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    基板处理装置及基板处理方法
    1.
    发明授权
    基板处理装置及基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN113211299B

    公开(公告)日：2024-04-16

    申请号：CN202110153214.2

    申请日：2021-02-04

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 高田畅行 ,  安田穗积

    IPC: B24B37/07 ,  B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/34

    Abstract: 本发明提供适当与研磨中的基板的被研磨面的状态对应而提高被研磨面的研磨的均匀性的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包含：用于支持基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨被支承于工作台的基板的研磨垫(222)的垫保持件(226)；用于使垫保持件相对于基板升降的升降机构；用于使垫保持件在基板的径向上摆动的摆动机构；用于支承被摆动机构而摆动到工作台的外侧的研磨垫的支承部件(300A、300B)；及用于在研磨基板时调整支承部件(300)的高度和该支承部件相对于基板的距离中的至少一方的驱动机构(310、320)。

    研磨装置
    3.
    发明授权
    研磨装置 有权

    公开(公告)号：CN107962492B

    公开(公告)日：2019-09-27

    申请号：CN201711338838.1

    申请日：2013-05-31

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介

    IPC: B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02

    Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法，研磨装置具有：基板保持装置(1)，具有将基板W相对研磨面(2a)按压的基板保持面(45a)以及配置为包围基板W且与研磨面(2a)接触的保持环(40)；旋转机构(13)，使基板保持装置(1)以其轴心为中心旋转；至少一个局部负荷施加机构(110)，向保持环(40)的一部分施加局部负荷。保持环(40)能够和基板保持面(45a)独立地倾斜运动，局部负荷施加机构(110)不和基板保持装置(1)一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法，能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。

    基板保持装置及研磨装置
    4.
    发明授权
    基板保持装置及研磨装置 有权

    公开(公告)号：CN104786139B

    公开(公告)日：2018-12-14

    申请号：CN201510027839.9

    申请日：2015-01-20

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 安田穗积 ,  福岛诚 ,  锅谷治 ,  岸本雅彦

    IPC: B24B37/32

    Abstract: 本发明提供一种基板保持装置及研磨装置，该基板保持装置具有：顶环主体(10)，该顶环主体具有对基板进行保持并将该基板按压到研磨面上的基板保持面；以及挡环(40)，该挡环围住基板地配置且与研磨面接触，该基板保持装置具有传动环(41)，该传动环具有：在下表面保持挡环(40)的环部件；配置在顶环主体(10)的中心部且支承于顶环主体(10)的中心部件(41C)；以及将环部件(41R)与中心部件(41C)予以连结用的连结部，传动环(41)由第一材料和纵弹性系数比该第一材料小的第二材料构成。采用本发明，对从挡环传递到顶环主体的振动进行衰减，由此可减轻顶环整体的振动。

    弹性膜、基板保持装置及研磨装置
    5.
    发明授权
    弹性膜、基板保持装置及研磨装置 有权

    公开(公告)号：CN104942704B

    公开(公告)日：2018-10-02

    申请号：CN201510136596.2

    申请日：2015-03-26

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介 ,  锅谷治 ,  富樫真吾 ,  山木晓 ,  矶野慎太郎

    IPC: B24B37/30 ,  B24B37/10 ,  H01L21/687

    Abstract: 本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备：抵接于基板的抵接部(11)；从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h)；及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g)，第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b)，上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸，下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。

    研磨装置以及研磨方法
    7.
    发明公开
    研磨装置以及研磨方法 有权

    公开(公告)号：CN103447939A

    公开(公告)日：2013-12-18

    申请号：CN201310216923.6

    申请日：2013-05-31

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介 ,  锅谷治 ,  富樫真吾 ,  山木晓

    IPC: B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

    CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B7/228 ,  B24B37/042 ,  B24B37/07 ,  B24B37/32 ,  B24B49/16

    Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法，研磨装置具有：基板保持装置（1），具有将基板W相对研磨面（2a）按压的基板保持面（45a）以及配置为包围基板W且与研磨面（2a）接触的保持环（40）；旋转机构（13），使基板保持装置（1）以其轴心为中心旋转；至少一个局部负荷施加机构（110），向保持环（40）的一部分施加局部负荷。保持环（40）能够和基板保持面（45a）独立地倾斜运动，局部负荷施加机构（110）不和基板保持装置（1）一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法，能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。

    基板处理装置
    9.
    发明授权
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN113001394B

    公开(公告)日：2024-07-12

    申请号：CN202011504421.X

    申请日：2020-12-18

    Applicant: 株式会社荏原制作所

    Inventor： 高田畅行 ,  安田穗积

    IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B27/00 ,  B24B47/20 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  B24B53/017 ,  B24B55/06 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

    Abstract: 本发明为基板处理装置、基板处理方法及基板研磨方法，无论基板的直径的公差如何都提高基板的被研磨面的研磨的均匀性。基板处理装置包括：用于支承基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨垫(222)的垫保持件(226)，而该研磨垫用于对支承在工作台(100)上的基板(WF)进行研磨；用于使垫保持件摆动的摆动机构；用于支承通过摆动机构而向工作台(100)的外侧进行摆动的研磨垫的支承部件(300A、300B)；用于测量基板(WF)的直径的测量器(400)；以及根据由测量器(400)测量出的基板(WF)的直径来调整支承部件相对于支承在工作台(100)上的基板(WF)的位置的驱动机构(320)。

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