/70216 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70358

Abstract: 本发明的目的，是在于将用以支持屏蔽以及感光材所需的空间更为缩小。本发明的曝光方法包括：使来自曝光用光源的光的至少一部分，入射到支持于支持装置的前述屏蔽的入射步骤；以及引导来自前述屏蔽的反射光，使其成像在支持于前述支持装置的前述感光材，从与光源的光入射到前述屏蔽的入射方向不同的方向接收该反射光的成像步骤。

公开(公告)号：CN1249527C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN03110416.9

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 辻川晋 ,  谷口幸夫 ,  山口弘高 ,  松村正清

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70075 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70366

Abstract: 本发明提供一种曝光方法及装置，其目的是降低支撑光罩及具有感光材的被曝光物的支撑机构移动的驱动机构所承受的物理性负荷，并将驱动机构制作成简单的结构。所述方法包括：将来自光源机构的部分光源光从第一光路入射到由支撑机构支撑的光罩并从该光罩透射；通过成像光学机构将透射出光罩的光从和第一光路轴对称并与该轴平行的第二光路入射到由支撑机构支撑的感光材上；使支撑机构围绕所述轴旋转，从而使从第一光路入射到所述光罩以及从第二光路入射到感光材上的照射位置沿着圆周方向变化；支撑机构每旋转一次，通过照射位置变更机构变更成像光学机构的位置，使从第一光路入射到所述光罩以及从第二光路入射到感光材上的照射位置沿圆周的直径方向同时相靠近轴心或远离轴心的方向变化。

公开(公告)号：CN1480982A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03148959.1

申请日：2003-06-30

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: G03B21/56 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012

Abstract: 一种晶化装置，包括：光照系统(2)，照射相移掩模(1)，并以具有反转峰值型光强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)，该反转峰值型光强度分布在对应于相移掩模(1)的相移部分的点具有最小光强度，以便制备结晶的半导体膜；波前分离元件(3)，设置在光照系统(2)和相移掩模(1)之间的光路上；波前分离元件(3)，将光照系统(2)提供的光束波前分离为多个光束，并且在对应的相移部分或该部分附近会聚这些波前分离的光束。

公开(公告)号：CN101452960A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810175142.6

申请日：2006-04-03

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 山口弘高 ,  松村正清 ,  谷口幸夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管、集成电路和液晶显示装置。本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。本发明提供一种薄膜晶体管，包含：在玻璃基板上的结晶化的半导体薄膜上设置的源区和漏区；在上述半导体薄膜上在上述源区和漏区间设置的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上设置的栅电极；在上述栅电极、上述源区和漏区上设置的第2绝缘膜；以及在该第2绝缘膜中设置的、设置有用于与上述栅电极、上述源区和漏区的至少一个取得电接触的导电体层的接触孔，其特征在于：上述接触孔的剖面形状是长方形状，该接触孔的剖面形状的长边方向的长度尺寸大于等于其短边方向的长度尺寸的1.4倍。