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公开(公告)号：CN110819999A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911116898.8
申请日：2019-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液。该清洗液的组成包括多元表面活性剂，以及螯合剂、抑制剂、pH调节剂和去离子水；各组分所占清洗液的质量百分比为：表面活性剂0.1～1wt％、螯合剂0.01～0.1wt％、抑制剂0.01～0.1wt％，余量为去离子水。所述的清洗液的pH值为10～12。所述的多元复配的表面活性剂的组成为非离子型表面活性剂和阴离子表面活性剂，质量比为非离子型表面活性剂：阴离子表面活性剂＝1:1～1:20。本发明的新型清洗液可以使清洗后的铜钴自腐蚀电位差降低到42mV，表面粗糙度降低到0.4nm以下。
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公开(公告)号：CN105342036A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510867677.X
申请日：2015-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: A41D13/11 , A41D13/005
CPC classification number: A41D13/11 , A41D13/0051 , A41D2400/10
Abstract: 本发明涉及一种防雾霾加热口罩，该口罩适用于寒冷雾霾天气佩戴。主要包括三部分组成：过滤加热部件、管道、呼吸部件。过滤部件中内置过滤网、螺旋风扇组件和加热组件，通过螺旋风扇将空气吸入过滤部件，通过过滤网过滤后，将净化后的空气通过加热组件加热，通过管道导入呼吸部件，送到人体口鼻处。呼吸部件分为内外两层，内层上有均匀分布的出气口，外层由透气材料制成，两侧有与头部固定的绳、带或搭扣等。有效解决了普通人群的佩戴口罩憋闷感以及寒冷不适感等问题。
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公开(公告)号：CN101972754A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010231937.1
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明涉及使用铌酸锂化学机械抛光液对铌酸锂晶体高精密加工抛光后表面清洁技术。采用水抛实现的表面洁净，水抛液的主要化学成分包括活性剂、螯合剂、阻蚀剂和去离子水。当碱性抛光刚刚完成后，马上用上述水抛液并采用大流量水抛的方法，将残留的抛光液冲走，同时迅速降低表面张力、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛方法具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。
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公开(公告)号：CN115786918B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211451885.8
申请日：2022-11-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种铜碱性化学机械抛光液。该抛光液的质量百分组成为二乙醇胺0.05‑1％、磨料3‑6％、季铵化合物0.1‑2％、铜强刻蚀剂8‑13％，余量为去离子水；抛光液pH值为7.5‑10；所述的抛光液还包括质量百分比0.01‑0.5％的黄原胶。本发明可以提高含有季铵碱的碱性的铜抛光液的pH值稳定性，防止磨料分层、凝胶、颗粒直径长大，降低抛光缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110813891B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201911116905.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法。该清洗液的组成包括活性剂、螯合剂、pH调节剂和去离子水；所述各组成所占清洗液的质量百分比为：活性剂0.01‑0.5％，螯合剂0.01‑0.05％，余量为去离子水；清洗液的pH值为9‑12；所述活性剂为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者质量比为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂＝1：1‑3；所述的阴离子表面活性剂具体为ADS；所述的非离子表面活性剂具体为AEO。本发明为实现铜CMP后复合活性剂的刷片机的高效率清洗、低成本清洗奠定了基础。
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公开(公告)号：CN110712119B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911116899.2
申请日：2019-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法。该方法包括如下步骤：在CMP设备上，将清洗液通入当化学机械抛光机完成常规硅片抛光工序的抛光工作后，更换抛光盘，打开清洗液管路，关闭抛光液管路，进入清洗工序；完成清洗工序后，关闭清洗液管路，打开去离子水管路，通入去离子水，进行去离子清洗；最后取出硅片，氮气吹干15‑30s，完成抛光及清洗工序。本发明清洗方法工艺简单，无二次污染，实现了抛光与清洗一体化，减少专门清洗设备的投入，并提高了清洗效率。
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公开(公告)号：CN111020610A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911209700.0
申请日：2019-12-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23G1/20
Abstract: 本发明为一种用于Cu互连CMP后腐蚀抑制剂的清洗液及配制方法。该清洗液的组成包括螯合剂、络合剂、表面活性剂以及去离子水；清洗液的pH值为10~13；其中，各组分的质量百分配比为：螯合剂：0.0005~0.2wt%、络合剂：0.0005~0.1wt%、表面活性剂：0.001~0.5wt%，余量为去离子水。所述的清洗液还包括pH调节剂中的一种或多种。本发明低毒性，无有害物质的挥发，安全环保，可适用于大规模工业生产线，清洗效果优异。
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公开(公告)号：CN106244028A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610577468.6
申请日：2016-07-19
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，具体涉及一种碱性抛光液在抑制铜钽阻挡层电偶腐蚀的应用，所述的碱性抛光液以多羟基多氨基化合物作为螯合剂以及pH调节剂；所述的多羟基多氨基化合物在所述的碱性抛光液中的质量百分比为0.1％-2％，所述的碱性抛光液的pH值为9-10.5；所述的多羟基多氨基化合物为羟乙基乙二胺、四羟乙基乙二胺、三乙醇胺的一种或者几种进行混合。本发明采用在碱性抛光液中添加特殊的含有羟基及氨基的化合物作为螯合剂，该螯合剂使铜在抛光液中的电位降低，并在钽表面形成一层钝化层，使钽在抛光液中的电位较小程度的降低，从而达到降低两者之间电位差的目的，同时腐蚀电流降低，腐蚀速率得到控制。
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公开(公告)号：CN101972753B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010231659.X
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种镁铝合金化学机械抛光后表面清洗方法，旨在提供一种能够降低镁铝合金材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高晶片表面质量的清洗方法。取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入非离子表面活性剂和FA/O螯合剂；采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂；将稀释后的阻蚀剂边搅拌边加入到上述液体中，搅拌均匀后得到水溶性表面清洗液，使用得到的水溶性表面清洗液迅速对碱性化学机械抛光后的镁铝合金材料采用大流量低压力条件下进行抛光清洗；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、大流量条件下冲洗。
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