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公开(公告)号：CN117987144A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311359079.2
申请日：2023-10-19
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/311 , H10B41/27 , H10B43/27
Abstract: 本发明公开了一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂改性的胶体二氧化硅、磷酸和水。本发明所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。
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公开(公告)号：CN117658153A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311384170.X
申请日：2023-10-24
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C01B33/145 , H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种粒径可控分散度低的溶胶二氧化硅及合成方法，采用种子预制法，现将部分有机硅烷滴加至含有多元醇和粒径稳定剂的碱性水溶液中，搅拌预制种子，然后继续滴加剩下的有机硅烷制备得到溶胶二氧化硅。本发明制备得到的溶胶二氧化硅粒径可控、分散度低，具有优异的稳定性，可用于蚀刻液中提高对Si3N4/SiO2的选择比，从而提升担保提的制造层数；同时制备得到的具有较高粒径的溶胶二氧化硅可以用于CMP磨料中，显著提高抛光性能，有效丰富国内半导体抛光材料的市场。
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公开(公告)号：CN114351143B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111503295.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种侧蚀量可控的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于蚀刻晶圆上的锗膜层，并控制光阻结构下方的侧蚀量，组成包括氧化剂、氟离子源、粘度调节剂、pH调节剂和高纯水。氧化剂将锗氧化，且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合溶解锗的氧化物的作用；粘度调节剂用于控制蚀刻液粘度，改善侧向钻蚀能力；锗膜层上方光阻对pH值非常敏感，pH调节剂可以避免pH过低时导致光阻剥离。
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公开(公告)号：CN114351144B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111512488.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种金蚀刻液。该蚀刻液由氧化剂、络合剂、增溶剂、pH缓冲剂、添加剂、氧化剂再生剂和去离子水组成。氧化剂为I2，络合剂为KI，增溶剂为极性有机溶剂，PH缓冲剂为多元酸盐，添加剂为含亲水基的芳香硝基化合物，氧化剂再生剂为吡咯烷酮类化合物。吡咯烷铜类化合物，与溶液中I‑发生氧化还原反应，将I‑氧化成I2，补充了被消耗的I2，使得药液中的I2和I‑处于动态平衡，从而延长了蚀刻液的寿命。因此本发明中的金蚀刻液能够维持稳定的蚀刻速率和寿命，同时蚀刻出均匀的金表面。
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公开(公告)号：CN116179204A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211696371.9
申请日：2022-12-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种磷酸基蚀刻液及其配制方法。一种磷酸基蚀刻液其主要成分包括占蚀刻液总重量50‑88%的磷酸、0.005‑2%的添加剂，余量为水。本发明通过使用新型添加剂的成分及类型。明显抑制了蚀刻液蚀刻过程Si2+与晶圆表面结合，抑制SiO2再生层生成，提高磷酸基蚀刻液使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113604803B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110770187.3
申请日：2021-07-07
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种选择蚀刻钨及氮化钛的蚀刻液。在本发明中，双氧水，双氧水稳定剂，硝酸，有机酸，蚀刻抑制剂，表面活性剂和去离子水构成钨、氮化钛蚀刻液。在蚀刻液对钨及氮化钛蚀刻的过程中，能够保持稳定的蚀刻速率和较大的选择比。带有氨基基团的联吡啶可以降低双氧水分解速率，稳定蚀刻速率；蚀刻抑制剂可以和金属原子以配位键的形式强烈地吸附在氮化钛的表面，形成一层致密的薄膜，减缓对氮化钛的蚀刻；表面活性剂可以调节蚀刻液与不同金属表面的界面张力，增大两相的接触，提高介质传递速率，从而调节蚀刻液的选择比。本发明的蚀刻液能以较高的蚀刻速率蚀刻金属钨，且能保持较高的选择比。
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公开(公告)号：CN115873599A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211235381.2
申请日：2022-10-10
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂、磷酸和水。本发明所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。
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公开(公告)号：CN113604804B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110769412.1
申请日：2021-07-07
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及一种面板铜制程中稳定线宽损失和蚀刻锥角的蚀刻液。在本发明中，双氧水，螯合剂，蚀刻抑制剂，润湿剂，增溶剂，pH调节剂和去离子水构成铜制程面板蚀刻液。蚀刻过程中，随着蚀刻液中铜离子的增加，仍能保持蚀刻锥角和线宽损失的稳定性。蚀刻液中复合有机酸和吡啶及其衍生物组成的螯合剂体系可以更加快速地与蚀刻中产生的铜离子以配位键的形式形成稳定的螯合物，减少铜离子对蚀刻速率及蚀刻寿命的影响，增强蚀刻液的稳定性；润湿剂和增溶剂的配合使用可以改善蚀刻液的溶解性能，增强蚀刻液在光阻和铜表面的浸润性，同时也可以促进铜离子快速地分散到蚀刻液中，使蚀刻液可以蚀刻出稳定的锥角，从而延长蚀刻液的使用寿命，降低使用成本。
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公开(公告)号：CN118995226A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410915743.5
申请日：2024-07-09
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种3 D NAND深孔结构蚀刻液，该蚀刻液包括有机醇类、硅烷偶联剂、氢氟酸和水。本发明所述的3 D NAND深孔结构蚀刻液可在深孔结构中做到下端蚀刻量大于上端蚀刻量，从而解决干法蚀刻中下端蚀刻逐渐变窄，无法垂直蚀刻的问题。
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公开(公告)号：CN117903802A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311665121.3
申请日：2023-12-06
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/06 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅蚀刻液及应用，该蚀刻液包括芳香族羧酸、硅烷偶联剂、脂肪族羧酸、磷酸和水。本发明所述的多晶硅蚀刻液可在较高硅酸浓度下仍保持较高的蚀刻速率，蚀刻后表面粗糙度较低，适应深孔结构的蚀刻。
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