公开(公告)号：CN119710705A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411610135.X

申请日：2024-11-12

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 贺兆波 ,  苏张轩 ,  罗佳杨 ,  叶瑞 ,  姜飞 ,  张庭 ,  冯凯 ,  王书萍 ,  李素云 ,  樊澌 ,  班昌胜 ,  严凡 ,  李飞

IPC: C23F1/26 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供了一种金属钼的选择性蚀刻液，按质量百分数计，包括51%‑69%的电子级磷酸、13%‑28%的电子级醋酸、2.2%‑3.8%的电子级硝酸、0.04%‑0.065%的高碘酸、0.03%‑0.09%的有机胺类添加剂、0.2%‑3.5%的氧化铪蚀刻抑制剂，其余成分为去离子水。本发明所述的蚀刻液能够在氧化铪蚀刻速率（ER）≤0.05nm/min的前提下，对金属钼沉积层进行有效蚀刻，且蚀刻后金属钼表面无残余，金属钼和氧化铪具有较高的选择比。

公开(公告)号：CN119409220A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411636088.6

申请日：2024-11-15

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 邹哲敏 ,  贺兆波 ,  叶瑞 ,  张庭 ,  罗月 ,  刘文戈 ,  冯凯 ,  崔会东 ,  高士爽

IPC: C01F17/235 ,  C01F17/10 ,  C09G1/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种合成高Ce3+比的八面体纳米氧化铈的方法及一种化学机械抛光液，该抛光液以合成的八面体氧化铈作为磨料，所述八面体氧化铈的制备具体步骤为：将一定量的有机配体和硝酸铈溶解在去离子水中，控制有机配体、硝酸铈和水的比例在0.01‑0.5：1：100‑300，在氮气气氛下搅拌1‑2h；将一定量的碱液，在氮气气氛下，以一定的速度滴加到溶液中，对混合物进行水热处理，控制反应温度在80‑150℃之间，合成时间在6‑8h，反应后对混合物进行离心、干燥并煅烧，煅烧温度在400‑600℃，煅烧4‑8h，即可得到粒径在30‑50nm左右的高Ce3+比的八面体纳米氧化铈。以本发明制备八面体纳米氧化铈为磨料的抛光液，拥有良好的分散性与稳定性，抛光速率高且表面粗超度低，具有广泛的推广应用价值。

公开(公告)号：CN119177450A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411403493.3

申请日：2024-10-09

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 苏张轩 ,  罗佳杨 ,  贺兆波 ,  叶瑞 ,  姜飞 ,  张庭 ,  冯凯 ,  王书萍 ,  李素云 ,  樊澌 ,  班昌胜 ,  严凡 ,  李飞 ,  王宏博

IPC: C23F1/26

Abstract: 本发明提供了一种金属钼的磷酸基蚀刻液，按质量百分数计，蚀刻液包括48%‑68%的电子级磷酸、2.0%‑5.5%的电子级硝酸、12%‑20%的电子级醋酸、0.02%‑0.07%的有机膦酸酯类添加剂、0.1%‑2.0%的钼蚀刻抑制剂和余量的去离子水。本发明所述的蚀刻液能够在钼蚀刻速率0.05 nm/min≤（ER）≤20 nm/min的前提下，对金属钼沉积层进行有效蚀刻，且蚀刻后表面无残余、粗糙度进一步降低。

公开(公告)号：CN118792053A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410747757.0

申请日：2024-06-11

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 樊澌 ,  贺兆波 ,  冯凯 ,  叶瑞 ,  严凡 ,  班昌胜 ,  王书萍 ,  苏张轩 ,  李素云 ,  李飞 ,  罗佳杨

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种氧化铪（HfO2）蚀刻液，按质量百分数计，包括70%‑90%的磷酸、0.3%‑0.5%的分散剂、0.05%‑0.15%的抗氧化剂、0.8%‑1.6%的螯合剂、0.6%‑1.4%的硅烷偶联剂、0.05%‑1%的乳化剂，其余成分为去离子水。本发明所述的蚀刻液能够保证HfO2具有较高的蚀刻速率（ER≥14.5Å/min），对Poly、W和SiO2蚀刻速率很低，HfO2与三者均具有较高的选择比，且蚀刻后的 wafer有较好的粗糙度。

公开(公告)号：CN118723949A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410922452.9

申请日：2024-07-10

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 李少平 ,  胡杜娟 ,  贺兆波 ,  姜飞 ,  冯凯 ,  杜林 ,  叶瑞 ,  贾文星 ,  吴昊 ,  苗茁 ,  王荣

