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公开(公告)号：CN119936463A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510214398.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
Abstract: 本申请公开了一种电流传感器及其集成电路装置。其中，集成电路装置包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；第一类引线构架，用于在基板的第一表面的一侧形成第一电流路径；和若干磁场换能器，设置于基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，第一类引线构架形成有用于环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部；第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口；第二环绕部具有朝向与第一方向相异的第二方向的第二敞口。本申请的有益之处在于：提供了一种通过对磁场换能器的数目、排布和引线构架对它们环绕结构的改良设计从而改善检测精度的电流传感器及其集成电路装置。
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公开(公告)号：CN114371325A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111662778.5
申请日：2021-12-31
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
Abstract: 本申请公开了一种电流传感芯片，包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；引线构架，用于在所述基板的第一表面和/和第二表面的外侧引导电流以形成电流路径；磁场换能器，设置于所述基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，所述引线构架至少形成有用于部分的环绕所述磁场换能器的环绕部，所述环绕部被构造为具有一个敞口以使所述磁能换能器至少在预设方向上至少部分的露出所述环绕部；所述磁场换能器为至少由化合物半导体制成的集成电路器件。本申请的有益之处在于提供了一种基于结构和材料的改进从而改善了检测灵敏度的电流传感芯片。
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公开(公告)号：CN117289012A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311576228.0
申请日：2023-11-24
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
Abstract: 本申请提供一种双电流输入输出、双隔离的电流传感器，及使用该传感器的电流检测方法，所述电流传感器包括两个电流输入输出段和双隔离层，实现了大电流、高灵敏度的电流检测。所述双电流输入输出、双隔离的电流传感器包括：电流导体、霍尔IC、绝缘层、和信号引脚。电流导体包括第一电流导体和第二电流导体，所述第一电流导体和第二电流导体设置在所述霍尔IC的上下两侧；所述第一电流导体与霍尔IC之间设置有第一绝缘层，所述第二电流导体与所述霍尔IC之间设置有第二绝缘层；并且第一绝缘层的厚度小于第二绝缘层的厚度。
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公开(公告)号：CN114371329A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111669127.9
申请日：2021-12-31
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 本申请公开了一种电流传感器及其集成电路装置。其中，集成电路装置包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；第一类引线构架，用于在基板的第一表面的一侧形成第一电流路径；和若干磁场换能器，设置于基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，第一类引线构架形成有用于环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部；第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口；第二环绕部具有朝向与第一方向相异的第二方向的第二敞口。本申请的有益之处在于：提供了一种通过对磁场换能器的数目、排布和引线构架对它们环绕结构的改良设计从而改善检测精度的电流传感器及其集成电路装置。
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公开(公告)号：CN114371329B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202111669127.9
申请日：2021-12-31
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 本申请公开了一种电流传感器及其集成电路装置。其中，集成电路装置包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；第一类引线构架，用于在基板的第一表面的一侧形成第一电流路径；和若干磁场换能器，设置于基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，第一类引线构架形成有用于环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部；第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口；第二环绕部具有朝向与第一方向相异的第二方向的第二敞口。本申请的有益之处在于：提供了一种通过对磁场换能器的数目、排布和引线构架对它们环绕结构的改良设计从而改善检测精度的电流传感器及其集成电路装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117538590A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311532076.4
申请日：2023-11-16
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
Abstract: 本申请提供一种霍尔传感器电路和电子设备。所述霍尔传感器电路，通过采用两个霍尔元件协同测量待测电流产生的磁场。其中，第一霍尔元件的输出经过斩波、低通滤波等信号处理后具有符合要求的输出信号质量，第二霍尔元件的输出不经过斩波电路，直接输出测量信号的高频跳变部分，与第一霍尔元件进行信号处理后的输出信号进行叠加。本发明提供的霍尔传感器电路，能够在兼顾输出测量信号的质量的同时，提高响应速度。
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公开(公告)号：CN116899985B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311183423.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
Abstract: 本公开提供的一种引线框架溢胶去除方法及设备，涉及半导体封装技术领域。该引线框架溢胶去除方法包括获取装载有引线框架的托盘的第一坐标位置。根据坐标位置调整第一激光器和第二激光器的聚焦位置。开启第一激光器和第二激光器，去除引线框架上预设位置的溢胶；其中，第一激光器和第二激光器分别采用二氧化碳激光器。检测预设位置的溢胶是否清除干净；若预设位置的溢胶没有清除干净，则记录未清除的溢胶的第二坐标位置，对第二坐标位置的溢胶进行二次清除。该方法除胶效率高，除胶效果好。
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公开(公告)号：CN116899985A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311183423.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
Abstract: 本公开提供的一种引线框架溢胶去除方法及设备，涉及半导体封装技术领域。该引线框架溢胶去除方法包括获取装载有引线框架的托盘的第一坐标位置。根据坐标位置调整第一激光器和第二激光器的聚焦位置。开启第一激光器和第二激光器，去除引线框架上预设位置的溢胶；其中，第一激光器和第二激光器分别采用二氧化碳激光器。检测预设位置的溢胶是否清除干净；若预设位置的溢胶没有清除干净，则记录未清除的溢胶的第二坐标位置，对第二坐标位置的溢胶进行二次清除。该方法除胶效率高，除胶效果好。
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公开(公告)号：CN117289012B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311576228.0
申请日：2023-11-24
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
Abstract: 本申请提供一种双电流输入输出、双隔离的电流传感器，及使用该传感器的电流检测方法，所述电流传感器包括两个电流输入输出段和双隔离层，实现了大电流、高灵敏度的电流检测。所述双电流输入输出、双隔离的电流传感器包括：电流导体、霍尔IC、绝缘层、和信号引脚。电流导体包括第一电流导体和第二电流导体，所述第一电流导体和第二电流导体设置在所述霍尔IC的上下两侧；所述第一电流导体与霍尔IC之间设置有第一绝缘层，所述第二电流导体与所述霍尔IC之间设置有第二绝缘层；并且第一绝缘层的厚度小于第二绝缘层的厚度。
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公开(公告)号：CN112614912A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011383350.2
申请日：2020-12-01
Applicant: 浙江森尼克半导体有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种锑化铟芯片的制备方法，该制备方法包括：制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极；用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片；对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置。本申请的有益之处在于提供了一种能有效克服分凝系数以及加工误差带来的良率问题的锑化铟芯片的制备方法。
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