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公开(公告)号：CN109860388B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201910020336.7
申请日：2019-01-09
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明属于薄膜材料技术领域，为了解决目前的薄膜材料相变速度慢和稳定性差的问题，本发明公开了一种多层相变薄膜及制备方法和应用，其中，所述的多层相变薄膜包括交替层叠的单层(C3H3N)n薄膜层和单层Sn27Sb73薄膜层，所述的单层(C3H3N)n薄膜层的厚度为10‑200nm，所述的单层Sn27Sb73薄膜层的厚度为10‑200nm，所述的多层相变薄膜总厚度为150‑250nm。本发明的多层相变薄膜具有相变速度快，稳定性高的优点。
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公开(公告)号：CN110010764B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910146588.4
申请日：2019-02-27
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法和应用。CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料，包括CH薄膜材料和Sb薄膜材料，且CH薄膜材料和Sb薄膜材料交替排列，其中CH薄膜材料为聚乙炔；采用磁控溅射法，以CH靶和Sb靶为溅射靶材，交替沉积CH薄膜材料和Sb薄膜材料得到。本发明所得CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料具有较低的热导率和较高的加热效率，从而降低器件的功耗；而且具有较佳的柔性性能，可以作为柔性存储器的潜在材料，可以应用在高稳定相变存储器中。
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公开(公告)号：CN109273596B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201810902452.7
申请日：2018-08-09
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明涉及一种微电子领域的材料，具体涉及一种用于高速相变存储器的ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料。ZnSb薄膜和GaSb薄膜交替排列，其中，单层ZnSb薄膜的厚度为1～10nm，单层GaSb薄膜的厚度为1～10nm，所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜总厚度为2～100nm。利用类超晶格结构的特殊性，可以减少加热过程中的热量散失，降低薄膜的整体热导率，从而提高相变速度。其次，利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度。
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公开(公告)号：CN109920910B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910146148.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明涉及一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法，本发明材料是多层复合膜结构，由V2O5层和Ge2Sb2Te5层交替沉积在柔性基层材料上，将Ge2Sb2Te5层和V2O5层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge2Sb2Te5层沉积在前一个交替周期的V2O5层上方。由于材料沉积在柔性基层材料上表现出较好的塑性形变特性，在柔性存储应用中有巨大潜力；在拉伸量为5.62％材料发生弯折的情况下仍具有明显的非晶态‑晶态可逆相变过程及较快的相变速度、较好的热稳定性、较高的数据保持能力，适用于高温环境下的数据存储；该材料的相变性能可通过加入的V2O5层厚度以及周期数进行有效调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110103549A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910284646.X
申请日：2019-04-10
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明属于光学薄膜领域，具体涉及一种对红外光有高反射效果的多层隔热窗膜及其制备方法。一种高反射多层隔热窗膜，其结构包括依次叠加的PET封层、第一反射层、第二反射层、第三反射层、第四反射层、第五反射层、第六反射层、第七反射层、第八反射层、第九反射层、第十反射层、第十一反射层、第十二反射层、第十三反射层、第十四反射层和PET基底层。通过磁控溅射方法制备得到。本发明通过光学干涉增强的原理，将红外光中不同波长的光形成反射干涉相长，从而达到减弱透射的效果，实现了对红外光(800～1500nm)的高反射效果，其透过率仅为8％。
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公开(公告)号：CN109817807A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811600536.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明属于微电子薄膜材料技术领域，具体涉及一种类超晶格ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料由ZnSb薄膜层和SiO2薄膜层交替沉积复合而成，其中ZnSb薄膜层的厚度为1-10nm，SiO2薄膜层的厚度为1-10nm，ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料总厚度为2-100nm。本发明制备的薄膜材料具有较好的热稳定性、较低的功耗和较快的相变速度，是理想的相变存储材料。
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公开(公告)号：CN109817806A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811600466.X
申请日：2018-12-26
Applicant: 江苏理工学院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用，该材料通过磁控溅射交替沉积ZnSb和SiO2层，在纳米量级复合而成，其结构符合下列通式：[ZnSb(a)/SiO2(b)]x，本发明的ZnSb/SiO2复合相变薄膜材料利用复合结构的特殊性，减少热量散失，降低薄膜的整体热导率，提高加热效率、降低功耗；利用复合结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度，最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗，再次，柔性PET衬底的使用可以改变相变材料的柔性度，获得具有市场前景的柔性相变薄膜。
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公开(公告)号：CN106374041B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610851411.0
申请日：2016-09-26
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括Sb70Se30薄膜材料和SiO2薄膜材料，结构通式为[(Sb70Se30)(a)/(SiO2)(b)]n，其中：a表示单层Sb70Se30薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤10；b表示单层SiO2薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤5；n表示单层Sb70Se30薄膜和单层SiO2薄膜的交替周期数，并且n为任一正整数。本发明的Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗。
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公开(公告)号：CN109285944A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810903430.2
申请日：2018-08-09
Applicant: 江苏理工学院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种微电子领域的材料，具体涉及一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料，ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料主要用于快速相变存储器。ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料中ZnSb薄膜和GaSb薄膜交替排列，其中，单层ZnSb薄膜的厚度为1～10nm，单层GaSb薄膜的厚度为1～10nm，所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜总厚度为3～150nm。通过交替溅射沉积ZnSb层和GaSb层，在纳米量级复合而成。具有减少热量散失，降低薄膜的整体热导率，提高加热效率、降低功耗，在提高热稳定性的同时加快相变速度，最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗。
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