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公开(公告)号：CN111020592A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911127856.4
申请日：2019-11-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于提高集成电路钌互连线抛光去除速率的抛光液及其制备方法；抛光液包括下述组分：硅溶胶1-10％，氧化剂0.1-5％，活化剂0.1-10％，抑制剂0.001-0.5％，去离子水、pH调节剂，补足余量。本发明中通过氧化剂和活化剂复配来形成自活化氧化作用，使抛光速率显著加快，通过氧化剂的氧化作用将钌氧化成游离的钌氧化物，钌氧化物会将活化剂进行催化活化产生一种氧化性更强的中间产物，此中间产物会继续将钌进行氧化，形成类似正反馈的系统，从而使化学反应加剧，材料去除速率加快。
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公开(公告)号：CN110484380A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863465.2
申请日：2019-09-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种碱性抛光后低k介质清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂其组成包括非离子表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是去离子水的质量的1％-4％；清洗剂的pH值为9-10。所述的非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子活性剂O-20、AEO-9或AEO-15，pH调节剂为氨水或四乙基氢氧化铵。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。
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公开(公告)号：CN106118491B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610541674.1
申请日：2016-07-11
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计所述碱性抛光液的pH值为7.5—10.5；通过将非离子界表面活性剂、多羟多胺螯合剂和硅溶胶依次于去离子水中逐级混合方式获得；所述碱性抛光液，对设备无腐蚀，稳定性好易清洗，弱碱性环境下易生成可溶性的化合物，从而易脱离表面，有效减低环境污染。
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公开(公告)号：CN106433479A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610576241.X
申请日：2016-07-19
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/30625
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种多层铜布线钴阻挡层表面粗糙度的控制方法，首先配置碱性抛光液，然后在流量100-500ml/min,温度15-30℃、抛头转速为57-150rpm、抛盘转速为63-150rpm，抛光压力为6.89-27.56kpa的工艺条件下进行抛光1-5min；所述的碱性抛光液包括：螯合剂用量占抛光液总质量的0.1％-1％；非离子型表面活性剂的用量为抛光液总质量的1-5％；所述的Si02用量占抛光液总质量的1％，所述的抛光液最终的pH值为8-12；该方法克服了现有铜布线化学机械抛光过程中存在的控制钴阻挡层表面粗糙度多采用酸性抛光液且包含氧化剂的问题。
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公开(公告)号：CN104451691A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410686163.X
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。本发明所述抛光液中包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，表面活性剂、抑菌剂和水，抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；研磨颗粒含量为重量百分比3～15％；络合剂的含量为重量百分比1～5％；表面活性剂的含量为重量百分比0.01～1％；过氧化氢的含量为重量百分比0.5～3％；用水补足含量至重量百分比100％。本发明抛光液适用于下压力不大于5.516kPa时铜的精抛光，不包含腐蚀抑制剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102039283B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201010232559.9
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂，搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液；使用洁净液迅速对Ti阻挡层材料采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01大气压的低压力条件下进行抛光清洗；使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗，流量为1000-5000ml/min；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000ml/min的条件下冲洗Ti阻挡层材料。
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公开(公告)号：CN101966688B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010231553.X
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法，实施步骤如下：（1）将以下成分按重量%均匀混合制成抛光液：纳米SiO2磨料：35～80%，去离子水：12～60%，氧化剂：1～3%，活性剂：1～4% ，FA/OII型螯合剂：0.5～1.5%；（2）抛光工艺参数设定：抛光压力：2～5KPa ，抛光温度：20～50℃，流量：120～250 ml/min ，转速：30～60 rpm/min。抛光液中的氧化剂把铜氧化，FA/OII型螯合剂本身具有极强的螯合能力，与氧化的铜快速反应，生成可溶性的螯合物快速的脱离铜表面，避免主要依赖机械的摩擦作用去除表面铜，实现了在低机械强度下的铜抛光。螯合过程材料的去除以打破分子键来实现，对材料表面损伤小。且在低压下增强CMP化学作用来补偿机械作用对抛光速率的影响。
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公开(公告)号：CN101912857B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010232557.X
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种锑化铟晶片碱性化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低锑化铟晶片碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高晶片表面平整度和洁净度的方法。取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂，搅拌均匀后得洁净液；使用洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的锑化铟晶片采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01个大气压的低压力条件下抛光清洗至少30s；采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂，在零压力条件下对清洗后的锑化铟晶片采用大流量抛光清洗至少30s；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、大流量的条件下对清洗后的锑化铟晶片冲洗至少30s。
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公开(公告)号：CN101972754A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010231937.1
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明涉及使用铌酸锂化学机械抛光液对铌酸锂晶体高精密加工抛光后表面清洁技术。采用水抛实现的表面洁净，水抛液的主要化学成分包括活性剂、螯合剂、阻蚀剂和去离子水。当碱性抛光刚刚完成后，马上用上述水抛液并采用大流量水抛的方法，将残留的抛光液冲走，同时迅速降低表面张力、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛方法具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。
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公开(公告)号：CN101912856A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010231679.7
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B08B3/10 , B08B3/08 , H01L21/302
Abstract: 本发明涉及铌酸锂(LiNbO3)晶体化学机械抛光(CMP)后，铌酸锂晶体表面的应力控制方法。本发明铌酸锂晶体CMP后应力控制方法，CMP刚刚完成后清洗时，采用逐渐慢慢加大水抛清洗液流量，充分释放铌酸锂晶体表面的热应力，达到铌酸锂晶体内外热应力一致，从而有效地避免了铌酸锂晶体清洗过程中易产生开裂、碎晶的问题发生，完美实现了铌酸锂晶体CMP后的应力控制，大大提高了铌酸锂晶体因开裂、碎晶导致的加工良率。
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