一种半导体器件的制备方法

    公开(公告)号:CN107768458B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201711033313.7

    申请日:2017-10-30

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制备方法,所述制备方法包括以下步骤,A对ITO透明导电衬底进行预处理;B在ITO透明导电衬底的透明导电膜上形成沟槽;C采用去离子水冲洗形成沟槽的混合溶液,并氮气吹干所述衬底;D、继续将衬底置于打印平台上,在所述沟槽位置打印氧化锌墨水;E、最后置于保护性气氛中于300℃进行热退火,完成器件制备。本发明的制备方法简单,成本低,可操作性强;并且采用打印方式形成ITO沟槽,与传统的图形化光刻与酸腐蚀导电层方法制作电极图形的方法相比,不会造成大量腐蚀液排放污染。

    一种利用智能手机制作双折射防窥视密码输入器的方法

    公开(公告)号:CN106790825A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710037498.2

    申请日:2017-01-19

    CPC classification number: H04M1/0266 H04M1/23 H04M2250/22

    Abstract: 本发明涉及一种利用智能手机制作双折射防窥视密码输入器的方法,利用现有的手机屏幕,对其进行改造。将手机液晶显示屏顶层的偏振片移除,此时看见的屏幕为白屏,若想要看清显示器上的内容,则需要通过双折射晶体眼镜观察成的像。此功能可有效控制可视范围,达到防窥视效果;手机屏幕触屏功能得到保留,结合随机键盘即可在屏幕上直接输入密码,对比一般超市、商场使用的支付POS机自带的实体键盘,随机键盘能提高保密性,支付更安全;智能手机可连接网络,能较好的与支付系统对接;可下载安装各类app,与生活接轨,使其更加智能;该设计对被淘汰的旧手机进行二次利用,不仅大幅降低成本而且更符合绿色环保理念。

    一种电阻型存储单元的制备方法

    公开(公告)号:CN105185903A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510503866.9

    申请日:2015-08-17

    Abstract: 一种电阻型存储单元的制备方法,涉及非易失性存储器件技术领域,首先,在基板上用导电材料形成下电极层,在下电极层上沉积或旋涂一层绝缘介质层,通过光刻工艺在绝缘介质层上形成沟槽,沟槽的槽底通至下电极层;然后,在沟槽内形成电阻型存储单元的功能层,该功能层为上、下两层的叠层结构,其由非晶态的SnOx层和氮氧化物MnOxNy层叠层构成,非晶态的SnOx中x的取值范围为0

    一种全打印氧化锌紫外探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN107768483B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201711036820.6

    申请日:2017-10-30

    Abstract: 本发明提供了一种全打印氧化锌紫外探测器的制备方法,在制备氧化锌紫外光探测器的方法中,通过合适配比的盐酸、柠檬酸、聚乙二醇和水混合溶液,并使用所述混合溶液直接采用打印法形成ITO沟槽,所述混合溶液能够降低其对衬底的浸润性,降低对ITO腐蚀时由于侧边腐蚀难易控制图案边缘造成的打印图形和形成的沟槽图形严重不符的现象。并且在制备方法中按照分散点状打印纳米银墨水,通过Ag纳米颗粒与ZnO之间形成表面等离子共振产生强烈的光吸收。该制备方法简单,成本低,可操作性强;并且采用打印方式形成ITO沟槽,与传统的图形化光刻与酸腐蚀导电层方法制作电极图形的方法相比,不会造成大量腐蚀液排放污染。

    一种具有钙钛矿结构的异质结薄膜光电器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN105932088B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201610551748.X

    申请日:2016-07-14

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 一种具有钙钛矿结构的异质结薄膜光电器件,涉及一种光电器件,包括基板,以及依次层叠在基板上的下电极、p型钙钛矿型氧化物薄膜、n型钙钛矿型氧化物薄膜和上电极;其中,p型钙钛矿型氧化物薄膜为Er:Li0.1K0.4Bi0.5TiO3,掺杂的Er与Li0.1K0.4Bi0.5TiO3的摩尔比为0.005‑0.2;n型钙钛矿型氧化物薄膜为BaNbxTi1‑xO3,x的取值范围为0.05‑0.1;本发明光电器件的各薄膜层是经旋涂工艺依次涂覆在基板上后,经烘干、退火工序制成的。本发明提出了一种新的钙钛矿型异质结薄膜并应用于光电器件,能够增加异质结光电器件的光生电流,提高其光电转换效率。