IPC: C01B25/234 ,  C01B25/237

Abstract: 本发明公开了一种湿法磷酸制备高纯电子级磷酸的方法，通过将膜分离技术与结晶技术耦合，提高磷酸中金属离子去除效果得到超高纯电子级磷酸。其方法工艺简单，不需添加额外溶剂或做进一步处理，绿色环保可有效避免二次污染；其具体工艺主要包括三个步骤：分别是磷酸预热、耐酸纳滤膜粗过滤去除磷酸中颗粒物和部分阴阳离子杂质、静态熔融结晶深度去除磷酸中金属阳离子和阴离子。此方法可将磷酸中单项金属离子含量降低至30 ppb以下，所得高纯电子级磷酸可应用于半导体芯片和液晶等电子工业制造领域。

公开(公告)号：CN115873599B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211235381.2

申请日：2022-10-10

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 班昌胜 ,  贺兆波 ,  叶瑞 ,  姜飞 ,  张庭 ,  冯帆 ,  冯凯 ,  王书萍 ,  杜程 ,  彭飞 ,  倪高国

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂、磷酸和水。本发明所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。

公开(公告)号：CN117866636A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311655694.8

申请日：2023-12-05

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 彭浩 ,  贺兆波 ,  叶瑞 ,  尹印 ,  冯凯 ,  罗昭

IPC: C09K13/08 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种高选择性的掺碳Poly蚀刻液及其制备和蚀刻方法。所述高选择性掺碳Poly蚀刻液主要用于相对氮化硅和氧化硅选择性蚀刻含掺碳poly，其组成包括氧化剂、氟离子源、无机酸、添加剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将含掺碳Poly氧化，然后氟离子源将氧化物蚀刻溶解达到除去掺碳Poly的作用，无机酸提供了稳定的酸性化学环境；添加剂可以促进掺碳Poly的蚀刻速率，调整蚀刻速率，加快蚀刻液对掺碳Poly的蚀刻，提升蚀刻掺碳Poly的选择性。本发明提供了一种高选择性的掺碳Poly蚀刻液，按照所述方法使用，该蚀刻液不仅能高效蚀刻掺碳Poly，还使蚀刻液对掺碳Poly相对于氮化硅和氧化硅具有更快的蚀刻速率即对含掺碳Poly具有更高的选择性。

公开(公告)号：CN117801684A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311594202.9

申请日：2023-11-27

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 贺兆波 ,  罗月 ,  叶瑞 ,  张庭 ,  邹哲敏 ,  姜飞 ,  冯凯 ,  崔会东 ,  王书萍

IPC: C09G1/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开了一种硅片精抛液，具有显著减少硅片抛光雾和表面缺陷的精抛液的制备及应用，该硅片精抛液由高纯硅溶胶、聚合物粘结剂、速率促进剂、增稠剂、抗结晶剂和超纯水组成。速率促进剂为胺类和氮唑类化合物的混合物，能显著提高抛光速率。增稠剂能增加抛光液的粘度，在抛光过程中，能在抛光液和硅片之间形成一层缓冲层，能显著减小硅片表面划伤问题。在磨料和各种添加剂的共同作用下，本发明的精抛液不仅抛光速率高达194nm/min，且抛光后硅片表面抛光雾极少，同时表面只有零星的沾污颗粒，表面没有划痕和凹陷，表面状态良好。同时本发明精抛液的金属杂质离子控制在10ppb以下，符合高端集成电路中单晶硅的精抛要求。

公开(公告)号：CN117720924A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311464107.7

申请日：2023-11-06

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 叶瑞 ,  樊澌 ,  贺兆波 ,  姜飞 ,  张庭 ,  冯凯 ,  王书萍 ,  班昌胜 ,  严凡

IPC: C09K13/08 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了一种氮化硅和钨的选择性蚀刻液，按质量百分数计，包括72%‑85%的电子级磷酸、1.25%‑1.75%的含硅化合物、0.0263%‑0.0369%的氢氟酸、0.02%‑0.07%的磺酸类物质、0.1%‑1.0%的钨蚀刻抑制剂，其余成分为去离子水。本发明所述的蚀刻液能够在氧化硅蚀刻速率（ER）≤0.96nm/30min的前提下，较快的蚀刻氮化硅，最大程度抑制金属钨的蚀刻，保证氮化硅和金属钨具有较高的选择比。

公开(公告)号：CN115011348B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202210758826.9

申请日：2022-06-30

Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司

Inventor： 冯帆 ,  贺兆波 ,  叶瑞 ,  姜飞 ,  张庭 ,  班昌胜 ,  冯凯 ,  王书萍 ,  杜程

IPC: C09K13/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种氮化铝蚀刻液及其应用，该蚀刻液按质量百分数计，包括碱性物质：10~20%、添加剂0.1‑0.8%；表面活性剂0.01‑0.05%，其余为水。其中水和碱性物质提供了蚀刻液必要的基础碱性环境，添加剂提供了蚀刻必须的氧化性能与促进氮化铝水解的功能，表面活性剂优化蚀刻条件，在相同的蚀刻时间下，可以有效蚀刻掉氮化铝。该蚀刻液生产工艺简单，原材料成本低且性能稳定，有利于工业化大规模生产，同时可以加快蚀刻速率，提高半导体成品的生产效率。