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公开(公告)号：CN112242281A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910642083.7
申请日：2019-07-16
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/18 , H01J9/02 , H01J1/304 , C01B32/168
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：在温度1400℃‑1800℃压力40Mpa‑60Mpa的条件下处理碳纳米管膜形成第一碳纳米管结构体；高温热处理所述第一碳纳米管结构体使所述第一碳纳米管结构体石墨化形成第二碳纳米管结构体；焊接至少两个电极片将至少一第二碳纳米管结构体的一端固定在相邻的两个电极片之间形成场发射预备体，该场发射预备体具有一发射端；粘结处理所述场发射预备体的发射端，形成碳纳米管场发射体。另外，本发明还涉及一种碳纳米管场发射体。
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公开(公告)号：CN112242279A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910642092.6
申请日：2019-07-16
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02 , H01J1/304 , H01J9/18 , C01B32/168
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供至少一根碳纳米管线；热处理所述至少一根碳纳米管线形成至少一根石墨化的碳纳米管线，该至少一根石墨化的碳纳米管线具有相对的第一端部和第二端部；焊接至少两个电极将所述至少一根石墨化的碳纳米管线的第一端部固定在相邻的两个电极之间并使第二端部裸露在外作为电子发射端，进而形成碳纳米管场发射体。另外，本发明还涉及一种碳纳米管场发射体。
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公开(公告)号：CN107479330B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610405199.5
申请日：2016-06-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种采用电子束的光刻方法，该方法包括：提供一电子束；使该电子束透过一二维纳米材料后形成一透射电子束和多个衍射电子束；将该透射电子束挡住；以及使该多个衍射电子束照射在待加工件的表面形成多个衍射斑点。本发明提供的采用电子束的光刻方法，通过二维纳米材料将一个电子束衍射成多个电子束，既成本低廉又提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN105448620B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410327650.7
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板绝缘且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；阴极电极，该阴极电极设置于所述微通道板的第一表面；以及阴极发射体，该阴极发射体对应多个所述开孔设置且与所述阴极电极电连接；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。
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公开(公告)号：CN104795296A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024482.4
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J1/30 , H01J9/02 , H01J31/12
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，包括：多个条形第一电极，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸；多个条形第二电极，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，所述多个条形第一电极和多个条形第二电极交叉且间隔设置，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极定义一电子发射单元，每一电子发射单元进一步包括位于条形第一电极与条形第二电极之间且依次层叠设置的一绝缘层、一电子收集层以及一半导体层，所述电子收集层为一导电层。本发明还提供一种电子发射显示器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104795293A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024418.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/308
CPC classification number: H01J29/04 , H01J31/12 , H01J2201/3125 , H01J1/308 , H01J2201/308
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，包括：依次层叠设置的第一电极、一半导体层、一绝缘层以及一第二电极，所述第一电极作为该电子发射源的电子发射端，其特征在于，所述半导体层具有多个孔洞间隔设置，所述第一电极为一碳纳米管层，该碳纳米管层在对应多个孔洞位置处悬空设置。
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公开(公告)号：CN104795292A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024348.4
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J31/12 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：CN103515170A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210217752.4
申请日：2012-06-28
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , H01J1/304 , Y10S977/939
Abstract: 一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括多个沿同一方向定向排列的碳纳米管；沿着所述多个碳纳米管轴向的方向，对所述碳纳米管薄膜进行等间距切割，将所述碳纳米管薄膜裁切成多个带状碳纳米管薄膜；处理所述多个带状碳纳米管薄膜以形成多个碳纳米管线；以及将所述多个碳纳米管线放置于一导电载体上，用激光束切断所述多个碳纳米管线，得到一碳纳米管场发射体。
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公开(公告)号：CN103310869A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210058512.4
申请日：2012-03-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , B82Y40/00 , H01B1/04 , H01B1/24 , Y10S977/842 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及一种感光型碳纳米管浆料，其由第一混合物和第二混合物组成，其中，第一混合物包括碳纳米管，导电颗粒，以及第一有机载体，第二混合物包括光聚合单体，光引发剂和第二有机载体，第一混合物的质量百分比为50%~80%，第二混合物的质量百分比为20%~50%。本发明还涉及一种制备该感光型碳纳米管浆料的方法以及一种采用该感光型碳纳米管浆料制备阴极发射体的方法，其包括以下步骤：将浆料涂布于玻璃基板上并干燥；使用具有曝光图案的负像掩膜进行曝光；使用喷涂法或浸渍法进行显影；在真空或惰性气体气氛下烧结以及膜层的后续处理。本发明的感光型碳纳米管浆料，可以通过光刻工艺形成尺寸为几十微米的图形化碳纳米管阴极发射体。
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公开(公告)号：CN107481914B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201610404782.4
申请日：2016-06-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J37/26 , H01J37/295
Abstract: 本发明涉及一种透射型低能量电子显微系统，其包括：一真空腔体；一电子枪，用于发射的电子束；一衍射腔体；一成像装置；一样品支架，用于固定二维纳米材料样品，上述电子束可以从所述二维纳米材料样品透射之后形成进入所述衍射腔体内的透射电子束与衍射电子束，并在所述成像装置上成像；一芯柱；一抽真空装置；以及一控制电脑；其中，所述控制电脑还包括工作模式切换模块，所述工作模式切换模块可以实现大束斑的成像模式和小束斑的衍射模式之间切换；所述大束斑的成像模式为采用大于样品的电子束照射整个样品表面，并进行衍射成像；所述小束斑的衍射模式为采用小于样品的电子束照射样品的局部表面或扫描整个表面，并进行衍射成像。
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