    一种轴承磨床
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104842230A

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201510180160.3

    申请日:2015-04-16

    CPC classification number: B24B25/00 B24B55/04

    Abstract: 本发明公开了一种轴承磨床,包括床身、工作台、工件轴箱、操纵面板、液压系统、电气控制系统、传动及进给机构和砂轮修整器,工作台安装于床身上,工件轴箱安装于床身左端上部,液压和电气控制系统安装在床身内部,砂轮修整器固定于床身上面右侧;砂轮修整器具有一开有直线导轨槽的矩形框架,矩形框架内设置有可沿导轨槽移动的修整器卡头,卡头由步进电机驱动,卡头中部设置有两个导柱,导柱的两端设置在矩形框架的导轨槽内,卡头端部通过沉头螺栓连接金刚石修整块。结构简单、刚性明显增强,精度保持性好,易操纵,采用全封闭罩壳,防护安全,外形美观。

    浑浊介质微粒运动特性的完整、高分辨测试方法

    公开(公告)号:CN101980000B

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201010296986.3

    申请日:2010-09-20

    Abstract: 本发明公开了一种浑浊介质微粒运动特性的完整、高分辨测试方法。首先,根据微粒光散射理论,结合散斑图特征值与微粒运动间的解析关系,利用动态散斑测试光路实现对浑浊介质“溶液→胶体→沉淀”过程中微粒运动特性的连续、完整、实时检测;同时,采用飞秒激光测试光路,对该过程中微粒运动的不同临界点进行瞬态研究,获得浑浊介质微粒瞬态动力学行为的高时空分辨分析;两者结合,最终实现对浑浊介质“溶液→胶体→沉淀”过程中微粒运动图像的完整而又具有高时空分辨特点的测试。该方法是一种非接触、高精度、实时在线检测方法,具有操作简单、适用范围广的特点,可广泛应用于医学、制药及化工生产等领域。

    一种圆形电插头的点焊装置

    公开(公告)号:CN108381024B

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201810186460.6

    申请日:2018-03-07

    Abstract: 一种圆形电插头的点焊装置,包括工作台、功能部件和操控系统,功能部件包括上下定位机构、焊头压紧机构、定位引导机构和旋转分度机构;上下定位机构驱动与其连接的焊头压紧机构和定位引导机构上下直线运动;焊头压紧机构可驱动点焊头上下移动以完成不同点位的点焊工作;定位引导机构安装待焊接的带条形金属件,并引导带条形金属件贴在圆柱形金属壳体的表面;旋转分度机构能够安装并张紧待点焊的圆柱形金属壳体,并在圆柱形金属壳体和带条形金属件完成一个点位的点焊后,带动圆柱形金属壳体和带条形金属件旋转一个角度,进行下一个点位的点焊。本装置提供了一种良好的点焊设备,使用方便,工作效率高,大大降低了工人的劳动量。

    一种电阻型存储单元
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105185902B

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201510503715.3

    申请日:2015-08-17

    Abstract: 一种电阻型存储单元,涉及非易失性存储器件技术领域,包括基板、下电极层、功能层、上电极层和绝缘介质层,下电极层覆盖在基板上,绝缘介质层覆盖在下电极层上,绝缘介质层上设有槽底通至下电极层的沟槽,沟槽内自上而下依次设有上电极层和功能层,功能层与下电极层直接接触,上电极层与绝缘介质层表面平齐设置。所述功能层为电阻变化型存储层,该功能层为上、下两层的叠层结构,其由非晶态的SnOx层和氮氧化物MnOxNy层叠层构成,其中,非晶态的SnOx中x的取值范围为0

    一种全打印氧化锌紫外探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN107768483A

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201711036820.6

    申请日:2017-10-30

    Abstract: 本发明提供了一种全打印氧化锌紫外探测器的制备方法,在制备氧化锌紫外光探测器的方法中,通过合适配比的盐酸、柠檬酸、聚乙二醇和水混合溶液,并使用所述混合溶液直接采用打印法形成ITO沟槽,所述混合溶液能够降低其对衬底的浸润性,降低对ITO腐蚀时由于侧边腐蚀难易控制图案边缘造成的打印图形和形成的沟槽图形严重不符的现象。并且在制备方法中按照分散点状打印纳米银墨水,通过Ag纳米颗粒与ZnO之间形成表面等离子共振产生强烈的光吸收。该制备方法简单,成本低,可操作性强;并且采用打印方式形成ITO沟槽,与传统的图形化光刻与酸腐蚀导电层方法制作电极图形的方法相比,不会造成大量腐蚀液排放污染。

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