公开(公告)号：CN115666191A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211012677.8

申请日：2022-08-23

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院

Inventor： 秦来香 ,  何进 ,  李春来 ,  魏益群 ,  王秀梅 ,  衣法臻 ,  徐张伟

IPC: H10K71/00 ,  H10K30/80 ,  H10K30/50 ,  H10K30/40

Abstract: 本发明公开了提高钙钛矿太阳能电池器件稳定性的方法，包括以下步骤：步骤一，设计电池结构；步骤二，制备阴极；步骤三，制备电子传输层；步骤四，制备钙钛矿吸光层；步骤五，制备h‑BN保护层；步骤六，制备空穴传输层；步骤七，制备金属阳极；所述步骤二中，FTO导电玻璃的形状为1.5×2cm的方块，电阻为9‑10Ω，透光率为90％以上；本发明相较于现有的钙钛矿太阳能电池，通过将生长在衬底上的单层或多层的h‑BN二维材料进行图形化处理，然后采用干法转移的方式将其转移到钙钛矿薄膜表面，可以确保h‑BN薄膜完全且均匀的覆盖钙钛矿吸光层，从而有效地隔绝钙钛矿材料和空气中氧和水的接触，因而可以大大提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。

公开(公告)号：CN117038702A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310888993.X

申请日：2023-07-19

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院

Inventor： 秦来香 ,  何进 ,  李春来 ,  魏益群 ,  陈国豪 ,  李向杰 ,  何燕冬 ,  解冰 ,  岳玉涛 ,  衣法臻 ,  康化宇 ,  徐张伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了集成电路领域的一种提高驱动电流的环状二维MoS2晶体管器件，包括SiO2纳米核、MoS2沟道、源区、漏区、高KHfO2介质层、漏接触电极、栅电极和源接触电极，源接触电极、栅电机和漏接触电极依次排布设置，且SiO2纳米核置于源接触电极、栅电机和漏接触电极中心部位，源区位于源接触电极与SiO2纳米核之间。本发明提出的环状二维MoS2晶体管器件结构结合了二维半导体材料高的载流子迁移率及环栅晶体管器件优异的栅控能力，同时利用环形结构提高沟道有效宽度Weff，从而在不牺牲器件所占面积的情况下达到提高驱动电流的目的，本发明对于继续缩小晶体管器件的尺寸，延续摩尔定律的生命具有重要的意义。

公开(公告)号：CN222226650U

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202420688484.2

申请日：2024-04-03

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  李春来 ,  魏益群 ,  陈国豪 ,  江国盛 ,  衣法臻 ,  康化宇 ,  徐张伟

IPC: C30B31/22

Abstract: 本实用新型公开了一种用于真空反应设备的破真空装置，包括进气箱，进气箱一侧面设置有进气管，进气箱远离进气管的另一侧面布设有布气管，布气管与进气箱连接位置内侧设置有充气橡胶环，布气管外环侧设置有与布气管内部相通的布气环，布气环侧面上设置有布气孔，充气橡胶环上连接有分气管，分气管与进气箱内侧面通过管箍连接，分气管下侧设置有充气管。本实用新型进入到真空环境的气体从布气孔吹出，相邻布气环上的布气孔使得气体的动能相互撞击抵消，进而减少气体的动能，避免吹落杂质污染晶圆；另一路气体通过充气管和分气管可以充入到充气橡胶环内，进而调节充气橡胶环的膨胀程度，使得布气管的进气内孔直径得到调节，保证破真空效果。