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公开(公告)号:CN107962492A
公开(公告)日:2018-04-27
申请号:CN201711338838.1
申请日:2013-05-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B57/02
Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法,研磨装置具有:基板保持装置(1),具有将基板W相对研磨面(2a)按压的基板保持面(45a)以及配置为包围基板W且与研磨面(2a)接触的保持环(40);旋转机构(13),使基板保持装置(1)以其轴心为中心旋转;至少一个局部负荷施加机构(110),向保持环(40)的一部分施加局部负荷。保持环(40)能够和基板保持面(45a)独立地倾斜运动,局部负荷施加机构(110)不和基板保持装置(1)一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法,能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。
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公开(公告)号:CN104942699A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510148861.9
申请日:2015-03-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/32 , B24B37/005 , B24B37/015 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC classification number: B24B37/015 , B24B37/32 , B24B37/345 , B24B49/003 , B24B49/105 , B24B49/12 , B24B37/005 , B24B37/10
Abstract: 本发明提供一种可抑制基板保持部件的保持环形状的每个保持环的偏差和经时变化所带来的研磨外形的重现性下降。该研磨装置具有:研磨头(1),该研磨头将基板(W)按压到研磨垫(101)上并具有将被按压到研磨垫(101)上的基板(W)包围的挡环(3);测定用传感器(51),该测定用传感器对挡环(3)的表面形状进行测定;以及控制部(500),该控制部根据由测定用传感器(51)测定的挡环(3)的表面形状来决定基板(W)的研磨条件。
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公开(公告)号:CN103447939B
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201310216923.6
申请日:2013-05-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/005 , B24B7/228 , B24B37/042 , B24B37/07 , B24B37/32 , B24B49/16
Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法,研磨装置具有:基板保持装置(1),具有将基板W相对研磨面(2a)按压的基板保持面(45a)以及配置为包围基板W且与研磨面(2a)接触的保持环(40);旋转机构(13),使基板保持装置(1)以其轴心为中心旋转;至少一个局部负荷施加机构(110),向保持环(40)的一部分施加局部负荷。保持环(40)能够和基板保持面(45a)独立地倾斜运动,局部负荷施加机构(110)不和基板保持装置(1)一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法,能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。
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公开(公告)号:CN104942704A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510136596.2
申请日:2015-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30 , B24B37/10 , H01L21/687
CPC classification number: B24B37/30 , B24B7/228 , B24B37/10 , H01L21/68714 , H01L21/68721
Abstract: 本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备:抵接于基板的抵接部(11);从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h);及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g),第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b),上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸,下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。
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公开(公告)号:CN109093507B
公开(公告)日:2021-08-03
申请号:CN201810965484.1
申请日:2015-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30 , B24B37/32 , B24B37/10 , B24B7/22 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备:抵接于基板的抵接部(11);从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h);及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g),第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b),上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸,下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。
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公开(公告)号:CN104942699B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201510148861.9
申请日:2015-03-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/32 , B24B37/005 , B24B37/015 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC classification number: B24B37/015 , B24B37/32 , B24B37/345 , B24B49/003 , B24B49/105 , B24B49/12
Abstract: 本发明提供一种可抑制基板保持部件的保持环形状的每个保持环的偏差和经时变化所带来的研磨外形的重现性下降。该研磨装置具有:研磨头(1),该研磨头将基板(W)按压到研磨垫(101)上并具有将被按压到研磨垫(101)上的基板(W)包围的挡环(3);测定用传感器(51),该测定用传感器对挡环(3)的表面形状进行测定;以及控制部(500),该控制部根据由测定用传感器(51)测定的挡环(3)的表面形状来决定基板(W)的研磨条件。
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公开(公告)号:CN107962492B
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201711338838.1
申请日:2013-05-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B57/02
Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法,研磨装置具有:基板保持装置(1),具有将基板W相对研磨面(2a)按压的基板保持面(45a)以及配置为包围基板W且与研磨面(2a)接触的保持环(40);旋转机构(13),使基板保持装置(1)以其轴心为中心旋转;至少一个局部负荷施加机构(110),向保持环(40)的一部分施加局部负荷。保持环(40)能够和基板保持面(45a)独立地倾斜运动,局部负荷施加机构(110)不和基板保持装置(1)一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法,能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。
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公开(公告)号:CN104942704B
公开(公告)日:2018-10-02
申请号:CN201510136596.2
申请日:2015-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30 , B24B37/10 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备:抵接于基板的抵接部(11);从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h);及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g),第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b),上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸,下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。
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公开(公告)号:CN103447939A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201310216923.6
申请日:2013-05-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/005 , B24B7/228 , B24B37/042 , B24B37/07 , B24B37/32 , B24B49/16
Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法,研磨装置具有:基板保持装置(1),具有将基板W相对研磨面(2a)按压的基板保持面(45a)以及配置为包围基板W且与研磨面(2a)接触的保持环(40);旋转机构(13),使基板保持装置(1)以其轴心为中心旋转;至少一个局部负荷施加机构(110),向保持环(40)的一部分施加局部负荷。保持环(40)能够和基板保持面(45a)独立地倾斜运动,局部负荷施加机构(110)不和基板保持装置(1)一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法,能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。
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公开(公告)号:CN111376171B
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN201911309643.3
申请日:2019-12-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供一可精确控制基板的周缘部的研磨轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置(1)具备:用于支承具有研磨面(2a)的研磨垫(2)的研磨台(3);具有按压面(45a)的可旋转的头主体(11);与头主体(2a)一起旋转同时用以压靠研磨面的挡圈(20);旋转环(51);固定环(91);及用于向固定环(91)施加局部载荷的多个局部载荷施加装置(30A、30B)。局部载荷施加装置(30A、30B)包含连接至固定环(91)的第一按压构件(31A)和第二按压构件(31B)。第一按压构件(31A)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的上游侧,第二按压构件(31B)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的下游侧。
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