公开(公告)号：CN112071941A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010874631.1

申请日：2020-08-27

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 周长著 ,  汪智伟 ,  冯叶 ,  黎年赐 ,  杨春雷

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种功能模组及其制备方法和应用。该功能模组包括衬底、吸收层和势垒层。吸收层设置在衬底上。吸收层含有硒元素和锡元素。势垒层设置在吸收层的远离衬底的一侧上。势垒层含有锗元素。该功能模组能够制备效率较高的探测器。

公开(公告)号：CN112054074A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010908886.5

申请日：2020-09-02

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 王忠国 ,  陈明 ,  王宗朋 ,  王政焱 ,  易成汉 ,  徐国良 ,  贾美玲 ,  汪智伟 ,  周长著 ,  刘宇 ,  杨春雷

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52，通过将CIGS材料作为吸收层的材料并通过调节CIGS吸收层中Cu元素和/或Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例来降低光电探测器的暗电流，从而提升光电探测器的性能。本申请的光电探测器阵列通过对整面探测器基片进行刻蚀获得阵列设置的多个光电探测器，相对于整面探测器降低了有效接触面积，进一步提升了光电探测性能。

公开(公告)号：CN112054074B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202010908886.5

申请日：2020-09-02

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 王忠国 ,  陈明 ,  王宗朋 ,  王政焱 ,  易成汉 ,  徐国良 ,  贾美玲 ,  汪智伟 ,  周长著 ,  刘宇 ,  杨春雷

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52，通过将CIGS材料作为吸收层的材料并通过调节CIGS吸收层中Cu元素和/或Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例来降低光电探测器的暗电流，从而提升光电探测器的性能。本申请的光电探测器阵列通过对整面探测器基片进行刻蚀获得阵列设置的多个光电探测器，相对于整面探测器降低了有效接触面积，进一步提升了光电探测性能。

公开(公告)号：CN112281119A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011039226.4

申请日：2020-09-28

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 汪智伟 ,  周长著 ,  冯叶 ,  黄建平 ,  庞硕 ,  黎年赐 ,  杨春雷

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种铜镉锌锡硒光吸收层的制备方法，其包括：提供基底置于共蒸镀腔室中，将基底加热至预定温度；在第一时间段内，使Cu、Zn、Cd、Sn和Se同时蒸发而蒸镀到基底上；在第二时间段内，使Zn、Cd、Sn和Se同时蒸发而蒸镀到基底上；在第三时间段内，使Sn和Se同时蒸发而蒸镀到基底上；在第四时间段内，使Se蒸发而蒸镀到基底上，冷却后获得蒸镀材料层；将蒸镀材料层进行退火处理，获得铜镉锌锡硒光吸收层。本发明还提供了如上制备方法获得的铜镉锌锡硒光吸收层以及包含该铜镉锌锡硒光吸收层的短波红外探测器。本发明可以使得铜镉锌锡硒光吸收层的晶粒更大而晶界减少，其应用于短波红外探测器中可以提高探测器的效率。

公开(公告)号：CN111430483A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010205706.7

申请日：2020-03-23

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 黎年赐 ,  邵龑 ,  庞硕 ,  汪智伟 ,  周长著 ,  冯叶 ,  杨春雷

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光电探测器，包括：基底；设置于所述基底上的底电极；设置于所述底电极上的吸收层；所述吸收层采用基于Cu2-II-IV-VI4族光电薄膜吸收材料Cu2CdaZn1-aSnSe4制成，0≤a≤1；设置于所述吸收层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的窗口层；其中，在所述缓冲层与所述窗口层之间还设置有氧化物阻挡层。本发明还公开了一种光电探测器的制作方法。本发明也公开了一种包括上述光电探测器或者采用上述制作方法制得的光电探测器的光电探测系统。本发明通过采用基于Cu2-II-IV-VI4族光电薄膜吸收材料Cu2CdaZn1-aSnSe4作为光电探测器的吸收层的材料，且在缓冲层与窗口层之间设置氧化物阻挡层，可以阻挡由于漏电通道引起的载流子，降低探测器的暗电流，提高探测器的光电探测率。

公开(公告)号：CN112071941B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202010874631.1

申请日：2020-08-27

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 周长著 ,  汪智伟 ,  冯叶 ,  黎年赐 ,  杨春雷

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种功能模组及其制备方法和应用。该功能模组包括衬底、吸收层和势垒层。吸收层设置在衬底上。吸收层含有硒元素和锡元素。势垒层设置在吸收层的远离衬底的一侧上。势垒层含有锗元素。该功能模组能够制备效率较高的探测器。

公开(公告)号：CN111628017A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010549980.6

申请日：2020-06-16

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 黎年赐 ,  邵龑 ,  庞硕 ,  何可 ,  汪智伟 ,  周长著 ,  冯叶 ,  杨春雷

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、其制备方法及其应用、晶体管及其制备方法，普通的铟镓锌氧化物对可见光基本没有响应，本发明提供了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层，由于掺杂氢的铟镓锌氧化物的带隙小于或等于可见光的光子能量，因此能够对可见光产生良好响应。将这种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层应用于光电晶体管中，可以可满足可见光探测领域对铟镓锌氧化物型光电晶体管的实际需求，这类光电晶体管将在显示与成像、光通信、遥感、生物医疗等领域发挥重要作用。