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公开(公告)号：CN114910497B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210593038.9
申请日：2022-05-27
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种用于失效分析的样品的处理装置，包括梯形工作台，防滑橡胶垫，带孔IC座，塑料支架，弯折观察架结构，吸尘补光架结构，电动马达，侧面支撑架，燕尾型限位滑槽，燕尾型移动滑块，锁紧螺栓，升降减速架结构，燕尾型升降板，齿槽移动板和打磨马达，所述的防滑橡胶垫胶接在梯形工作台的下部；所述的带孔IC座胶接在梯形工作台的上部；所述的塑料支架螺钉连接在梯形工作台的上部左侧。本发明矩形连接管、放大镜片和橡胶护眼罩的设置，有利于对的芯片表面的观察位置进行放大，保证工作人员可以清晰地看到打磨效果，提高该装置的打磨精度。
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公开(公告)号：CN115078943A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210555179.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板，安装架，顶紧气缸，连接座，温度检测架结构，压力检测承重架结构，测试架结构，处理器，触摸显示屏和寄存器，所述的横向底板的上部右侧螺栓安装有安装架；所述的安装架的左侧螺栓安装有顶紧气缸；所述的顶紧气缸的下部螺栓安装有连接座；所述的连接座的下部安装有温度检测架结构；所述的横向底板的上部左侧安装有压力检测承重架结构；所述的安装架的右侧安装有测试架结构；所述的安装架的上部安装有处理器。本发明电流电压可以灵活调整，以及增加测试功能。
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公开(公告)号：CN112609242A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011417405.7
申请日：2020-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
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公开(公告)号：CN113098456A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349742.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/14
Abstract: 本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
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公开(公告)号：CN119758004A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411800816.2
申请日：2024-12-09
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，包括温度传感器：安装于芯片表面，用于实时监测芯片温度；控制器：接收温度传感器的信号，进行数据处理和算法运算，输出控制指令；电源管理模块：根据控制器的指令，调节芯片的电源电压和频率；反馈回路：形成闭环控制，确保温控精度和响应速度；热稳态测试方法如下：设定目标温度范围及允许的温度波动阈值；温度传感器持续监测芯片温度，并将数据发送至控制器；本发明的有益效果是：通过实时监测与动态调节，实现了芯片温度的精确控制，有效提升了芯片的稳态寿命和可靠性，为高性能芯片的热管理提供了一种创新且高效的解决方案，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119689210A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411900289.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本申请提供了一种自检测适配限位的集成电路测试装置，属于电路测试技术领域，包括输送带，所述输送带上贴合设置有折板，所述输送带的上方设置有顶板，所述顶板的两侧均固定连接有第二连接板，顶板上安装有第一连接板，所述第一连接板上安装有第一电机，所述第一电机的输出轴上固定连接有传动轴，所述第一连接板上转动连接有转筒，所述转筒上固定设置有转盘，所述转盘上开设有移动槽，所述移动槽内滑动安装有滑块。本申请解决了现有的电路测试装置不能够配合输送带进行跟随式检测工作，在跟随检测时不能够根据检测位置和间距对检测结构进行适应性调节，并且在检测的过程中不能够使待检测的电路结构逐个进入检测区域的问题。
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公开(公告)号：CN119667443A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411846482.2
申请日：2024-12-16
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种适应不同集成电路板的集成电路测试设备，包括检测台，检测台的顶部安装有放置夹持组件，检测台的顶部固定安装有安装盒，安装盒的内部安装有调节检测组件，安装盒的顶部安装有检测灯；不同集成电路板的重量不一，从而使导电柱下移的程度不同，并且使通入电磁铁二的电流大小不同，从而使得电磁铁二对固定磁块三施加的排斥力不同，从而使移动夹板移动的距离不同，进而实现对不同大小的集成电路板进行稳定而有效的夹持固定，这一设计极大地提升了设备的灵活性和适用性，使得操作人员能够轻松应对各种尺寸的集成电路板，无需更换夹具或进行繁琐的手动调整，从而极大地简化了工作流程，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN117250463A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311235900.X
申请日：2023-09-25
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种半导体高低温耐受性测试方法，涉及半导体技术领域，为了解决半导体耐受性检测不便捷以及检测数据不准确的问题。本发明将高温检测数据记录和低温检测数据记录进行聚类处理，可以有效的将高温和低温检测时的不同性能的数据进行分类，并将分类完成的数据的长度进行确认，有效的保证了不同数据对应的不同的数据容量，提高了数据传输时的准确性，根据温度特征相关参数获取温度参数的相关性指数，并确定温度参数相关性指数的时序变化情况，提高了在检测过程中不同时间下的检测数据，并且根据时序变化情况判断温度参数相关信号值的稳定性，提高了检测数据在与产品性能的相关参数进行参数对比时的准确性。
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公开(公告)号：CN117148087A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311132589.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件失效分析用测试装置及其测试方法，属于氮化镓器件测试技术领域。本发明的一种氮化镓器件失效分析用测试装置，包括测试台，所述测试台的内部设置有控制盒，所述测试台的上端设置有显示面板，且显示面板与控制盒电性连接，所述显示面板的一侧设置有移动槽。本发明解决了现有测试设备通过手动推动器件与触头接触从而测试，效率低下，且这样会导致氮化镓器件直接碰撞触头影响测试效果的问题，通过设置器件移动机构，实现了对氮化镓器件的自动输送，且输送过程稳定，同时还能微调氮化镓器件与测试触头的间距，避免直接撞上测试触头，提高了测试效果，且同时可对多个氮化镓器件进行测试，更利于失效分析。
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公开(公告)号：CN115864305A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211557667.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H02H3/24
Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路结构。所提供的高精度欠压保护电路，本发明的针对上电复位过程欠压保护输出状态进行了保护，采用上电复位电路控制整体欠压保护电路的状态；另外欠压保护输出电压采用专用电源VDD2，与欠压保护电路的电源VDD1隔离开，避免数字电路噪声对欠压保护电路的干扰；提高了欠压保护电路的可靠性和精度，可以广泛应用于各类高压集成电路及应用系统。
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