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公开(公告)号：CN119827942A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411840184.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院 , 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于氮化镓集成电路电性的失效分析方法及系统，包括如下步骤：对氮化镓集成电路进行初步的电性测试，收集第一组电性测试数据；然后，对数据进行预处理，以提高后续分析的准确性；利用训练好的人工智能算法对预处理后的第一组电性测试数据进行分析，识别潜在的失效模式或异常特征；对氮化镓集成电路进行红外成像，获取其热分布图像，通过分析热分布图像中的热点或异常温度区域，结合集成电路的布局和电路设计信息；本发明的有益效果是：首次将人工智能与红外成像技术应用于氮化镓集成电路的失效分析中，实现了技术上的融合与创新；通过人工智能算法的智能分析和红外成像技术的直观展示，显著提高了失效分析的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN119689209A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411861613.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 无锡芯力为半导体设备有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种集成电路可靠性试验装置，包括实验箱体，该实验箱体的内侧壁上设有承托块；承托架，包括支板、对称分布在支板上的支撑板、与支撑板顶端连接的限定环、垂直支板边侧的立板、垂直立板的导向杆；分隔架，包括套设在导向杆外侧的套筒、均匀分布在套筒外侧的隔离板、垂直隔离板的第一固定板和第二固定板、垂直第一固定板和第二固定板的限定柱；限定工件B的夹持组件，包括套设在限定柱上的连接块、与连接块滑动连接的滑动杆、与滑动杆一端连接的夹板；工件B放置在第一固定板和第二固定板之间的位置，在压缩弹簧的弹力作用下，夹板夹住工件B的两侧，可抽拉套筒，使隔离板和固定住的工件B同向移动，有同时移动工件B的设计。
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公开(公告)号：CN113098456A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349742.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/14
Abstract: 本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
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公开(公告)号：CN112626464A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011419636.1
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所述制备仓的外侧壁上设置有保温结构。本发明通过设置有空腔、外壳、连接杆、螺母、通孔和保温岩棉，在使用时，利用螺母和通孔将外壳固定在制备仓的外部，此时制备仓和外壳之间形成一个空腔，然后在空腔内部填充上保温岩棉，利用保温岩棉的隔热性能，这样可以避免制备仓内部热量流失较快，从而可以使制备仓内部温度保持稳定，提高氮化镓薄膜制备的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113644019B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110907503.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 恩纳基智能科技无锡有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种半导体贴片机的复合上料装置，包括：平移轨道，所述平移轨道架设于预设位置；行走座，所述行走座行走于所述平移轨道上；升降座，所述升降座安装于所述行走座底端；复合上料机构，所述复合上料单元安装于所述升降座底端；其中，所述复合上料机构可完成料盒的抓取、上料。本发明提供的一种半导体贴片机的复合上料装置，复合上料机构可以利用吸盘或者卡爪完成料盒的抓取、上料，行走座带动料盒沿着平移轨道运动，升降座完成料盒的升降，从而完成料盒的复合上料，上料方式多样，提高了工作效率，迎合了生产需求。
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公开(公告)号：CN115015269A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210575006.6
申请日：2022-05-24
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明提供一种集成电路失效位置检查用装置，包括检查台，支撑架，热发射显微镜，可调节存放架结构，可调供电架结构，可调节监测架结构和显示屏，所述的检查台的下部螺栓安装有支撑架；所述的检查台的上部左侧安装有热发射显微镜；所述的热发射显微镜的下部设置有可调节存放架结构；所述的检查台的中上部安装有可调供电架结构。本发明T型旋转杆的垂直段胶接有橡胶绝缘套，有利于在使用时方便使用者握住T型旋转杆在定位槽内转动，同时方便对夹装在弹簧接线夹内的二极管进行翻转，实现全方位的检测。
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公开(公告)号：CN113098456B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110349742.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/14
Abstract: 本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
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公开(公告)号：CN112626464B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011419636.1
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所述制备仓的外侧壁上设置有保温结构。本发明通过设置有空腔、外壳、连接杆、螺母、通孔和保温岩棉，在使用时，利用螺母和通孔将外壳固定在制备仓的外部，此时制备仓和外壳之间形成一个空腔，然后在空腔内部填充上保温岩棉，利用保温岩棉的隔热性能，这样可以避免制备仓内部热量流失较快，从而可以使制备仓内部温度保持稳定，提高氮化镓薄膜制备的质量。
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公开(公告)号：CN112609242B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011417405.7
申请日：2020-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
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